Все статьи
Сложность коммутационных процессов в силовых транзисторных ключах преобразователей напряжения не позволяет рассчитывать аналитически демпфирующие цепи для этих ключей. В статье рассмотрены примеры расчета номиналов компонентов демпфирующих цепей с применением пакета Pspice.
Получение передаточной функции и частотных характеристик противопомехового фильтра преобразователя напряжения.
В статье приводится упрощенная методика получения в символьном виде передаточной функции противопомехового фильтра (ППФ), подключаемого на вход преобразователя напряжения и предназначенного для обеспечения требований по его электромагнитной совместимости (ЭМС) с питающей сетью. Подобные фильтры имеют довольно сложную схему, состоящую из пяти и более реактивных элементов, что вызывает определенн...
Параметрический синтез схемы управления ключевого стабилизатора напряжения.
Применение пакетов PSpice (многовариантного анализа) и PSpice Optimizer системы OrCAD позволяет в ряде случаев существенно облегчить схемотехническое проектирование электронных устройств, в том числе ключевых источников питания. В статье рассмотрен пример использования пакетов MathCAD, PSpice и PSpice Optimizer для расчета номиналов компонентов схемы управления ключевого стабилизатора напряжения.
Некоторые аспекты моделирования систем силовой электроники

Модификация PSpice-модели магнитного сердечника

Сравнение новейших HiPerFET MOSFETs с семейством Super Junction MOSFETs

Оптимизация качества источников питания, работающих с динамически меняющейся нагрузкой

Второе поколение SiC MOSFET с повышенной эффективностью и сниженной стоимостью
С тех пор как в январе 2011 года компания Cree анонсировала свои первые транзисторы на основе карбида кремния, технология (SiC) MOSFET стала действенным инструментом повышения эффективности преобразователей до уровня, недостижимого с применением прежних кремниевых приборов. В статье подробно рассмотрены приборы второго поколения, приведены их сравнительные характеристики.
Малоизвестные факты из жизни IGBT и FWD Часть 2. IGBT
IGBT — «рабочая лошадка» современной силовой электроники. Знание особенностей этих полупроводников, некоторые из которых освещены в данной статье, способно помочь проектировщикам при выборе элементов, при расчете параметров схемы .
Статья познакомит читателя с конструкцией, статическими и динамическими параметрами IGBT, процессами включения и выключения IGBT в разных режимах, методикой р...
Статья познакомит читателя с конструкцией, статическими и динамическими параметрами IGBT, процессами включения и выключения IGBT в разных режимах, методикой р...