Многоуровневые преобразователи: схемы, особенности применения, алгоритмы управления. Часть 2

Материал продолжает цикл статей, начатый в журнале «Силовая электроника» № 1’2019. В первой части статьи рассматривались основные топологии средневольтовых (MV) преобразователей, а также особенности силовых полупроводниковых ключей, предназначенных для MV-применений.

Многоуровневые инверторы напряжения в прецизионном сервоприводе

Современный прецизионный сервопривод комплексов высокоточных оптических измерений строится по структуре безредукторного (прямого) привода на основе высокомоментных вентильных двигателей с возбуждением постоянными магнитами (ВД). Это обеспечивает возможность регулирования координат движения в широком диапазоне, а также высокую надежность привода в предельно жестких условиях эксплуатации. В качес...

AC/DC-источники питания и DC/DC-преобразователи компании P-DUKE Power

Благодаря высокой надежности, повторяемости рабочих характеристик и простоте использования все большее число преобразователей напряжения переменного и постоянного тока выпускаются в модульном исполнении. Устройства данного типа входят в ассортимент продукции многих известных производителей, в частности, свою линейку предлагает компания P-DUKE Power. Обладающие широкими функциональными возможнос...

Математическая модель асинхронного короткозамкнутого двигателя, управляемого токами статора

Модель построена при допущении замены «беличьей клетки» ротора замкнутыми рамками, образованными ее диаметрально противоположными стержнями, и питания статора от управляемого трехфазного генератора тока. Показано наличие пульсирующей составляющей вращающего момента одиночной рамки и компенсация ее у нескольких равномерно распределенных по ротору рамок. Исследовано влияние числа рамок на вращающ...

Повышая скорость: SiC-модули Mitsubishi Electric

Во втором номере журнала «Силовая электроника» 2018 года была опубликована статья о новейшей разработке компании на то время — полумостовых модулях напряжением 3,3 кВ на основе карбида кремния (SiC), рассчитанных на тяговые применения [1]. Сейчас, всего год спустя, технологии в области SiC продвинулись существенно дальше — завершается разработка кристаллов на 6,5 кВ. В данной статье представлен...

Мощные IGBT-модули Dynex для диапазона напряжений 3,3–6,5 кВ

Динамически меняющийся рынок силовой электроники демонстрирует все возрастающую потребность в эффективных, надежных и энергоемких системах, предназначенных для самых различных отраслей промышленности. Спрос на такие системы побуждает разработчиков и конструкторов максимально быстро внедрять новые технологии преобразователей энергии и управляемых приводов, выполненных на основе IGBT-модулей. Ком...

К синтезу одноконтурной системы управления двухтактным импульсным преобразователем

Анализируются структуры и функционирование систем управления двухтактным импульсным преобразователем, реализованных на серийных микросхемах с невысокой степенью интеграции.

Исследование устройств преобразовательной техники на кондуктивную помехоэмиссию с использованием LTSpice

В предыдущей части был обоснован выбор программного обеспечения LTSpice фирмы Linear Technology для адекватного моделирования кондуктивной помехоэмиссии. Данная статья посвящена моделированию кондуктивной помехоэмиссии в одноключевых преобразователях напряжения. Показано влияние паразитных параметров активных элементов схемы на достоверность расчетов уровня помехоэмиссии электронных устройств, ...

Взгляд на обеспечение требований по ЭМС со стороны блоков питания

Электромагнитные помехи (ЭМП) всегда являются потенциальной проблемой для импульсных источников питания, причем в силу самой их природы преобразования энергии. Это проблема касается как преобразования напряжения переменного тока в напряжение постоянного тока (AC/DC), так и напряжения постоянного тока в напряжение постоянного ток (DC/DC). Современные решения преобразователей могут хорошо работат...

Особенности управления SiC MOSFET

Широкое внедрение SiC-технологии ограничено не только высокой стоимостью, но и рядом технических особенностей. Замена традиционных типов кремниевых транзисторов на карбидокремниевые достаточно сложная задача, поэтому необходим тщательный анализ целесообразности использования SiC-ключей в каждом конкретном устройстве. По затворным характеристикам SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученны...