Стабилизатор напряжения с параметрическим управлением

В подавляющем большинстве систем автоматического управления (САУ) информация и управляющие воздействия — это электрические напряжения и токи, механические линейные и угловые перемещения, световые и электромагнитные сигналы и т. д. В некоторых САУ сигналы и управляющие воздействия изменяют параметры устройства (элемента САУ). Например, электромеханический преобразователь, состоящий из приводного...

Новые подходы к проектированию высоковольтных преобразователей

Одна из наиболее интересных задач в преобразовательной технике — последовательное включение силовых модулей и каскадов, построенных на их основе. Увеличение выходного напряжения является единственным решением для сверхмощных применений, когда исчерпаны возможности параллельного соединения и токовая нагрузка на соединительные шины становится недопустимо высокой. Преимущество многоуровневой топол...

Высоковольтный импульсный регулятор автомобильного класса LM5001-Q1 компании Texas Instruments

В статье приведена структура и дано подробное описание работы микросхемы высоковольтного импульсного регулятора автомобильного класса LM5001-Q1 компании Texas Instruments, а также рассмотрены основные особенности ее применения. Представлены все возможные режимы работы микросхемы, суть способа управления по току и компенсации наклона кривой тока. Объяснены принципы работы схем ограничения тока,...

Выбор полумостового резонансного LLC-преобразователя и MOSFET первичной стороны

Современные источники питания должны отвечать трем основным требованиям: иметь высокую эффективность, высокую плотность энергии и компонентов. В настоящее время все большее применение получают полумостовые LLC-преобразователи благодаря большей эффективности (меньшим коммутационным потерям) и высокой частоте коммутации. Правильный выбор силовых ключей для этих топологий — сложная задача, посколь...

Использование нелинейных структурных динамических моделей импульсных преобразователей постоянного напряжения для расчета статических характеристик

При обосновании нелинейных дискретных структурных динамических моделей импульсных ППН [2] было отмечено, что эти модели не только позволяют рассчитывать процессы в импульсных ППН, но и существенно облегчают расчет и анализ их статических характеристик. Предлагаемая статья посвящена выводу формул для расчета статических характеристик ППН с использованием их нелинейных структурных динамических мо...

Повышающий DC/DC-конвертер в режиме чередования фаз на основе нового поколения карбидокремниевых MOSFET

Появление фотоэлектрических (PV) инверторов и электрических транспортных средств (EV) требует повышения плотности мощности и эффективности преобразователей. Карбид кремния (SiC) является одним из кандидатов, способных удовлетворить эту потребность, поэтому интерес к SiC-технологии в последнее десятилетие непрерывно растет. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства PV-и...

Создание высокоэффективных импульсных источников электропитания на основе квадратичного способа накопления энергии

В статье рассматривается возможность создания высокоэффективных импульсных источников электропитания резонансного накопительного типа. Приведено математическое обоснование возможности реализации подобного рода устройств. Представлены осциллограммы, снятые с действующих образцов, подтверждающие результаты исследований.

IGBT-модули. Практическое исследование трехуровневых инверторов, выполненных по гибридной технологии с использованием SiC- и Si-транзисторов

Трехфазные выходные инверторы, установленные в современных системах солнечных батарей, бесперебойных источниках питания и устройствах преобразования энергии общего назначения, часто основаны на трехуровневых топологиях с использованием кремниевых IGBT. В этой статье демонстрируется потенциал гибридного инвертора, выполненного на базе карбид-кремниевых МОП-транзисторов CoolSiC и кремниевых транз...

Особенности проектирования преобразователей с SiC-модулями Cree.
Часть 1. Оценка влияния паразитных элементов

Паразитные индуктивности силовых коммутационных цепей оказывают большое влияние на выбор и использование модулей SiC MOSFET. Особенное значение имеет режим включения, при котором внутреннее перенапряжение модуля может стать критическим, однако не менее важны вопросы генерации электромагнитных помех (EMI).

Влияние входного фильтра на характеристики импульсных преобразователей постоянного напряжения

В статье с помощью линеаризованной малосигнальной модели рассматривается влияние входных фильтров нижних частот на характеристики импульсных преобразователей постоянного тока (конвертеров). Получены аналитические выражения передаточной функции и выходного напряжения, которые позволяют построить графики Боде и оценить степень воздействия фильтра.