Твердотельное реле переменного тока с управлением по интерфейсу RS-485 (MODBUS RTU) от «Протон-Импульс»
Устройства для подвижного ж/д состава и аппаратуры ЖАТ производства ЗАО «Протон-Импульс»
Регулируемые источники питания переменного тока серии ПНБА ООО «НТЦ АКТОР» внесены в Госреестр
Компания «ЛИГРА»приступила к производству охладителей типа О57
Спектрометры Broadcom — обновление серии Qwave
Двунаправленный DC/DC-преобразователь 48S14.250BC от Calex с выходной мощностью 3500 Вт
Наличие встроенного датчика тока в ключевом MOSFET силовом транзисторе позволяет эффективно защищать выходные цепи устройств от перегрузок по току и коротких замыканий. При этом повышается надежность прибора и снижается его стоимость, так как отпадает необходимость в использовании мощных токовых шунтов. В данной статье будут рассмотрены ключевые MOSFET силовые транзисторы с датчиком тока произв... 
В результате быстрого развития технологий мощных полупроводниковых приборов, в первую очередь MOSFET и IGBT, а также устройств управления — драйверов и микроконтроллеров, понятие «схемотехника» как искусство создания принципиальной схемы утратило свое первоначальное значение. Разработчику силового каскада требуется всего лишь грамотно выбрать ключевой элемент и драйвер, пользуясь соответствующи... 
Жесткая конкуренция, существующая в сфере производства компонентов силовой электроники, требует от фирм-производителей постоянного улучшения параметров компонентов, совершенствования технологий, разработки новых поколений элементов с уникальными характеристиками. Этого же требуют и растущие мировые требования по энергосбережению, эффективности и миниатюризации силовых преобразовательных устройс... 
Рассмотрены модели большого сигнала мощных биполярных транзисторов как для приближенного кусочно-линейного, так и для уточненного численного анализа режимов работы силовых транзисторов и процессов в преобразовательных устройствах. Рассмотрены также методики определения параметров передаточной, кусочно-линейной, модифицированной передаточной, PSpice (Гуммеля-Пуна) моделей по справочным данным. 
В первом номере «Силовой электроники» была опубликована статья «Сравнительные экспериментальные исследования силовых модулей IGBT и модулей на основе комбинированных СИТ-МОП силовых транзисторов» [1]. В настоящей статье представлены дальнейшие исследования комбинированных силовых транзисторов в широком диапазоне выходных параметров, в том числе заключительный интервал выключения — стадия протек... 
В статье рассматриваются основные причины отказов мощных IGBT силовых модулей, приводятся технологические методы повышения надежности. Подробно описаны способы обеспечения высоких показателей надежности и методики испытаний, используемые SEMIKRON. 
Компании eupec GmbH и Infineon Technologies AG разработали новую усовершенствованную технологию изготовления силовых диодов, которая улучшает их характеристики при переключении внутри всей области безопасной работы, с названием EmCon-HDR (Emitter Controlled — управляемый по эмиттеру; High Dynamic Robustness — высокая динамическая устойчивость). Новый силовой диод может в 100% случаев заменить д... 
Одна из основных тенденций развития силовой полупроводниковой техники — замена дискретных приборов в герметичных металлостеклянных корпусах на силовые модули, в которых структуры силовых полупроводниковых приборов (СПП) — силовых тиристоров, триаков, силовых транзисторов, силовых диодов и т. д. — монтируются на изолирующем керамическом основании и герметизируются в пластмассовом корпусе. Структ... 
Производство изделий силовой электроники, в особенности силовых модулей, включает четыре основных операции: монтаж кристаллов, их пайку на основание или подложку, ультразвуковую сварку и окончательную сборку/герметизацию. Все эти процессы требуют аккуратного и серьезного подхода. Как показала практика, организовать производство силовой электроники на порядок сложнее, чем, к примеру, участок пов... 
Самым перспективным направлением создания современных силовых транзисторов являются комбинированные биполярно-полевые структуры, сочетающие принцип полевого управления и биполярный механизм переноса тока. Наиболее распространен вариант конструкции, называемый биполярным транзистором с изолированным затвором, или IGBT. Базовая ячейка подобной конструкции показана на рис. 1 и представляет собой с... 
отправка...