
Компания Vishay запустила в производство новые сдвоенные p-канальные MOSFET по технологии TrenchFET Gen III. Предлагаемые изделия имеют сопротивление открытого канала 54 мОм при напряжении затвора 4,5 В и выполнены в корпусе с габаритами 2,05×2,05 мм.
Технические характеристики:
максимальное напряжение затвор-исток 20 В;
диапазон напряжений на затворе ±8 В;
максимальный ток стока 4,5 А;
величина заряда на затворе 9,5 нКл;
диапазон рабочих температур –55…+150 °C.
Области применения: зарядные и нагрузочные ключи для портативных электронных приборов, DC/DC-преобразователи.