Быстрые силовые диоды для новых поколений IGBT

Растущие требования по повышению мощности и эффективности преобразовательных устройств приводят к постоянному совершенствованию технологий силовой электроники. В 2007 году компания SEMIKRON анонсировала выпуск 4-го поколения силовых модулей IGBT, отличающихся пониженным уровнем динамических потерь и расширенным температурным диапазоном [1]. Для того чтобы получить максимальный эффект от примене...

Плeночные конденсаторы AVX / ТРС для преобразовательной техники

В нашей стране назрела необходимость замены изношенного подвижного состава. В связи с этим весьма актуален вопрос разработки и производства тяговых преобразователей и преобразователей собственных нужд для железнодорожного транспорта. В данной статье приводится краткий обзор плeночных силовых конденсаторов производства компании AVX / TPC как основной составляющей элементной базы преобразовательн...

Сравнительная характеристика способов монтажа кристаллов MOSFET

Исследованы способы монтажа MOSFET силовых транзисторов средней мощности эвтектической пайкой, пайкой легкоплавкими припоями, клеевой композицией и показано их влияние на тепловое сопротивление перехода кристалл–корпус, структуру соединений и выход годных изделий.

Монтаж корпуса DirectFet

Сложности, возникающие при проектировании печатных узлов с применением корпуса DirectFET, связаны с монтажом / демонтажом, пайкой, выбором температурного профиля, расчетом и установкой радиатора в изделии. В данной статье рассмотрены проблемы, возникающие при проектировании печатных плат с применением корпуса DirectFЕТ компании International Rectifier.

Проектирование регулируемых тиристорных преобразователей повышенной частоты

В статье приводятся результаты проектирования тиристорных преобразователей сетевого напряжения 3Ч380 В 50 Гц в однофазный ток частотой 5–22 кГц, на основе несимметричных тиристорных автономных инверторов тока мощностью 120–40 кВт с промежуточным уровнем источника нерегулируемого напряжения 510 В. В выходную цепь инвертора включается высокочастотный трансформатор с сердечником из трансформаторно...

Методы регулирования и стабилизации тока нагрузки сварочных инверторов

Статья представляет собой обзор публикаций, посвященных особенностям организации управления током нагрузки сварочных выпрямителей инверторного типа с учетом специфики различных сварочных процессов.

Структурные динамические модели и частотный метод синтеза двухконтурных систем управления импульсными преобразователями напряжения

Освоение производства современных конкурентоспособных устройств силовой электроники требует тщательной научной проработки их основных узлов с целью оптимизации не только силовой части, но и замкнутых систем управления ими. Зачастую оптимизация замкнутых систем управления, ориентированная на использование современной микроэлектронной элементной базы, дает в плане улучшения основных характеристик...

ОАО «Электровыпрямитель» расширяет производство IGBT силовых модулей

В статье представлено семейство IGBT силовых модулей, выпускаемых ОАО «Электровыпрямитель», описываются ход развития производства и способы обеспечения качества этих изделий.

Качественный контроль электроцепей, контактов и поверхностей благодаря измерению малых сопротивлений

Независимо от сферы деятельности, будь то автомобильная, железнодорожная или авиационная промышленность, химическая индустрия или просто профилактическое обслуживание или ремонт электрооборудования, измерение малых сопротивлений — это реальная потребность, когда речь идет о состоянии контактов, токопроводящих элементов и металлизированных покрытий, качестве паяных и сварных соединений.

Разработка технологии изготовления металлических подложек для мощных микросхем и силовых сборок

В последнее время интенсивно развивается новое направление электроники — силовая электроника, включающая интеллектуальные, или «разумные» схемы, а также модульные сборки на основе мощных биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), мощных МОП полевых и СИТ-транзисторов [1, 2, 3]. Для пользователей и разработчиков силовой электроники транзисторный модуль IGBT представляет собой, преж...