Применение карбид-кремниевых силовых диодов Шоттки в IGBT-инверторах с жестким переключением

В статье рассмотрены вопросы применения карбид-кремниевых диодов Шоттки в качестве антипараллельных в инверторах с жестким переключением. Приведены экспериментальные результаты измерений составляющих потерь, прогнозы развития данного направления.

Подход к решению проблем разработки планарных структур высоковольтных биполярных транзисторов IGBT

Анализ развития конструктивного исполнения и технологии формирования элементарной ячейки IGBT биполярного транзистора показывает бесперспективность использования эпитаксиального наращивания рабочего слоя для высоковольтных полупроводниковых приборов с напряжением более 800 В. Передовые зарубежные фирмы работают с пластинами с тонким рабочим слоем исходного кремния или непосредственно с тонкими ...

Новые IGBT-транзисторы компании Fuji Electric Device Technology

С появлением мощных биполярных транзисторов IGBT и мощных полевых транзисторов (MOSFET) в области силовых преобразователей, таких, как электропривод переменной частоты и источники бесперебойного питания для компьютеров, произошла революция. Требования компактности, легкости и высокой производительности силовых преобразователей способствовали быстрому развитию этих коммутационных приборов. Однак...

Новая технология РТ IGBT против мощных полевых транзисторов

Последнее время пристальное внимание разработчиков в области силовой электроники сконцентрировано на стремительном развитии последних технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) и, в частности, на возможности их использования как недорогой альтернативы мощным полевым транзисторам. В данной статье приводится сравнение динамических характеристик, потерь на переключение и пр...

Технологии построения силовых модулей IGBT — NPT, Trench, SPT…
Что дальше?

В технической литературе по силовой электронике часто можно прочесть заключения авторитетных специалистов о том, что технология IGBT себя изжила, все параметры доведены до физических пределов, значительных улучшений не предвидится. Однако практика последних лет показывает, что как только таких мнений становится достаточно много, обязательно появляется очередная идея, приводящая к новому качеств...

Силовые модули SEMITOP: 40 кА в 40 кубических сантиметрах

На выставке PCIM, прошедшей в Нюрнберге в мае 2006 года, компанией SEMIKRON были представлены новые компоненты семейства SEMITOP. С их появлением максимальная моторная мощность в инверторном включении для данного класса силовых модулей увеличена более чем в 3 раза. Это стало возможным благодаря тщательной компьютерной проработке тепловых и механических характеристик конструктива SEMITOP 4.

Модули SEMITOP как альтернатива дискретным корпусам ТО

Основные усилия разработчиков компании SEMIKRON направлены на удовлетворение жесточайшим требованиям, предъявляемым к современным компонентам силовой электроники. Прежде всего, это требования по надежности, энергосбережению и электромагнитной совместимости. Компания SEMIKRON известна в первую очередь благодаря своим уникальным разработкам в области силовых компонентов высокой мощности. Однако в...

Силовые модули IGBT серии Mega Power Dual

Корпорация Mitsubishi Electric, лидер в развитии силовых полупроводниковых устройств, представляет новые силовые модули Mega Power Dual IGBT на следующие номиналы: 900 A/1200 В, 1400 A/1200 В и 1000 A/1700 В. Эти устройства основаны на последней технологии кристалла CSTBT. Уникальные преимущества конструкции силовых модулей Mega Power Dual IGBT делают их незаменимыми при производстве высокомощн...

IGBT-модули компании Eupec

В настоящее время Eupec предлагает широкий ассортимент силовых модулей IGBT с различной внутренней конфигурацией, диодные и тиристорные модули. Полная гамма выпускаемой продукции Eupec включает мощные диодные, тиристорные и диодно-тиристорные модули, IGBT модули, драйверы к IGBT модулям, PIM-модули, а также вспомогательные изделия и отладочные платы.

Применение микросхем IXDP630 и IXDP631 для формирования защитной паузы «deadtime» в полумостовых преобразовательных схемах силовой электроники

При разработке силовой преобразовательной техники на основе высокочастотных полумостовых транзисторных элементов значительной проблемой для силовой электроники всегда является обеспечение защиты от сквозных токов. Микросхемы IXDP630 и IXDP631, выпускаемые фирмой IXYS, позволяют сравнительно просто реализовать такую защиту.