Преобразователь частоты типа «Петра-0133» для индукционного нагрева со встроенной теплообменной станцией

В статье представлен транзисторный преобразователь частоты «Петра 0133» бесконтактного нагрева металлов ТВЧ (тока высокой частоты) для индукционного нагрева со встроенной теплообменной станцией, его устройство и основные технические характеристики. Также рассмотрены система управления транзисторным преобразователем «Петра» и особенности подключения индуктора к выходу преобразователя частоты.

Современные технологии управления двигателями переменного тока в преобразователях частоты ООО НПФ «Новые Промышленные Технологии».
Синхронные двигатели с постоянными магнитами

Рассмотрена система управления синхронным двигателем с постоянными магнитами на базе преобразователя частоты МПЧ 380 производства ООО «НПФ «Новые Промышленные Технологии». Приведено сравнение характеристик электропривода при работе с датчиком положения ротора и без.

Понимание изоляции в DC/DC-преобразователе

Изоляция в преобразователях постоянного тока, помимо защиты от поражения электрическим током, имеет много различных применений. Эта статья объясняет различные степени изоляции и то, как они реализованы в типичных DC/DC-преобразователях малой мощности.

Проектирование обратноходового преобразователя с планарным трансформатором

Новые разработки и исследования в силовой электронике направлены на уменьшение массы и габаритов при высоких КПД и динамических характеристиках. Зачастую перед разработчиками стоит задача спроектировать преобразователь большой мощности (порядка 1–2 кВт) с минимальными размерами.

1200-В IGBT с обратной проводимостью (RC-IGBT), оптимизированные для работы в режиме жесткой коммутации

Компания Fuji представляет кристаллы RC-IGBT с рабочим напряжением 1200 В, разработанные с применением новейшей тонкопленочной технологии производства пластин. Характеристики этих RC-IGBT показывают такое же соотношение между потерями проводимости и переключения, как и у шестого поколения обычных IGBT и FWD. Кроме того, данное отношение можно оптимизировать для режима жесткого переключения путе...

Новые карбид-кремниевые модули на кристаллах второго поколения

Компания Mitsubishi Electric, выпускающая широкую линейку мощных SiC-модулей различных классов напряжений, анонсирует выход модулей с SiC-кристаллами второго поколения в классах напряжения 1200 и 1700 В. В сравнении с первым поколением новые модули имеют улучшенную производительность, а также более широкий модельный ряд. В статье представлены и последние достижения, полученные за счет новой тех...

SEMIKUBE Hy SiC: первые шаги в мире карбида кремния

На первый взгляд преимущества карбида кремния в ряде применений, прежде всего высокочастотных, неоспоримы. SiC MOSFET-транзисторы (с встроенными диодами SiC Шоттки или без них) имеют более высокую скорость коммутации и меньший уровень динамических потерь, чем любые кремниевые ключи, что позволяет существенно повысить рабочую частоту Fsw преобразовательной системы. Однако в дружном хоре энтузиа...

Сложности оценки характеристик SiC MOSFET

Широкое распространение SiC MOSFET на рынке силовой электроники еще ограничивается их более высокой стоимостью по сравнению с Si MOSFET, но это, безусловно, временное явление и с развитием SiC-технологии ситуация будет улучшаться. В то же время более перспективные характеристики SiC требуют и более внимательного подхода к проектированию и измерению их параметров в реальных приложениях, чему и у...

Мощные тиристоры для преобразователей линий электропередачи постоянного тока

Представлены результаты исследования современной элементной базы отечественной силовой электроники для высоковольтных тиристорных вентилей для линий электропередачи постоянного тока. Приведены характеристики мощных высоковольтных тиристоров Т283-1600 нового поколения с повышенной надежностью. Выполнены исследования тиристоров в режимах их эксплуатации в составе блока вентилей модернизируемого п...

Транзистор в преобразователе.
Часть 2. Цепи управления

Статья продолжает тему практической разработки преобразователя, и теперь речь пойдет о цепях управления. Под цепями управления здесь подразумевается часть схемы, непосредственно подключаемая к затвору силового транзистора. Что собой представляет контроллер, алгоритмы управления, даже часть драйвера «по ту сторону» гальванической развязки, в данном контексте неважно. Задача статьи, как и в перво...