Источники питания (ИП) на DIN-рейке играют важную роль в промышленных применениях, но им редко уделяется достаточно внимания, несмотря на то, что отказ ИП может привести к остановке производства и, соответственно, к существенным финансовым затратам. Таким образом, качество ИП является одним из основных параметров при выборе данного прибора.

Считая совершенно очевидной важность правильно разработанной в области (в данном случае, инверторной преобразовательной техники) терминологии, в настоящей статье мы делаем попытку наметить решения этой задачи [1]. Автономные (или независимые) инверторы следует разделять на инверторы тока, инверторы напряжения и согласованные [2-10] инверторы. Согласованные инверторы имеют внутренний (собственны...

11 июня, в 11.00, состоится вебинар на тему «Экранирующие материалы». Речь пойдет о типах экранирующих материалов, специфике их использования и применения в реальных проектах. Будут подробно рассмотрены особенности и физические свойства материалов, которые являются причиной эффективного экранирования, а также будут обсуждаться решения, существующие сегодня на рынке электронных компонентов, и нюансы их использования в зависимости от узлов установки, типичные ошибки и особенности установки в устройства. Специалисты компании проведут сравнение эффективности экранирующих материалов с решениями ...

Применение феррозондовых технологий в датчиках, предназначенных для точного измерения тока, хорошо известно. Для повышения точности до уровня, превышающего возможности существующих сенсоров, нужны новые идеи. В статье приведен краткий обзор феррозондовых измерителей тока. Показано, как усовершенствование существующей архитектуры датчиков позволило разработать новое семейство сенсоров с улучшенн...

В связи с проведением мероприятий по предупреждению распространения новой коронавирусной инфекции COVID-19 на территории Российской Федерации организационный комитет IX Всероссийской научно-технической конференции «Электромагнитная совместимость — 2020» принял решение о переносе дат проведения. IX Всероссийская научно-техническая конференция «Электромагнитная совместимость» пройдет 6–7 августа 2020 года в парк-отеле «Свежий ветер». АО «ТЕСТПРИБОР» совместно с АО «Концерн «Радиоэлектронные технологии» (КРЭТ), АО «Российская электроника», ФГУП МНИИРИП, с участием ФГУП ВНИИФТРИ, приглашает ...

Особенностям параллельной работы силовых ключей посвящены многие публикации, в частности, этот вопрос подробно рассмотрен в [2]. В данной статье проводится анализ распределения токов IGBT при использовании двух концепций управления затворами — «индивидуальной» (независимый драйвер на каждом модуле) и «центральной» (один мощный драйвер для всех параллельных ключей).

Повышение эффективности путем использования высоковольтных SiC-диодов в повышающих преобразователях ККМ может применяться для увеличения выходной мощности и частоты переключения с целью снижения габаритов изделия или повышения его надежности. В то же время использование SiC-диодов Шоттки позволяет уменьшить EMI.

Компания GAIA Converter представила входной фильтр электромагнитных помех FGDS-12A-100V, предназначенный для применения в высоконадежных источниках питания с максимальным выходным током 12 А. Использование модульного подхода при создании источника питания позволяет подобрать экономически целесообразное для конкретного устройства решение, исходя из области применения и действующих ограничений, регламентирующих допустимые типы и уровни паразитных воздействий. Входные фильтры FGDS-12A-100V рекомендованы компанией GAIA Converter для обеспечения требований по электромагнитной совместимости ...

Карбид кремния (SiC) является довольно молодым материалом в истории полупроводниковой промышленности по сравнению с кремнием (Si) или арсенидом галлия (GaAs), однако его истоки восходят к концу XIX в. В 1891 г. Эдвард Ачесон (Edward Acheson) разработал способ получения кристаллического SiC в качестве абразивного материала, и этот метод используется до сих пор. Первые минералогические исследован...

Мощные полевые МОП-транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) и биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) являются одними из основных элементов современной силовой электроники и используются для коммутации больших токов и напряжений. Для согласования низковольтных логических управляющих сигналов контроллера с уровнями у...