Выбор быстродействующего силового предохранителя для высоковольтных приложений

Современное силовое и энергетическое оборудование является важной частью производственной и жилой инфраструктуры. Подобные изделия проектируются и производятся с расчетом на длительное время эксплуатации, составляющее десятки лет. Поэтому вопрос защиты оборудования и связанной инфраструктуры становится очень важным на всех этапах разработки и эксплуатации. Данная статья должна помочь сделать пр...

Сложности оценки характеристик SiC MOSFET

Широкое распространение SiC MOSFET на рынке силовой электроники еще ограничивается их более высокой стоимостью по сравнению с Si MOSFET, но это, безусловно, временное явление и с развитием SiC-технологии ситуация будет улучшаться. В то же время более перспективные характеристики SiC требуют и более внимательного подхода к проектированию и измерению их параметров в реальных приложениях, чему и у...

Новые IGBT компании IXYS

Компания IXYS предлагает широкий спектр IGBT-ключей для силовых применений. Так, разработчик может выбрать, в зависимости от напряжения, 600-, 650-, 1200-В ключи или, если необходимо, более высоковольтные IGBT — в зависимости от приложения. Благодаря применению XPT-процесса (eXtreme-light Punch-Through) совместно с современной технологией изготовления IGBT компания IXYS смогла достичь низких по...

Press-Pack IGBT для преобразователей большой мощности

Технология Press-Pack IGBT изначально разрабатывалась в качестве решения для приложений большой мощности, где приходится преобразовывать единицы и десятки мегаватт электроэнергии. Выпуск новых Press-Pack IGBT 6,5 кВ позволил существенно расширить потенциальную область применения данной технологии в высоковольтных приложениях за счет снижения числа необходимых компонентов. Высокая надежность и н...

Разработка и испытания ячейки на базе Press-Pack IGBT для многоуровневого преобразователя MMC VSC HVDC ±500 кВ, 3 ГВт

Модульные многоуровневые преобразователи (MMC) для высоковольтных вставок постоянного тока (HVDC) являются популярным направлением как для инженерной проработки и реализации, так и для академических исследований последних лет. Роль основной ячейки для построения данных решений выполняет субмодуль в конфигурации «полумост». Обычно полностью управляемые ключи, применяемые в таких ячейках, выполне...

Выпрямительно-инверторный преобразователь для тягового подвижного состава с высоким коэффициентом мощности в режиме рекуперативного торможения

В настоящее время существует несколько альтернативных технологий производства IGBT и модулей на их основе. В статье рассматриваются Press-Pack IGBT, построенные на основе наиболее перспективной технологии для применения в жестких условиях эксплуатации и обладающие рядом уникальных характеристик.

Эффективный ККМ, выполненный с применением МК по принципу двухфазной модуляции тока.
Сравнение с решением на базе SiC MOSFET

Эффективность мощных (3 кВт и более) AC/DC-преобразователей с корректором коэффициента мощности (ККМ) является важным фактором, который, в свою очередь, зависит от многих аспектов проектирования, включающих отведение тепла, размеры конструкции и принципы охлаждения. Соображения экономики также вносят свой вклад, являясь формой участия конечного заказчика в процессе проектирования. Технологическ...

Результаты испытаний на электровозе новой выпрямительной установки возбуждения на IGBT

В статье приведены результаты эксплуатационных испытаний электровоза переменного тока ВЛ80Р, оборудованного выпрямительной установкой возбуждения на IGBT.

Управляйте электродвигателями с помощью XPT IGBT компании IXYS

Компания IXYS представляет XPT IGBT, новейшее поколение транзисторов с защитой в режиме короткого замыкания, с возможностью параллельного соединения и высокой эффективностью. Новейшие достижения в разработке топологии кристалла и новые технологические процессы позволили создать IGBT с улучшенными характеристиками. Комбинация XPT IGBT с современными Sonic-диодами компании IXYS позволяет получить...

Применение новой серии P-канальных MOSFET транзисторов компании IXYS

Семейство p-канальных MOSFET-транзисторов компании IXYS обладает всеми основными преимуществами сопоставимых n-канальных MOSFET, такими как очень быстрое переключение, управление с помощью уровня напряжения затвора, простота параллельного соединения и высокая температурная стабильность.