Современные микросхемы для привода шаговых двигателей фирмы ROHM Semiconductor
Фирма ROHM предлагает достаточно широкую номенклатуру микросхем,
предназначенных для привода биполярных шаговых двигателей с постоянными
магнитами и биполярных гибридных шаговых двигателей различного типа
(БШД). Однако многие из этих микросхем могут использоваться и для привода
униполярных шаговых двигателей (УШД), эта возможность определяется
конкретным их исполнением. Поэтому перед рассмотрен...
SKYPER 42 — развитие концепции ядра
Устройство управления IGBT является одним из самых ответственных узлов силовой
секции преобразователя, в значительной степени определяющим надежность
и эффективность работы всей системы. Стремясь к максимальной унификации
схемы и конструкции, ведущие производители драйверов (CT"Concept, SEMIKRON)
пришли к идее «ядра» — универсального модуля управления затворами.
Коммутационные параметры силовых полупроводниковых приборов, характеризующие их переключение из проводящего в непроводящее состояние
Рассмотрены коммутационные параметры, характеризующие переключение
силовых полупроводниковых приборов из проводящего состояния в непроводящее
(их выключение) под действием импульса обратного напряжения. Предложена
математическая модель, описывающая зависимость этих параметров от силы
прямого тока и скорости его спада перед выключением. Описаны разработанные
на основе экспериментальных данных ал...
Быстрые IGBT: возможности и проблемы
Повышение скорости коммутации силовых полупроводников необходимо
для снижения уровня динамических потерь. Преобразователи высокой мощности,
как правило, состоят из большого количества параллельных силовых ключей,
коммутирующих тысячи ампер и работающих при напряжении DC-шины
в киловольтовом диапазоне. Рассеяние возникающих при этом потерь мощности
является одной из важнейших задач разработчиков...
Основы устройства и применения силовых МОП-транзисторов (MOSFET)
В статье рассказывается об основах устройства силовых МОП-транзисторов (MOSFET). Рассматриваются различные типы и страктуры МОП-транзисторов, технологии их изготовления. Также приводятся основные способы и принципы применения МОП-транзисторов в силовых устройствах.
Сравнить несравнимое, сопоставить несопоставимое…
В журнале «Электронные компоненты» была опубликована статья «Контрольная точка, или об умении читать datasheet между строк», посвященная особенностям нормирования параметров модулей IGBT и их зависимости от способа измерения физических характеристик компонентов. Материал вызвал оживленные отклики и многочисленные дискуссии, которые продолжаются до сих пор. Однако авторы выну...
Определение параметров уравнительного реактора в 12-пульсных преобразователях напряжения
В статье рассматриваются теоретические вопросы определения параметров уравнительного реактора в 12–пульсных преобразователях напряжения и дан пример расчета.
Двигатель для электропривода — выбор мощности, вида, типа и метода управления
В мире ежегодно выпускается порядка семи миллиардов электродвигателей. Они потребляют около 70% общего количества произведенной электроэнергии. Поэтому в настоящее время остро стоит задача оптимального управления электродвигателями не только с технологической точки зрения, но и с точки зрения экономии электроэнергии. Цель данной работы — показать читателю, как правильно выбрать мощность, вид, т...
Многоуровневые автономные инверторы для электропривода и электроэнергетики
В данной статье рассмотрены схемотехнические возможности повышения выходного напряжения многоуровневых автономных инверторов, применяемых в электроприводе и электроэнергетике, в условиях ограниченного максимально допустимого напряжения силовых полупроводниковых ключей.
Методы активного управления драйверами для MOSFET транзисторов
В статье представлены два метода и устройства на их основе для активного управления мощных MOSFET транзисторов, работающих в ключевом режиме. Поставленные цели: уменьшение динамических потерь энергии при управлении главными элементами, ограничение электромагнитного излучения, исключение необходимости использования защитных RC-цепей и повышение надежности эксплуатации мощных MOSFET транзисторов....
