Твердотельное реле переменного тока с управлением по интерфейсу RS-485 (MODBUS RTU) от «Протон-Импульс»
Устройства для подвижного ж/д состава и аппаратуры ЖАТ производства ЗАО «Протон-Импульс»
Регулируемые источники питания переменного тока серии ПНБА ООО «НТЦ АКТОР» внесены в Госреестр
Компания «ЛИГРА»приступила к производству охладителей типа О57
Спектрометры Broadcom — обновление серии Qwave
Двунаправленный DC/DC-преобразователь 48S14.250BC от Calex с выходной мощностью 3500 Вт
Предложена методика определения параметров PSpice-модели магнитного сердечника, позволяющая более точно определить эти параметры по справочным характеристикам. Предложены две модификации PSpice-модели для учета частотных свойств магнитных материалов с помощью постоянного и нелинейного сопротивлений. Дана методика определения параметров этих моделей. 
Стало доброй традицией публиковать в осеннем выпуске журнала «Силовая электроника» отчет о ежегодном специализированном международном форуме PCIM — Power Control Intellectual Motion, проходящем весной в Нюрнберге. Мы предлагаем эту информацию в преддверии российской выставки, которая должна состояться в октябре, поскольку сравнение обоих мероприятий достаточно интересно и дает богатую пищу для ... 
IGBT — «рабочая лошадка» современной силовой электроники. Знание особенностей этих полупроводников, некоторые из которых освещены в данной статье, способно помочь проектировщикам при выборе элементов, при расчете параметров схемы .
С тех пор как в январе 2011 года компания Cree анонсировала свои первые транзисторы на основе карбида кремния, технология (SiC) MOSFET стала действенным инструментом повышения эффективности преобразователей до уровня, недостижимого с применением прежних кремниевых приборов. В статье подробно рассмотрены приборы второго поколения, приведены их сравнительные характеристики. 
В статье представлен первый отечественный силовой модуль IGBT трехуровневой топологии, разработанный в ОАО «НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ». Рассмотрены основные электрические и тепловые характеристики устройства. 
С выпуском третьего семейства P3 HiPerFET силовых MOSFET компания IXYS установила новую планку параметров этих устройств для средних и высоких частот. Применение новых транзисторов позволит создавать продукты, которые с высокой надежностью и эффективностью способны решить самые современные задачи преобразования высокого напряжения. 
отправка...