Рассмотрены коммутационные параметры, характеризующие переключение
силовых полупроводниковых приборов из проводящего состояния в непроводящее
(их выключение) под действием импульса обратного напряжения. Предложена
математическая модель, описывающая зависимость этих параметров от силы
прямого тока и скорости его спада перед выключением. Описаны разработанные
на основе экспериментальных данных ал...
Быстрые IGBT: возможности и проблемы
Повышение скорости коммутации силовых полупроводников необходимо
для снижения уровня динамических потерь. Преобразователи высокой мощности,
как правило, состоят из большого количества параллельных силовых ключей,
коммутирующих тысячи ампер и работающих при напряжении DC-шины
в киловольтовом диапазоне. Рассеяние возникающих при этом потерь мощности
является одной из важнейших задач разработчиков...
Сравнить несравнимое, сопоставить несопоставимое…
В журнале «Электронные компоненты» была опубликована статья «Контрольная точка, или об умении читать datasheet между строк», посвященная особенностям нормирования параметров модулей IGBT и их зависимости от способа измерения физических характеристик компонентов. Материал вызвал оживленные отклики и многочисленные дискуссии, которые продолжаются до сих пор. Однако авторы выну... Двигатель для электропривода — выбор мощности, вида, типа и метода управления
В мире ежегодно выпускается порядка семи миллиардов электродвигателей. Они потребляют около 70% общего количества произведенной электроэнергии. Поэтому в настоящее время остро стоит задача оптимального управления электродвигателями не только с технологической точки зрения, но и с точки зрения экономии электроэнергии. Цель данной работы — показать читателю, как правильно выбрать мощность, вид, т... Многоуровневые автономные инверторы для электропривода и электроэнергетики
В данной статье рассмотрены схемотехнические возможности повышения выходного напряжения многоуровневых автономных инверторов, применяемых в электроприводе и электроэнергетике, в условиях ограниченного максимально допустимого напряжения силовых полупроводниковых ключей.
Методы активного управления драйверами для MOSFET транзисторов
В статье представлены два метода и устройства на их основе для активного управления мощных MOSFET транзисторов, работающих в ключевом режиме. Поставленные цели: уменьшение динамических потерь энергии при управлении главными элементами, ограничение электромагнитного излучения, исключение необходимости использования защитных RC-цепей и повышение надежности эксплуатации мощных MOSFET транзисторов.... Школа MATLAB. Урок 5. Анализ свойств устройств силовой электроники в частотной области
Любой разработчик силовой электроники знает, насколько сложным является этап выбора компонентов для силового каскада и расчета режимов их работы. Сложность выбора компонента заключается в том, что желательно максимально использовать его мощностные характеристики и при этом не выйти за пределы области безопасной работы. Специализированное программное обеспечение MATLAB, позволяющее упростить про... Сборка и монтаж мощных транзисторов в корпусе SMD-2
Исследованы способы сборки и монтажа мощных транзисторов в корпусах типа SMD, предназначенных для электронных модулей силовой электроники.


