Интегральный силовой модуль IGBT для трехуровневых инверторов напряжения с повышенной эффективностью преобразования электроэнергии

В статье представлен первый отечественный силовой модуль IGBT трехуровневой топологии, разработанный в ОАО «НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ». Рассмотрены основные электрические и тепловые характеристики устройства.

Сравнение новейших HiPerFET MOSFETs с семейством Super Junction MOSFETs

С выпуском третьего семейства P3 HiPerFET силовых MOSFET компания IXYS установила новую планку параметров этих устройств для средних и высоких частот. Применение новых транзисторов позволит создавать продукты, которые с высокой надежностью и эффективностью способны решить самые современные задачи преобразования высокого напряжения.