Коммутационные параметры силовых полупроводниковых приборов, характеризующие их переключение из проводящего в непроводящее состояние

Рассмотрены коммутационные параметры, характеризующие переключение силовых полупроводниковых приборов из проводящего состояния в непроводящее (их выключение) под действием импульса обратного напряжения. Предложена математическая модель, описывающая зависимость этих параметров от силы прямого тока и скорости его спада перед выключением. Описаны разработанные на основе экспериментальных данных ал...

Быстрые IGBT: возможности и проблемы

Повышение скорости коммутации силовых полупроводников необходимо для снижения уровня динамических потерь. Преобразователи высокой мощности, как правило, состоят из большого количества параллельных силовых ключей, коммутирующих тысячи ампер и работающих при напряжении DC-шины в киловольтовом диапазоне. Рассеяние возникающих при этом потерь мощности является одной из важнейших задач разработчиков...

Основы устройства и применения силовых МОП-транзисторов (MOSFET)

В статье рассказывается об основах устройства силовых МОП-транзисторов (MOSFET). Рассматриваются различные типы и страктуры МОП-транзисторов, технологии их изготовления. Также приводятся основные способы и принципы применения МОП-транзисторов в силовых устройствах.

Сравнить несравнимое, сопоставить несопоставимое…

В журнале «Электронные компоненты» была опубликована статья «Контрольная точка, или об умении читать datasheet между строк», посвященная особенностям нормирования параметров модулей IGBT и их зависимости от способа измерения физических характеристик компонентов. Материал вызвал оживленные отклики и многочисленные дискуссии, которые продолжаются до сих пор. Однако авторы выну...

Определение параметров уравнительного реактора в 12-пульсных преобразователях напряжения

В статье рассматриваются теоретические вопросы определения параметров уравнительного реактора в 12–пульсных преобразователях напряжения и дан пример расчета.

Двигатель для электропривода — выбор мощности, вида, типа и метода управления

В мире ежегодно выпускается порядка семи миллиардов электродвигателей. Они потребляют около 70% общего количества произведенной электроэнергии. Поэтому в настоящее время остро стоит задача оптимального управления электродвигателями не только с технологической точки зрения, но и с точки зрения экономии электроэнергии. Цель данной работы — показать читателю, как правильно выбрать мощность, вид, т...

Многоуровневые автономные инверторы для электропривода и электроэнергетики

В данной статье рассмотрены схемотехнические возможности повышения выходного напряжения многоуровневых автономных инверторов, применяемых в электроприводе и электроэнергетике, в условиях ограниченного максимально допустимого напряжения силовых полупроводниковых ключей.

Методы активного управления драйверами для MOSFET транзисторов

В статье представлены два метода и устройства на их основе для активного управления мощных MOSFET транзисторов, работающих в ключевом режиме. Поставленные цели: уменьшение динамических потерь энергии при управлении главными элементами, ограничение электромагнитного излучения, исключение необходимости использования защитных RC-цепей и повышение надежности эксплуатации мощных MOSFET транзисторов....

Школа MATLAB. Урок 5. Анализ свойств устройств силовой электроники в частотной области

Любой разработчик силовой электроники знает, насколько сложным является этап выбора компонентов для силового каскада и расчета режимов их работы. Сложность выбора компонента заключается в том, что желательно максимально использовать его мощностные характеристики и при этом не выйти за пределы области безопасной работы. Специализированное программное обеспечение MATLAB, позволяющее упростить про...

Сборка и монтаж мощных транзисторов в корпусе SMD-2

Исследованы способы сборки и монтажа мощных транзисторов в корпусах типа SMD, предназначенных для электронных модулей силовой электроники.