Современные продукты компании IXYS.
Обзор силовых IGBT-модулей

В каталоге IXYS 2011 г. представлена продукция в следующих категориях: силовые приборы; микросхемы специального (ASIC) и общего применения; микропроцессоры; мощные ВЧ/СВЧ полупроводниковые приборы; модули и системы; дисплеи; приборы для источников «зеленой» энергии. Перечислим некоторые новые разработки, представленные компанией летом/осенью 2011 г.

Современные силовые полупроводниковые приборы компании TECHSEM (TECH Semiconductors)

В статье рассмотрены особенности силовых полупроводниковых приборов одного из старейших китайских производителей и разработчиков продуктов силовой электроники. Приведены основные характеристики IGBT, тиристоров и диодов большой мощности, а также силовых модулей и сборок различных конфигураций.

Новые MOSFET от Infineon Technologies

В январе текущего года была завершена сделка по приобретению американской компании International Rectifier (IR) крупнейшим немецким производителем силовых полупроводниковых приборов Infineon Technologies AG.

Полупроводниковые технологии: силовые IGBT и MOSFET компании Alpha & Omega

Компания Alpha & Omega Semiconductor (AOS, США) известна как разработчик и производитель высокотехнологичных силовых полупроводниковых приборов, микросхем управления питанием, устройств защиты и силовых модулей. Компания основана в 2000 году выходцами из Китайской Республики (Тайвань) Майком Ф. Чангом (Mike F. Chang) и Юе-Се Хо (Yueh-Se Ho).

Современные IGBT-продукты для силовой электроники компании Infineon

Компания Infineon Technologies AG (г. Нойбиберг, Германия) является одним из крупнейших производителей силовых полупроводниковых приборов, модулей и блоков. Ее продукцию во многих городах России представляют крупные дистрибьюторы электронных компонентов: EBV Elektonik, RUTRONIK, Silica, «Симметрон», ЭФО, PT Electronics. Силовые приборы для промышленных приложений компании предлагает офис продаж...

Новые IGBT-модули большой мощности Mitsubishi Electric и их интеграция с драйверами затворов компании Isahaya Electronics

Интегральные IGBT-модули большой мощности Mega Power Dual (MPD), входящие в серию NF, компания Mitsubishi Electric начала выпускать еще в середине 2000 года. В приборах этой серии использовались IGBT 5-го поколения, выполненные по технологии CSTBT.

Перспективные полевые МОП-транзисторы DTMOS, U-MOS компании Toshiba Semiconductor

Компания Toshiba Semiconductor (TSC), входящая в группу Toshiba Corporation, является одним из крупнейших мировых производителей дискретных полупроводниковых приборов и микросхем. В каталоги компании 2013 г. включены силовые полевые транзисторы средней и большой мощности, IGBT, комбинированные сборки транзисторов и диодов различного типа, а также MOSFET для автомобильных приложений. В категорию...

Силовые модули и радиационно-стойкие компоненты для источников питания компании Intersil

В 2008 г. Компания Intersil подписала окончательное соглашение о приобретении частной компании Zilker Labs, которой принадлежит запатентованная инновационная технология Digital-DC. Эта технология сочетает преобразование энергии с управлением архитектурой, что позволяет интегрировать синхронные импульсные стабилизаторы, адаптивные драйверы полевых транзисторов и цифровые интерфейсы управления в ...

Параметры и особенности современных силовых IGBT- и FRED-модулей корпорации Microsemi

Microsemi являтся лидером в области производства и комплексных поставок компонентов для бортовой электроники сложных систем специального назначения. В настоящее время корпорация предлагает полный спектр полупроводниковых решений для аэрокосмической и военной отраслей, систем безопасности, промышленности, телекоммуникаций и медицинских приложений, а также для альтернативной энергетики. В состав ...

Номенклатура, параметры и применение интеллектуальных силовых модулей компании Fairchild

Статья знакомит с историей компании Fairchild Semiconductor Corporation и с новинками в ассортименте ее продукции.