Мощные силовые диоды и силовые тиристоры таблеточной конструкции

Многие годы разработчикам выпрямителей на большие токи до 100 кА и выше требовались мощные силовые диоды, лавинные диоды и силовые тиристоры не только с повышенной стабильностью и низким разбросом параметров, но и с высокой термодинамической устойчивостью корпуса (ТДУ).

Виенна-выпрямитель — трехфазный корректор коэффициента мощности

В статье приводится анализ электромагнитных процессов в Виенна-выпрямителе и сравнение этого типа устройств с активным выпрямителем.

Сравнение новейших HiPerFET MOSFETs с семейством Super Junction MOSFETs

С выпуском третьего семейства P3 HiPerFET силовых MOSFET компания IXYS установила новую планку параметров этих устройств для средних и высоких частот. Применение новых транзисторов позволит создавать продукты, которые с высокой надежностью и эффективностью способны решить самые современные задачи преобразования высокого напряжения.

Малоизвестные факты из жизни IGBT и FWD. Часть 2. IGBT

IGBT — «рабочая лошадка» современной силовой электроники. Знание особенностей этих полупроводников, некоторые из которых освещены в данной статье, способно помочь проектировщикам при выборе элементов, при расчете параметров схемы .
Статья познакомит читателя с конструкцией, статическими и динамическими параметрами IGBT, процессами включения и выключения IGBT в разных режимах, методикой р...

Интегральный силовой модуль IGBT для трехуровневых инверторов напряжения с повышенной эффективностью преобразования электроэнергии

В статье представлен первый отечественный силовой модуль IGBT трехуровневой топологии, разработанный в ОАО «НПО «ЭНЕРГОМОДУЛЬ». Рассмотрены основные электрические и тепловые характеристики устройства.

Второе поколение SiC MOSFET с повышенной эффективностью и сниженной стоимостью

С тех пор как в январе 2011 года компания Cree анонсировала свои первые транзисторы на основе карбида кремния, технология (SiC) MOSFET стала действенным инструментом повышения эффективности преобразователей до уровня, недостижимого с применением прежних кремниевых приборов. В статье подробно рассмотрены приборы второго поколения, приведены их сравнительные характеристики.