Компоненты силовой электроники
Реализация защиты преобразователя частоты на основе динамической тепловой модели IGBT силового модуля

Расчет выходного фильтра ШИМ-инвертора на заданный коэффициент гармоник напряжения на нагрузке

Рассмотрение лавинных процессов в полевых транзисторах серии CoolMOS™ при их использовании в импульсных источниках питания. Часть 2
Перевод: Наджим Хамзин
Владимир Веревкин
Устойчивость полевого транзистора CoolMOS™ к лавинному процессу
Как и обычные MOSFET, полевые транзисторы CoolMOS™ устойчивы к лавинному процессу. Но по некоторым характеристикам они отличаются от обычных полевых транзисторов MOSFET благодаря необычной структуре дрейфовой области, которая обеспечивает пятикратное уменьшение сопротивления кристалла в открытом состоянии для транзисторов на 600 В. На рис. 12 показано типичное напряжение лавинного пробоя в зависимости от температуры и плотности тока для CoolMOS™ полевого транзисторов на 600 В. ...
Рассмотрение лавинных процессов в полевых транзисторах серии CoolMOS™ при их использовании в импульсных источниках питания. Часть 1

Причины отказов силовых тиристоров в режимах включения с высокими значениями скорости нарастания тока в открытом состоянии

Применение субмикронной технологии — путь к созданию высокоэффективных силовых диодов Шоттки

Новые высокоточные press-pack IGBT компании Westcode

Новые высокоэффективные и высоконадежные силовые модули IGBT

О термоциклах и термоциклировании в силовых модулях IGBT
