В статье описывается новая NF-серия IGBT силовых модулей производства фирмы Mitsubishi Electric. Серия NF выпускается в новых корпусах и по новым технологиям изготовления IGBT — CSTBT (Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor). В статье сравниваются новая структура IGBT-кристалла CSTBT серии NF со стандартной серией Н фирмы Mitsubishi Electric. 
Достоинства силовых ключей, производимых по IGBT технологии, неоспоримы. Высокая плотность тока и хорошая перегрузочная способность, низкие статические и динамические потери, способность работать при напряжении промышленных сетей делают IGBT силовые модули чрезвычайно привлекательными для использования в преобразовательных устройствах широкого диапазона мощности. Это относится и к электропривод... 
Способность самовосстановления после локального пробоя (self-healing) является одним из основных эксплуатационных свойств металлопленочных силовых конденсаторов. Однако, в отличие от газовых или жидких диэлектриков, металлизированная полимерная пленка не способна самостоятельно восстановить свою электрическую прочность. Реализация данного свойства в силовых конденсаторах обусловлена выбором диэ... 
В статье рассмотрены вопросы применения карбид-кремниевых диодов Шоттки в качестве антипараллельных в инверторах с жестким переключением. Приведены экспериментальные результаты измерений составляющих потерь, прогнозы развития данного направления. 
Анализ развития конструктивного исполнения и технологии формирования элементарной ячейки IGBT биполярного транзистора показывает бесперспективность использования эпитаксиального наращивания рабочего слоя для высоковольтных полупроводниковых приборов с напряжением более 800 В. Передовые зарубежные фирмы работают с пластинами с тонким рабочим слоем исходного кремния или непосредственно с тонкими ... 
С появлением мощных биполярных транзисторов IGBT и мощных полевых транзисторов (MOSFET) в области силовых преобразователей, таких, как электропривод переменной частоты и источники бесперебойного питания для компьютеров, произошла революция. Требования компактности, легкости и высокой производительности силовых преобразователей способствовали быстрому развитию этих коммутационных приборов. Однак... 
Последнее время пристальное внимание разработчиков в области силовой электроники сконцентрировано на стремительном развитии последних технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и, в частности, на возможности их использования как недорогой альтернативы мощным полевым транзисторам. В данной статье приводится сравнение динамических характеристик, потерь на переключение и пр... 
В технической литературе по силовой электронике часто можно прочесть заключения авторитетных специалистов о том, что технология IGBT себя изжила, все параметры доведены до физических пределов, значительных улучшений не предвидится. Однако практика последних лет показывает, что как только таких мнений становится достаточно много, обязательно появляется очередная идея, приводящая к новому качеств... 