Монтаж кристаллов IGBT силовых транзисторов

Исследованы способы монтажа IGBT силовых транзисторов средней мощности пайкой легкоплавкими припоями и показано их влияние на тепловое сопротивление перехода кристалл – корпус, структуру соединений и параметры IGBT силовых транзисторов.

Исследование технологических факторов процесса термомиграции

Термомиграция, или зонная перекристаллизация градиентом температуры — способ, позволяющий создавать в течение сравнительно короткого времени сильно легированные подложечные р+-слои и локальные сквозные р+-области в объеме полупроводникового материала.

Aморфные металлические материалы

Аморфные металлические материалы представляют одну из последних инноваций XX века. По сравнению с кристаллическими материалами они обладают рядом выдающихся магнитных, механических и химических свойств, которые связаны с их аморфной структурой. К достоинству аморфных металлов можно отнести также очень простую схему их производства. Она, как правило, укладывается в две стадии: выплавка сплава и ...

Индукционный нагрев кольцевых стыков труб большого диаметра

Подогрев кольцевых стыков трубопроводов диаметром до 1420 мм с толщиной стенки около 30 мм при сварке производится газовыми горелками, резистивными нагревателями и способом индукционного нагрева. Как правило, трубы снаружи имеют антикоррозионное покрытие, поэтому индукционный нагрев, с помощью которого источники нагрева генерируются непосредственно в стенке трубы, представляется предпочтительным.

Балласт для твердотельных светодиодных осветителей

Вследствие удорожания электрической энергии, ужесточения требований и стандартов по яркости, эффективности и КПД для светодиодов, а также совершенствования технологии их производства, они стали превосходной альтернативой осветителям, построенным на базе ламп накаливания и ламп дневного света. Статья посвящена балластам для твердотельных светодиодных осветителей

Особенности практической реализации формирующих двухполюсников мощных генераторов импульсов

Данная работа завершает цикл статей, в которых рассмотрены схемные решения генераторов мощных импульсов тока с регулируемыми амплитудно-временными параметрами и приведены их основные расчетные соотношения. В предыдущих работах исследованы электромагнитные процессы в мощных генераторах прямоугольных импульсов тока, в которых в качестве накопительных и формирующих цепей в основном используются од...

Разработка систем заряда емкостных накопителей энергии. Часть 3

В статьях, вышедших в № 4 за 2008 год и № 1 за 2009 год, рассмотрены вопросы, связанные с критериями оценки силовых схем заряда емкостных накопителей энергии, выбором классов этих схем, подбором параметров и режимов их работы, критериями их оптимизации и моделированием этих схем. В данной статье продолжается обсуждение вопросов, связанных с разработкой систем заряда емкостных накопителей энергии.

Алгоритмы управления многоуровневыми преобразователями напряжения

Силовая электроника остается, возможно, одной из последних областей техники, где новые схемные решения еще долго будут востребованными, несмотря на кажущуюся простоту конфигураций силовых каскадов. Использование схемотехнических приемов при проектировании мощных преобразователей напряжения до сих пор позволяет создавать устройства с принципиально новыми возможностями. Среди наиболее интересных ...

Одноключевые параллельные инверторы напряжения без постоянной составляющей тока в нагрузке

При использовании современных двухоперационных силовых полупроводниковых вентилей возможно создание мощных преобразователей высокой частоты для электротехнологий на основе одноключевых (quarter-bridge) схем инверторов напряжения с простой параллельной компенсацией реактивности нагрузки.

Применение новой серии P-канальных MOSFET транзисторов компании IXYS

Семейство p-канальных MOSFET-транзисторов компании IXYS обладает всеми основными преимуществами сопоставимых n-канальных MOSFET, такими как очень быстрое переключение, управление с помощью уровня напряжения затвора, простота параллельного соединения и высокая температурная стабильность.