Микропроцессорные программируемые системы управления для сварочных машин группы А
Современные требования к качеству сварных соединений для изделий металлургической, авиационной, автомобильной и других высокотехнологичных отраслей промышленности, кроме обязательной аттестации персонала, оборудования и приборов, включают, как правило, еще и требования по обязательному контролю, диагностике и визуализации состояния оборудования и технологических параметров во время выполнения с...
Недорогие источники питания для работы в экстремальных условиях окружающей среды
Широко известно, что разработка источника питания для работы в экстремальных условиях окружающей среды — весьма непростая задача. Источник питания должен работать в условиях высокой температуры и повышенной влажности, соответствовать стандартам ЭМИ и безопасности, а также строгим стандартам энергосбережения.
Повышение эффективности электротехнических устройств как аспект стратегии энергосбережения
В статье рассматриваются вопросы повышения эффективности электротехнических устройств как аспекта стратегии энергосбережения. Рассматриваются разработки и вопросы внедрения устройств полупроводниковых преобразователей с применением схем активной коррекции коэффициента мощности.
Электронная компонентная база силовых устройств. Часть 3
Продолжение. Начало в № 5’2009. Рассмотрены применяемые в настоящее время полупроводниковые силовые компоненты: полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Особое внимание уделено интегрированным силовым модулям (IPM). Сделан обзор компонентов и отечественного, и зарубежного производства.
Новые отечественные высоковольтные p-i-n GaAs-диоды
В статье сделан обзор новых отечественных высоковольтных p-i-n GaAs-диодов. Поднимаются вопросы введения инноваций в энергетике в России, снижения потерь электроэнергии.
Тепловой расчет СИТ-транзисторов и узлов силовых модулей с их применением. Часть 1
В настоящей работе приведены результаты расчетов и исследований мощных ключевых транзисторных сборок, составляющих основу силовых модулей, выполненных с использованием СИТ с модулируемой проводимостью канала. Произведен расчет теплового сопротивления и допустимой максимальной рассеиваемой мощности проектируемых приборов. Сравниваются расчетные и экспериментальные данные.
Использование встроенного NTC-резистора для измерения температуры IGBT-модулей
В статье описаны особенности использования встроенного в силовой модуль терморезистора с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (NTC-резистора) для измерения температуры; рассмотрены аспекты изоляции измерительной цепи от высокого напряжения, связь сопротивления NTC с температурой перехода кристаллов IGBT; приведены примеры практической реализации схемы измерений.
Силовые сборки фирмы Infineon
За последние годы среди разработчиков устройств силовой электроники стали очень популярными силовые сборки — интегрированные системные решения от производителей силовых полупроводниковых приборов (далее — п/п приборы) на основе собственной силовой элементной базы. В данной статье рассказывается о семействе силовых сборок PrimeSTACK.
Применение интегральных силовых модулей DIP-IPM серий Ver. 3, Ver. 3,5 фирмы Mitsubishi Electric
В предыдущей статье были рассмотрены номенклатура и основные параметры интегральных силовых модулей серий Ver. 3, Ver. 3,5, Ver. 4, 1200 В фирмы Mitsubishi Electric. Номенклатура модулей в каталогах фирмы 2010 г. не претерпела существенных изменений. Предметом рассмотрения настоящей статьи являются особенности применения интегральных модулей третьей серии, руководство по применению которых было...
Специализированные модули для 3-уровневых инверторов
Массовое использование возобновляемых источников энергии является одной из основных тенденций современности. Совершенствование ветроэнергетических установок (ВЭУ), появившихся более 20 лет назад, идет параллельно с повышением эффективности и надежности преобразовательных устройств. Бурное развитие силовой электроники позволило существенно повысить мощность таких устройств (для единичной ВЭУ с 2...
