Вы за SiC или кремний?
Часть 2. Современные тенденции применения SiC-устройств и технологии корпусирования
Это вторая статья, продолжающая цикл из шести статей, в которых будут рассмотрены преимущества и проблемы изготовления и применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). Цель цикла — дать систематизированные общие сведения по этой относительно новой, но уже вполне заслуженно завоевывающей популярность технологии и области ее применения.