SEMiX — новое поколение никзопрофильных силовых модулей IGBT фирмы SEMIKRON

На выставке PCIM-2003, прошедшей в Нюрнберге в мае 2003 года, впервые было представлено новое поколение силовых модулей IGBT SEMIKRON SEMiX, предназначенных для производства высокоэффективных малогабаритных мощных преобразователей. В этом году на PCIM-2004 можно было увидеть новые модификации SEMiX — трехфазный инвертор SEMiX 13 и интеллектуальный силовой модуль на основе модуля SEMiX 3 и новей...

IXYS – высокое качество и надежность компонентов силовой электроники

В настоящее время на российском рынке силовой электроники представлено большое количество западных производителей, многие из которых работают здесь уже более 10 лет. Можно сказать, что этот рынок устоялся. Вместе с тем можно наблюдать некоторый «перекос» предложения в сторону недорогих компонентов, ориентированных на массовое применение, и медленное развитие рынка для ответственных приложений, ...

IR2520 — новые возможности в области разработки электронных балластов

В статье рассматривается микросхема IR2520, а также решения на ее основе, такие как недорогие схемы с коррекцией коэффициента мощности для управления электронными балластами.

Эффективные структуры транспортных каналов генерирования постоянного повышенного напряжения с электротрансмиссионной системой запуска силовых установок

В статье рассмотрены варианты реализации электротрансмиссионных систем запуска транспортных силовых установок с совмещением функций стартера и генератора в единой двухкаскадной синхронной машине с асинхронизированным синхронным возбудителем. Предложены структуры бортовых каналов генерирования постоянного повышенного напряжения, а также комбинированных систем электроснабжения для перспективных т...

Циклонагрузочная способность IGBT силовых модулей ABB серии HiPak

В статье рассматриваются способы определения износостойкости IGBT силовых модулей ABB серии HiPak.

Устранение паразитных колебаний, возникающих при параллельном соединении полевых транзисторов MOSFET

Основная проблема при параллельном включении MOSFET полевых транзисторов — возникновение паразитных колебаний. В статье рассмотрены причины возникновения паразитных колебаний в полевых транзисторах компании Advanced Power Technology, исследованы методы их устранения и доказано, что добавление к базе транзистора индуктивности типа ферритового цилиндра (Ferrite bead) является наиболее оптимальным...

Унифицированная серия драйверов для IGBT силовых модулей

Надежная работа преобразователей частоты и импульсных источников питания на основе IGBT во многом определяется как надежностью применяемых силовых ключей, так и организацией правильного управления и защиты IGBT силовых модулей. Эти функции и обеспечиваются драйверами управления IGBT. В данной статье представлена последняя серия драйверов, разработанных в ОАО «Электровыпрямитель» и применяемых в...

Тиристорный ограничитель напряжения холостого хода сварочного трансформатора типа КЗУСТ

В статье приведены результаты разработки, производства и использования комбинированных защитных устройств сварочного трансформатора типа КЗУСТ. Устройство обеспечивает безопасное выполнение сварочных работ на переменном токе и экономию электроэнергии. За счет высокой чувствительности исключает помеху сварщику при зажигании дуги. КЗУСТ снабжено защитой, а также системой диагностики и измерения с...

Сравнительный анализ эффективности ключевых силовых транзисторов с полевым управлением

В статье рассматривается очередной этап совместной работы специалистов НИЦ СПП ВЭИ и кафедры ПЭ МЭИ по разработке новых силовых транзисторов, собранных по каскодной схеме и управляемых по затвору МОП структурой.

Сравнительные экспериментальные исследования силовых модулей IGBT и модулей на основе комбинированных СИТ-МОП полевых транзисторов

В статье приводятся сравнительные исследования комбинированных полупроводниковых ключей, реализованных на базе IGBT и комбинированного СИТ-МОП полевого транзистора (КСМТ) как полных функциональных аналогов.