Защита от импульсных перенапряжений устройств передачи данных

Современное производство, организованное с помощью системы автоматизированного управления технологическим процессом, подразумевает использование разнообразных электронных устройств управления, связанных между собой посредством различных интерфейсов передачи данных. Условия эксплуатации подобных устройств предъявляют свои требования, которые необходимо выполнить при построении таких систем. Физи...

Расчет с помощью SPICE демпфирующих цепочек для транзисторных ключей преобразователей напряжения

Сложность коммутационных процессов в силовых транзисторных ключах преобразователей напряжения не позволяет рассчитывать аналитически демпфирующие цепи для этих ключей. В статье рассмотрены примеры расчета номиналов компонентов демпфирующих цепей с применением пакета Pspice.

Получение передаточной функции и частотных характеристик противопомехового фильтра преобразователя напряжения.

В статье приводится упрощенная методика получения в символьном виде передаточной функции противопомехового фильтра (ППФ), подключаемого на вход преобразователя напряжения и предназначенного для обеспечения требований по его электромагнитной совместимости (ЭМС) с питающей сетью. Подобные фильтры имеют довольно сложную схему, состоящую из пяти и более реактивных элементов, что вызывает определенн...

Параметрический синтез схемы управления ключевого стабилизатора напряжения

Применение пакетов PSpice (многовариантного анализа) и PSpice Optimizer системы OrCAD позволяет в ряде случаев существенно облегчить схемотехническое проектирование электронных устройств, в том числе ключевых источников питания. В статье рассмотрен пример использования пакетов MathCAD, PSpice и PSpice Optimizer для расчета номиналов компонентов схемы управления ключевого стабилизатора напряжения.

Некоторые аспекты моделирования систем силовой электроники

После публикации в нашем журнале серии статей, посвященных вопросам моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD, авторы получили ряд вопросительных откликов на эти статьи. Вопросы, которые задают авторы писем, являются, на наш взгляд, методологическими и заслуживают обсуждения на страницах журнала. Ответы на некоторые из них не могут быть однозначными, поэтому настоящая статья носит ...

Модификация PSpice-модели магнитного сердечника

Предложена методика определения параметров PSpice-модели магнитного сердечника, позволяющая более точно определить эти параметры по справочным характеристикам. Предложены две модификации PSpice-модели для учета частотных свойств магнитных материалов с помощью постоянного и нелинейного сопротивлений. Дана методика определения параметров этих моделей.

PCIM-2006: будущее начинается сегодня

Стало доброй традицией публиковать в осеннем выпуске журнала «Силовая электроника» отчет о ежегодном специализированном международном форуме PCIM — Power Control Intellectual Motion, проходящем весной в Нюрнберге. Мы предлагаем эту информацию в преддверии российской выставки, которая должна состояться в октябре, поскольку сравнение обоих мероприятий достаточно интересно и дает богатую пищу для ...

Малоизвестные факты из жизни IGBT и FWD. Часть 2. IGBT

IGBT — «рабочая лошадка» современной силовой электроники. Знание особенностей этих полупроводников, некоторые из которых освещены в данной статье, способно помочь проектировщикам при выборе элементов, при расчете параметров схемы .
Статья познакомит читателя с конструкцией, статическими и динамическими параметрами IGBT, процессами включения и выключения IGBT в разных режимах, методикой р...

Интегральный силовой модуль IGBT для трехуровневых инверторов напряжения с повышенной эффективностью преобразования электроэнергии

В статье представлен первый отечественный силовой модуль IGBT трехуровневой топологии, разработанный в ОАО «НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ». Рассмотрены основные электрические и тепловые характеристики устройства.

Сравнение новейших HiPerFET MOSFETs с семейством Super Junction MOSFETs

С выпуском третьего семейства P3 HiPerFET силовых MOSFET компания IXYS установила новую планку параметров этих устройств для средних и высоких частот. Применение новых транзисторов позволит создавать продукты, которые с высокой надежностью и эффективностью способны решить самые современные задачи преобразования высокого напряжения.