
Оценены перспективы разработки технологии создания сквозных разделительных р
+-зон термомиграцией на пластинах кремния больших диаметров. Представлены результаты анализа распределения обратных напряжений U
R на чипах диодов прямой полярности,изготовленных на пластинах Ø76 мм с использованием термомиграции.