Все статьи
В статье описаны методики определения параметров модифицированных PSpice моделей мощных МДП полевых транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT по экспериментальным характеристикам с помощью систем MATHCAD и PSpice Optimizer.
Прижимные IGBT силовые модули StakPak. Новая концепция корпусирования для полупроводниковых приборов силовой электроники
StakPak™ — семейство IGBT словых модулей и силовых диодов компании АВВ Semiconductors в новом модульном корпусе, конструкция которого гарантирует равномерное распределение нагрузки на полупроводниковые чипы при использовании в многоуровневых сборках (стеках).
Подход к решению проблем разработки планарных структур высоковольтных биполярных транзисторов IGBT
Анализ развития конструктивного исполнения и технологии формирования элементарной ячейки IGBT биполярного транзистора показывает бесперспективность использования эпитаксиального наращивания рабочего слоя для высоковольтных полупроводниковых приборов с напряжением более 800 В. Передовые зарубежные фирмы работают с пластинами с тонким рабочим слоем исходного кремния или непосредственно с тонкими ... Ультраконденсаторы улучшают КПД электромобилей и гибридных автомобилей
Хотя электромобили и гибридные автомобили разрабатываются уже много лет, они не получили широкого распространения. Некоторые проблемы аккумулирования и распределения энергии пока так и не нашли успешного и экономичного решения. Многие из этих проблем связаны с ограничениями,
свойственными батареям — тяжелым, громоздким, с ограниченной скоростью зарядки и потенциально требующим больших эксплуа... Новая технология МОП полевых транзисторов для современной автомобильной электроники
Одной из важнейших и приоритетных задач современного автомобилестроения является создание экономичных, экологически чистых, надежных и безопасных моделей автомобилей. При решении этой задачи ключевая роль отводится совершенствованию автомобильной электроники и расширению числа систем и узлов, в которых применяются электронные блоки контроля, управления и электропривода. Новые IGBT-транзисторы компании Fuji Electric Device Technology
С появлением мощных биполярных транзисторов IGBT и мощных полевых транзисторов (MOSFET) в области силовых преобразователей, таких, как электропривод переменной частоты и источники бесперебойного питания для компьютеров, произошла революция. Требования компактности, легкости и высокой производительности силовых преобразователей способствовали быстрому развитию этих коммутационных приборов. Однак... Новая технология РТ IGBT против мощных полевых транзисторов
Последнее время пристальное внимание разработчиков в области силовой электроники сконцентрировано на стремительном развитии последних технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и, в частности, на возможности их использования как недорогой альтернативы мощным полевым транзисторам. В данной статье приводится сравнение динамических характеристик, потерь на переключение и пр... Технологии построения силовых модулей IGBT — NPT, Trench, SPT…
Что дальше?
В технической литературе по силовой электронике часто можно прочесть заключения авторитетных специалистов о том, что технология IGBT себя изжила, все параметры доведены до физических пределов, значительных улучшений не предвидится. Однако практика последних лет показывает, что как только таких мнений становится достаточно много, обязательно появляется очередная идея, приводящая к новому качеств... Силовые модули SEMITOP: 40 кА в 40 кубических сантиметрах
На выставке PCIM, прошедшей в Нюрнберге в мае 2006 года, компанией SEMIKRON были представлены новые компоненты семейства SEMITOP. С их появлением максимальная моторная мощность в инверторном включении для данного класса силовых модулей увеличена более чем в 3 раза. Это стало возможным благодаря тщательной компьютерной проработке тепловых и механических характеристик конструктива SEMITOP 4.









отправка...
