Перечень статей, опубликованных в журнале «Силовая электроника» в 2018 году

№ 6’2018

Силовая элементная база

Силовые диоды компании Microsemi. Константин Верхулевский. № 1, стр. 5

SiC-диоды Шоттки: снижение потерь в режиме жесткой коммутации. Джим Ричмонд (Jim Richmond). Перевод: Евгений Карташов, Валерия Смирнова. № 1, стр. 12

Малое может иметь большое значение. Кума Юцел (Cuma Yücel). Перевод: Антон Смирнов. № 1, стр. 18

Алюминиевые электролитические конденсаторы с проводящим полимером. Др. Арне Альбертсен. № 2, стр. 4

Исследование стойкости SiC-диодов Шоттки ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» к скорости нарастания обратного напряжения. Николай Брюхно, Владимир Громов, Андрей Демидов, Александр Дракин, Виталий Зотин, Евгений Кульченков, Сергей Рыбалка. № 2, стр. 10

Концепция мощного SiC-модуля со сверхнизкой коммутационной индуктивностью. Петер Бекедаль, Свен Бетоу, Андреас Мол, Мартин Роеблитц, Матиас Спенг (Matthias Spang). Перевод и комментарии: Андрей Колпаков. № 2, стр. 14

Обзор IGBT-драйверов AgileSwitch. Вячеслав Гавриков, Олег Антонов. № 2, стр. 20

Полный карбидкремниевый MOSFET-модуль на 3,3 кВ: новый класс эффективности тяговых инверторов. Виктор Толстопятов, Нильс Солтау, Ойген Виснер, Кенджи Хатори. № 2, стр. 26

Алюминиевые электролитические конденсаторы, или Еще раз про надежность. Владимир Рентюк. № 3, стр. 4

WE-TPB HV — семейство трехфазных дросселей от Würth Elektronik. Вячеслав Гавриков. № 3, стр. 12

Подложки из нитрида кремния как будущее силовой электроники. Манфред Гец (Manfred Goetz). Перевод: Владимир Рентюк. № 3, стр. 16

Технология корпусирования TRENCHSTOP Advanced Isolation: низкое тепловое сопротивление + надежность. Перевод: Владимир Рентюк. № 3, стр. 20

Диоды PEP/CAL — новые поколения чипов SEMIKRON. Мартин Хенсмен (Martin Hansmann), Бернард Кёниг (Bernhard König). Перевод и комментарии: Андрей Колпаков. № 3, стр. 24

Проблемы параллельного соединения SiC MOSFET. Хуан Колменарес (Juan Colmenares), Джесек Рабковски (Jacek Rabkowski), Георг Толстой (Georg Tolstoy). Перевод: Евгений Карташов. № 3, стр. 32

Самовосстанавливающиеся предохранители ECE. Вячеслав Гавриков. № 4, стр. 4

Дешевые варисторы или дорогие TVS-диоды? Владимир Гуревич. № 4, стр. 9

Новые кристаллы и топологии MiniSKiiP для повышения плотности мощности. Стефан Хаузер (Stefan Häuser), Бернард Айчлер (Bernhard Eichler), Томас Хуртген (Thomas Hürtgen), Вернер Обермайер (Werner Obermaier). Перевод и комментарии: Андрей Колпаков. № 4, стр. 16

Семейство драйверов нижнего ключа от Infineon решает критические проблемы заземления в импульсных источниках питания большой мощности. Губерт Байерл (Hubert Baierl). Перевод, исправления и дополнения: Владимир Рентюк. № 4, стр. 20

Позволяя сделать солнечные инверторы меньше, дешевле и надежнее. Девид Джоблинг (David Jobling). Перевод: Евгений Карташев. № 4, стр. 26

Диоды и тиристоры — это очень просто! Часть 5. Управление и защита. Ульрих Николаи (Ulrich Nicolai), Пол Дрекседж (Paul Drexhage), Мартин Реблитц (Martin Roeblitz). Перевод и комментарии: Андрей Колпаков. № 5, стр. 4

Мощные TVS-диоды в корпусе DO-218AB от Taiwan Semiconductor. Ольга Соловьева, Виктор Лымарь. № 5, стр.16

Высоковольтные тиристоры с элементами самозащиты при работе в аварийных режимах. Дмитрий Титушкин, Алексей Сурма, Дмитрий Носов, Игорь Савин. № 5, стр. 18

Обзор силовых модулей SemiPowerex. Вячеслав Гавриков, Дмитрий Солонин. № 5, стр. 22

Некоторые особенности управления GaN-транзисторами. Александр Серяпин. № 5, стр. 26

Современные силовые полупроводниковые приборы компании TECHSEM (TECH Semiconductors). Юрий Петропавловский, Дмитрий Солонин. № 5, стр. 32

RC-IGBT седьмого поколения. М. Такахаши (М.Takahashi), С. Юшида (S.Yoshida), А. Тамерони (A.Tameroni), О. Икава (O.Ikawa). Перевод: Евгений Субботин. № 5, стр. 38

Седьмое поколение IGBT-модулей «Мицубиси Электрик» с блокирующим напряжением 1,7 кВ. Масаоми Миязава (Masaomi Miyazawa), Томас Радке (Thomas Radke), Нарендер Лакшманан (Narender Lakshmanan), Виктор Толстопятов. № 5, стр. 44

Параметры и характеристики IGBT-модулей на напряжение 1200 В при низких температурах. Вячеслав Мускатиньев, Михаил Тогаев, Валентин Мартыненко, Алексей Бормотов. № 5, стр. 48

Поколения драйверов «Электрум АВ». Павел Новиков. № 5, стр. 51

Плавное регулирование параметров электрических цепей. Регулирование индуктивности. Анатолий Коршунов. № 5, стр. 54

Затворный резистор. Часть 1. Павел Новиков. № 6, стр. 4

Ускоряем освоение SiC-технологии в силовой электронике. Гай Мокси (Guy Moxey). Перевод: Евгений Карташов. № 6, стр. 10

Развитие IGBT-модулей от «Электрум АВ». Павел Новиков. № 6, стр. 14

Источники питания

Элементы классификации автономных инверторов и свойства согласованного инвертора с резонансной коммутацией. Часть 4. Евгений Силкин. № 1, стр. 28

Влияние входного фильтра на характеристики импульсных преобразователей постоянного напряжения. Норик Петросян. № 2, стр. 30

Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree. Часть 1. Оценка влияния паразитных элементов. Перевод: Валерия Смирнова. № 2, стр. 34

IGBT-модули. Практическое исследование трехуровневых инверторов, выполненных по гибридной технологии с использованием SiC- и Si-транзисторов. Фабио Бручи, Давид Чиола. Перевод: Владимир Рентюк. № 2, стр. 42

Входные модули компании GAIA Converter для высоконадежных источников питания. Константин Верхулевский. № 3, стр. 44

Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree. Часть 2. Методы минимизации паразитных индуктивностей. Перевод: Евгений Карташов, Валерия Смирнова. № 3, стр. 50

Оптимизация энергетических и функциональных характеристик модулей системы электропитания бортовой РЛС. Анатолий Миронов. № 3, стр. 58

Вспомогательный источник питания мощностью 60 Вт на силовом SiC-ключе 1700 В. Перевод: Владимир Рентюк, Валерия Смирнова. № 4, стр. 30

Двухключевой обратноходовой DC/DC-преобразователь с широким диапазоном входного напряжения и рекуперативным демпфером. Марн-Го Ким (Marn-Go Kim), Янг-Сеок Джанг (Young-Seok Jung). Перевод: Владимир Рентюк. № 4, стр. 37

Системы электропитания с усреднением импульсной мощности. Дейв Берри (Dave Berry). Перевод и адаптация: Олег Негреба. № 4, стр. 44

Источники питания THN 15WIR для железнодорожных приложений. Вячеслав Гавриков, Владислав Филатов. № 5, стр. 60

Система электропитания бортовой авиационной аппаратуры на основе нормализатора напряжения. Анатолий Миронов. № 5, стр. 65

Инвертор 250 кВт на основе SiC силового модуля Wolfspeed с индуктивностью 5,5 нГн. Ти МакНатт (Ty McNutt), Крег Олейничак (Kraig Olejniczak), Дэниель Мартин (Daniel Martin), Гай Моксей (Guy Moxey). Перевод: Евгений Карташев. № 5, стр. 68

Некоторые аспекты организации систем электропитания АФАР. Часть 1. Олег Негреба. № 5, стр. 72

Разработка и испытания ячейки на базе Press-Pack IGBT для многоуровневого преобразователя MMC VSC HVDC ±500 кВ, 3 ГВт. Хуэйфэн Чен (Huifeng Chen). Перевод: Иван Полянский. № 5, стр. 76

Как вполовину уменьшить размеры DC/DC-преобразователя промежуточной шины. Брюс Хауг (Bruce Haug). Перевод и дополнения: Владимир Рентюк. № 6, стр. 18

Некоторые аспекты организации систем электропитания АФАР. Часть 2. Нужно ли усреднять импульсную нагрузку на источник электропитания? Олег Негреба. № 6, стр. 24

Особенности применения унифицированных DC/DC-модулей в системах вторичного электропитания. Анатолий Миронов. № 6, стр. 28

Выбор и сравнительный анализ схем преобразователей для автономных зарядных станций стартерных аккумуляторных батарей. Валерий Поляков. № 6, стр. 32

Повышение ресурса и энергоотдачи многоэлементных аккумуляторных батарей. Виталий Скворцов, Вячеслав Башкиров. № 6, стр. 36

Надежность

Космическое излучение и надежность силовой электроники. Уве Шиллинг (Uwe Schilling), Райнер Вейсс (Rainer Weiss). Перевод и комментарии: Андрей Колпаков. № 1, стр. 54.

К вопросу о методологии оценки надежности силовых полупроводниковых приборов. Вадим Бардин, Денис Пьянзин, Анатолий Брагин. № 6, стр. 46