«Ответ» на вызовы прогресса

Непрерывный прогресс в области рабочих характеристик силовых полупроводниковых компонентов порождает потребность в соответствующем усовершенствовании технологий корпусирования. Компания Infineon вот уже более двух десятилетий вносит свой вклад в эту эволюцию. Благодаря анонсированному в 2014 г. «Ответу» (The Answer) разработчики теперь могут удовлетворить самые строгие требования к...

CoolSiC MOSFET в приводах: доказанная эффективность

В статье приводятся преимущества силовых SiC-ключей по сравнению с традиционными IGBT в приводных применениях.

Разработка силового модуля для автопрома и сельскохозяйственного транспорта

В статье объясняется причина выдвижения все новых, зачастую противоречивых технических требований, которые необходимо учитывать при разработке новых силовых модулей на базе IGBT для электрооборудования автомобилей массового и коммерческого применения, а также для грузовых автомобилей и сельскохозяйственных транспортных средств.

Интеграция в IPM функции вычисления в реальном времени температуры полупроводникового перехода

Для силовых приборов температура их полупроводникового перехода Tvj является одной из основных технических характеристик в их спецификации, которая накладывает жесткие ограничения на безопасно допустимый уровень выходной мощности, т. е. формирует область безопасной работы силового модуля. С целью достижения максимальной плотности мощности системы ее компоненты проектируются с возможностью работ...

Новая серия IGBT от Infineon Technologies для резонансных инверторов

Дискретные IGBT-транзисторы, благодаря присущей им высокой эффективности, являются наиболее предпочтительными коммутационными элементами импульсных источников питания для современных инверторных индукционных нагревателей, предназначенных для приготовления пищи. Поскольку затраты на энергию продолжают расти, а потребительский спрос на все более компактную бытовую технику, предназначенную для при...

Нормирование теплового сопротивления IGBT:
базовые принципы и некоторые особенности

Выбор модуля IGBT для конкретных условий применения требует анализа его тепловых характеристик с учетом системы охлаждения и оценки их соответствия техническим требованиям, предъявляемым к системе (мощность, температура окружающей среды, профиль нагрузки, срок службы). Для сопоставления тепловых свойств различных силовых ключей необходимо учесть следующие факторы: • особенности конструкции мо...

Первое универсальное интегрированное решение для различных приводов электродвигателей

Компании Infineon Technologies и TDK объединили свои усилия для разработки универсального интегрированного решения для инверторов, которые могут быть с успехом использованы в силовых агрегатах электромобилей и найти применение в широком спектре индустриальных приложений. Предложенная конструкция позволяет разработчикам быстро и легко проверять и реализовывать концепции самых различных приводов ...

Новые MOSFET от Infineon Technologies

В январе текущего года была завершена сделка по приобретению американской компании International Rectifier (IR) крупнейшим немецким производителем силовых полупроводниковых приборов Infineon Technologies AG.

Надежность PressFIT-соединений

Технология прессовой посадки (press-fit) обеспечивает простое и надежное соединение, соответствующее современным требованиям по увеличению рабочей температуры, что позволяет использовать ее в новых силовых полупроводниковых модулях. Эта технология хорошо известна в промышленности, в течение многих лет она широко используется для получения надежного соединения в телекоммуникационных системах и в...

IGBT и MOSFET: основные концепции и пути развития. Часть 2. MOSFET

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны в первую очередь с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произво...