Infineon

Компания Infineon Technologies представляет новые одноканальные драйверы 1EDI EiceDRIVERTMCompact (5 модификаций) для приложений с блокирующим напряжением до 1200 В. Линейка драйверов EiceDRIVERTMCompact теперь полностью укомплектована и может быть использована во всех приложениях для силовых полупроводниковых компонентов с функциональной изоляцией. Гальваническая развязка драйвера основана на технологии трансформатор-без-сердечника; выходной ток увеличен до 6 А. В базовую схему драйверов для IGBT и MOSFET встроена функция, выключающая выход драйвера в случае понижения питающего напряжения ...

Статья рассказывает о новом семействе GenX3 высоко эффективных и простых в управлении дискретных 600-В XPT IGBT (eXtremely rugged eXtremaly light Punch Through), разработанных компанией IXYS. Эти устройстыва были созданы с учетом понимания основных «узких мест» современных транзисторов, способных привести к преждевременному их выходу из строя и рассчитаны на применение в схемах, требующих высок...

Компания Infineon Technologies объявила о выходе на рынок третьего поколения IGBT и диодных модулей с рабочим напряжением 6,5 кВ. В данную линейку входят одиночные ключи, чопперы и диодные модули (два диода). Они изготовлены по новейшим технологиям Trench Field Stop для IGBT и ECD для диодов (Emitter Controlled Diode). Диапазон токов модулей — 250–750 А. Структура канавочного затвора (Trench Gate), используемая Infineon, значительно снижает потери проводимости в IGBT. В сочетании с оптимизированными переключательными характеристиками это позволяет устанавливать новые стандарты в ...

Компания Infineon выпустила новую серию модулей PIM и SixPACK. Они содержат кристаллы IGBT4 с рабочим напряжением 650 В и номинальным током 50-200 А. Модули поставляются в корпусах EconoPIMTM, EconoPACKTM 2 и 3. Технология PressFIT обеспечивает быструю сборку без использования пайки и высочайший уровень надежности. Доступны также версии для пайки. PIM и SixPACK имеют превосходные характеристики и облегчают процесс разработки. Блокирующее напряжение 650 В повышает надежность, а устойчивость к коротким замыканиям в течение 10 мкс позволяет разработчикам использовать недорогие стандартные ...

Новая технология CoolMOS 650V CFD2 задает новые стандарты характеристик высоковольтных мощных полевых МОП-транзисторов с быстродействующим паразитным диодом. Эти устройства сочетают в себе высокое запирающее напряжение (650 В), рекордно низкое R_dson и малые емкостные потери, а также повышенную коммутационную прочность паразитного диода на этапе обратного восстановления, особенно в сх...

Данная статья посвящена рассказу о мощных силовых IGBT-сборках фирмы Infineon серии ModSTACK. Это большое семейство, следующее за PrimeSTACK. Но, в отличие от предшественников, сборки ModSTACK не являются стандартизированными по используемой элементной базе и служат для работы в диапазоне больших мощностей.

Современные IGBT силовые модули находят широкое применение при создании неуправляемых и управляемых выпрямителей, автономных инверторов для питания электроприводов постоянного и переменного тока средней мощности, преобразователей индукционного нагрева, сварочных аппаратов, источников питания и бытовой техники. Особую роль IGBT силовые модули играют в развитии городского и железнодорожного элект...

IGBT силовые модули — традиционные компоненты силовой электроники, которые широко используются во всех отраслях промышленности и бытовой техники. Основные мировые производители этих полупроводниковых компонентов — это ABB, Mitsubishi, Semikron, Infineon Technologies [1]. При этом ABB, Mitsubishi и Infineon производят также и полупроводниковые IGBT и диодные кристаллы для изготовления модулей. В...