Датчики тока с цифровым выходом и сигма-дельта преобразованием

Компания LEM анонсировала выпуск датчика тока прямого усиления (Open Loop, O/L) на основе эффекта Холла, содержащий аналого-цифровой преобразователь, выполненный на встроенном сигма-дельта модуляторе, формирующем последовательный 1-битовый выходной сигнал. Такое техническое решение особенно подходит для компактных датчиков, поскольку требует минимального количества выходных контактов. Кроме тог...

Силовые SiC-модули для высоковольтных приложений

Разработка силовых приборов с высоким рабочим напряжением (6,5 кВ и выше) позволила передавать большую мощность при заданном токе и уменьшить количество ключей, необходимых для реализации данных величин напряжения в многоуровневых преобразователях. Силовые приборы на основе карбида кремния имеют значительно большее блокирующее напряжение (до десятков киловольт), более высокие частоты коммутации...

Силовая электроника в гибридном приводе с топливными элементами.
Часть 5. Результаты исследований

В данной статье приводятся результаты исследований двухпотоковой и трехпотоковой трансмиссии, полученные при моделировании рабочего цикла, описанного в предыдущей части.

Улучшение качества электроэнергии и снижение уровня гармоник

Все чаще встречается растущее число нагрузок, имеющих нелинейную характеристику тока, что создает гармонические искажения в сети и значительно ухудшает качество электроэнергии. Компания EPCOS представляет PQSine — активный фильтр гармоник, способный эффективно подавлять нежелательные гармоники.

Оценка стойкости диодов Wolfspeed SiC Шоттки к dV/dt с помощью генератора импульсов на основе лавинного транзистора

В данной работе дано описание скоростного высоковольтного генератора импульсов, используемого для оценки стойкости карбидокремниевых диодов компании Wolfspeed к dV/dt. Разработка схемы и конструкции, а также измерение характеристик высокоскоростного генератора импульсов будут описаны вместе с оценкой стойкости к dV/dt SiC-диодов Шоттки с напряжением 600 и 1200 В.

Повышающий DC/DC-конвертер в режиме чередования фаз на основе нового поколения карбидокремниевых MOSFET

Появление фотоэлектрических (PV) инверторов и электрических транспортных средств (EV) требует повышения плотности мощности и эффективности преобразователей. Карбид кремния (SiC) является одним из кандидатов, способных удовлетворить эту потребность, поэтому интерес к SiC-технологии в последнее десятилетие непрерывно растет. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства PV-и...

SiC-диоды Шоттки: снижение потерь в режиме жесткой коммутации

Замена кремниевых сверхбыстрых (Ultrafast) Si-диодов с плавной характеристикой восстановления, используемых в качестве оппозитных IGBT в режиме жесткой коммутации, на карбидокремниевые диоды Шоттки (SiC Schottky) позволяет снизить коммутационные потери в диоде на 80% и в IGBT на 50%.

Преимущества нового поколения SiC MOSFET в системах высокой мощности

Появление фотооптических инверторов (PV) и электромобилей (EV) обусловило растущие требования по повышению плотности мощности и эффективности силовых преобразователей. Карбид кремния (SiC) является основным кандидатом для решения этой задачи, поэтому он остается объектом растущего интереса в течение последнего десятилетия. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства прео...

Создание карбида кремния.
Повышение плотности мощности и эффективности

Процесс изготовления SiC-подложек подробно описан в первой части статьи («Силовая электроника», №4'2017, с. 4), возможные структуры SiC-приборов были предметом обсуждения во второй части («Силовая электроника», №5'2017, с. 14). Третья часть серии статей посвящена особенностям готовой продукции.

Создание карбида кремния.
Структура ячеек и производственный процесс

В первой части статьи был описан процесс изготовления пластин карбида кремния (SiC) начиная с производства сырья (порошок SiC) до получения так называемых «эпи-полированных» (epi-ready) подложек. Во второй части рассматриваются возможные типы SiC-приборов, особое внимание уделяется различным вариантам структур, включая SiC-диоды Шоттки (SBD), планарные SiC-MOSFET и двойные Trench MOSFET. Показа...