XI международная конференция «Достижения китайской электронной промышленности в производстве высоконадежной ЭКБ для ответственных применений»
Конференция «Силовая электроника – 2026» состоится 28 мая 2026 года в Москве
Всё о микроэлектронике: «КОНСИСТ-ОС» пополнила серию бесплатных книг о цифровых технологиях
Твердотельное реле переменного тока с управлением по интерфейсу RS-485 (MODBUS RTU) от «Протон-Импульс»
Устройства для подвижного ж/д состава и аппаратуры ЖАТ производства ЗАО «Протон-Импульс»
Регулируемые источники питания переменного тока серии ПНБА ООО «НТЦ АКТОР» внесены в Госреестр
Компания «ЛИГРА»приступила к производству охладителей типа О57
Спектрометры Broadcom — обновление серии Qwave
Двунаправленный DC/DC-преобразователь 48S14.250BC от Calex с выходной мощностью 3500 Вт
Более 45 лет французское отделение компании SEMIKRON занимается разработкой и производством узлов мощных преобразователей, содержащих силовые полупроводниковые ключи, силовые конденсаторы, драйверы, шины, датчики. За эти годы выпущено более 15 тыс. подобных изделий, спроектированных на основании технических заданий. Создание международной проектной сети SEMIKRON позволило компании укрепить пози... 
Любой силовой конденсатор — элемент электрической цепи, предназначенный для использования его емкости, обладает набором потребительских свойств, определяемых совокупностью параметров эквивалентной схемы. Хотя история существования данного устройства и насчитывает более двух с половиной столетий, изготовить универсальный вариант силового конденсатора пока не удалось. Однако в силовом конденсатор... 
Традиционно отличаясь быстродействием и мощностью, а также ограниченным запасом энергии, ультраконденсаторы преображаются в быстрые, мощные и энергоемкие устройства, которые, скорее всего, найдут применение главным образом в гибридных автомобилях с гибридным приводом и резервных источниках питания. 
В статье представлена методика расчета температуры кристаллов IGBT силового модуля, работающего в составе преобразователя частоты. Методика основана на информации о мгновенных значениях выходных токов, входного напряжения и вектора управляющих воздействий инвертора. Рассмотрена тепловая модель IGBT силового модуля, позволяющая в реальном времени вычислять мгновенные значения температуры кристал... 
В статье описана методика расчета параметров выходного фильтра на заданный коэффициент гармоник напряжения на нагрузке. Приведен пример расчета Г-образного LC-фильтра мостового инвертора, реализующего равномерную многократную однополярную широтно-импульсную модуляцию (ШИМ) по синусоидальной функции построения, с применением необходимых формул и иллюстрацией характерных графиков и диаграмм. 
Начало статьи.
Устойчивость полевого транзистора CoolMOS к лавинному процессу
Как и обычные MOSFET, полевые транзисторы CoolMOS устойчивы к лавинному процессу. Но по некоторым характеристикам они отличаются от обычных MOSFET, благодаря необычной структуре дрейфовой области, которая обеспечивает пятикратное уменьшение сопротивления кристалла в открытом состоянии для транзисторов на 600 В. На рис. 12 показано типичное напряжение лавинного пробоя в зависимости от температуры и плотности тока для CoolMOS полевого транзисторов на 600 В. Здесь температурный коэффициент напряжения лавинного пробоя ... 
В статье описаны стандартные методы экспериментального исследования лавинного процесса и проблемы, связанные с ним, в импульсных источниках питания, а также характеристики безопасного режима при лавинных процессах в CoolMOS полевых транзисторах. Показано, что хотя транзисторы серии CoolMOS и не велики по размеру кристалла по сравнению с обычными полевми транзисторами MOSFET, но все же обеспеч... 
Надежность силовых тиристоров, использующихся в режимах включения с повышенными значениями скорости нарастания тока в открытом состоянии diT/dt, во многом определяется электрическими и термическими процессами, происходящими в области первоначального включения (ОПВ). Статистика показывает, что около 50% всех отказов силовых тиристоров в электрических преобразователях напряжения вызваны термическ... 
В преобразователях напряжения важная роль отводится силовым диодам Шоттки. Но если силовые транзисторы и микросхемы постоянно находятся в поле зрения разработчиков полупроводниковых приборов, то технологическому и конструктивному развитию силовых диодов не уделяется должного внимания. Ведущие фирмы не занимаются созданием новых версий силовых диодов, считая эти приборы коммерчески невыгодными. ... 
В данной статье рассмотрены основные характеристики press-pack IGBT фирмы Westcode, показаны возможности построения различных преобразователей на их основе. Предложенный материал является базовой информацией, необходимой для понимания возможностей и задач данной технологии. Стоит отметить, что рассмотренные силовые транзисторы являются первым поколением, серийно освоенным компанией, которая в н... 
отправка...