В статье проведен анализ влияния частотных характеристик датчиков тока различных типов на погрешность измерения динамических параметров IGBT-модулей. Предложены: схема измерительной установки, методика измерений динамических параметров IGBT-модулей с использованием коаксиальных шунтов с широкой рабочей полосой частот, обеспечивающая высокую точность измерений; методика определения импеданса кон... 
Основными параметрами, характеризующими надежность силовых полупроводниковых приборов (СПП) в предельно допустимых режимах работы, являются значения ударного тока и критической скорости нарастания тока в открытом состоянии. Для разработки преобразовательных устройств важно знать не только неповторяющиеся значения этих параметров, определенные в соответствии с методами ГОСТ 24461-80 [1], но и до... 
Предложен метод определения оптимальных характеристик кристаллов кремниевых быстрых IGBT, предназначенных для совместной работы с SiC SBD в гибридных модулях. Найдены оптимальные дозы протонного облучения и определены оптимальные статические и динамические характеристики 1200 В IGBТ для гибридных модулей, комплектующих DC/DC-конвертеры с рабочей частотой преобразования до 50 кГц. 
Тенденция повышения рабочих токов сило- вых полупроводниковых модулей на IGBT до 1000 А и более предполагает в конструкции данного устройства использование параллельного включения большого количества IGBT-чипов и обратных диодов. Естественно, что одной из основных проблем при разработке топологии таких изделий является обеспечение распределения тока между чипами как в статических, так и в динам... 
Повышенные требования, предъявляемые к качеству силовых полупроводниковых приборов (СПП) большой мощности, обеспечивается только с применением высокоточного измерительного оборудования. Например, при параллельном включении мощных диодов или тиристоров удовлетворительное токораспределение можно получить при разбросе значений прямого импульсного напряжения (для тиристоров — импульсного напряжения... 
