Все статьи
В преобразователях напряжения важная роль отводится силовым диодам Шоттки. Но если силовые транзисторы и микросхемы постоянно находятся в поле зрения разработчиков полупроводниковых приборов, то технологическому и конструктивному развитию силовых диодов не уделяется должного внимания. Ведущие фирмы не занимаются созданием новых версий силовых диодов, считая эти приборы коммерчески невыгодными. ...
Новые высокоточные press-pack IGBT компании Westcode

Новые высокоэффективные и высоконадежные силовые модули IGBT
В статье описывается новая NF-серия IGBT силовых модулей производства фирмы Mitsubishi Electric. Серия NF выпускается в новых корпусах и по новым технологиям изготовления IGBT — CSTBT (Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor). В статье сравниваются новая структура IGBT-кристалла CSTBT серии NF со стандартной серией Н фирмы Mitsubishi Electric.
О термоциклах и термоциклировании в силовых модулях IGBT

Обеспечение функции самовосстановления металлопленочных силовых конденсаторов
Способность самовосстановления после локального пробоя (self-healing) является одним из основных эксплуатационных свойств металлопленочных силовых конденсаторов. Однако, в отличие от газовых или жидких диэлектриков, металлизированная полимерная пленка не способна самостоятельно восстановить свою электрическую прочность. Реализация данного свойства в силовых конденсаторах обусловлена выбором диэ...
Определение параметров PSpice моделей полевых транзисторов МДПТ и биполярных транзисторов IGBT по экспериментальным характеристикам
В статье описаны методики определения параметров модифицированных PSpice моделей мощных МДП полевых транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT по экспериментальным характеристикам с помощью систем MATHCAD и PSpice Optimizer.
Прижимные IGBT силовые модули StakPak. Новая концепция корпусирования для полупроводниковых приборов силовой электроники
StakPak™ — семейство IGBT словых модулей и силовых диодов компании АВВ Semiconductors в новом модульном корпусе, конструкция которого гарантирует равномерное распределение нагрузки на полупроводниковые чипы при использовании в многоуровневых сборках (стеках).
Применение карбид-кремниевых силовых диодов Шоттки в IGBT инверторах с жестким переключением
В статье рассмотрены вопросы применения карбид-кремниевых диодов Шоттки в качестве антипараллельных в инверторах с жестким переключением. Приведены экспериментальные результаты измерений составляющих потерь, прогнозы развития данного направления.
Подход к решению проблем разработки планарных структур высоковольтных биполярных транзисторов IGBT

Ультраконденсаторы улучшают КПД электромобилей и гибридных автомобилей
Хотя электромобили и гибридные автомобили разрабатываются
уже много лет, они не получили широкого распространения. Некоторые проблемы
аккумулирования и распределения энергии пока так и не нашли успешного
и экономичного решения. Многие из этих проблем связаны с ограничениями,
свойственными батареям — тяжелым, громоздким, с ограниченной скоростью
зарядки и потенциально требующим больших эксплуата...