MOSFET-транзисторы в компактном корпусе для SMD-монтажа QFN3333

  Компания NXP Semiconductors анонсировала линейку MOSFET-транзисторов в новом компактном корпусе для SMD-монтажа QFN3333, размером всего 3,3×3,3×1 мм. Линейка транзисторов включает в себя 12 элементов. Транзисторы выполнены по технологии шестого поколения Trench 6 и обладают малым сопротивлением канала RDSon 3,6+ мОм и малым зарядом затвора QGD. Эти устройства рассчитаны на рабочие напряжения (VDS) 30–220 В, ток (ID) до 40 А и рабочий диапазон температур –50…150 °C. Комбинация технологии Trench 6 с компактным корпусом QFN3333 обеспечивает бó льшую надежность транзисторов, позволяет ...