Компания Wolfspeed выпустила референс-дизайн двунаправленного бортового зарядного устройства электромобилей 6,6 кВт на SiC-МОП транзисторах 1000 В 65 мОм — CRD-06600FF10N. Основные характеристики зарядного устройства: демонстрирует работу SiC MOSFET 1000 В 65 мОм Wolfspeed поколения C3M в двунаправленном бортовом зарядном устройстве электромобилей 6,6 кВт; плата состоит из двунаправленного ККМ (AC/DC) топологии Totem-Pole и изолированного двунаправленного DC/DC топологии CLLC с варьируемым напряжением DC-звена; плата поддерживает диапазон входного напряжения 90–265 В (AC) и 250–450 В ...

Компания RECOM анонсирует выпуск высокоэффективного 500-Вт DC/DC-преобразователя для ж/д применений с отводом тепла от основания. Модуль с номинальной мощностью 500 Вт и широким диапазоном входного напряжения 4:1 (43–154 В DC, до 170 В в пике) и выходом 24 В предназначен для систем с номинальным напряжением 72 и 110 В DC с допусками и перенапряжениями по EN 50155. Преобразователь RMD500-EW разработан как полностью законченное решение (plug and play) со всеми функциями, требуемыми по данному стандарту: защита от обратной полярности, фильтры ЭМП и перенапряжений, ограничение пускового тока и ...

В статье рассказывается о преимуществах карбида кремния (SiC) и приборов на его основе по отношению к кремнию (Si).

Компания Diotec Semiconductor AG представляет двойной автомобильный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-363 с защитой затвора MMFTN620KDW-AQ. Два типа n-каналов обеспечивают непрерывный ток стока до 350 мА при температуре +25 °C, максимальное напряжение сток-исток 60 В и сопротивление в открытом состоянии менее 2 Ом при подаче напряжения на затвор 4,5 В. Особенностью устройств является защита затвора от ESD-напряжений до ±2 кВ, что делает их оптимальным решением для систем с высоким риском воздействия электростатических помех (ESD). Это касается управления питанием для сенсорных экранов, ...

Компания Mean Well представляет новую серию источников питания HRP-N3. Новая серия HRP-N3 унаследовала конструкцию с высокой плотностью мощности, первоначально разработанную для HRP (150, 300, 600) и HRPN (150N, 300N, 600N), и обеспечивает следующие ключевые преимущества: имеет те же габаритные размеры и низкопрофильный дизайн 1U (за исключением модели 600 Вт), что и HRPN, и немного меньше, чем серия HRP. Это обеспечивает удобство модернизации новой серией HRP-N3 ранее созданных систем электропитания на базе HRPN и HRP; пиковая нагрузка: до 350% (для HP-150 N3: 300%) для выполнения ...

Это шестая, последняя статья, завершающая цикл статей [1], в которых рассматривались текущие тенденции и особенности применения полупроводниковых приборов на основе карбида кремния (SiC). В предыдущих частях цикла речь шла об особенностях этих полупроводниковых приборов, их перспективах и тех преимуществах, которые дает их использование, в том числе в узлах современного электрического транспорт...

Продолжение цикла публикаций [1, 2], в которых рассматриваются особенности эксплуатации IGBT-модулей производства ПАО «Электровыпрямитель». В новой части описаны результаты исследований зависимостей динамических характеристик IGBT-модулей на напряжение 3300 В от параметров цепи управления. Представлен анализ особенностей эксплуатации высоковольтных IGBT-модулей и даны рекомендации по оптимизаци...

Портал Russianelectronics опубликовал базу контрактных разработчиков электроники, включая специализирующихся на источниках питания и силовых модулях. В онлайн-справочнике представлена полная информация по участникам российского рынка: специализация разработок микроэлектроника, источники питания и силовые модули, СВЧ, телеком, промавтоматика и транспорт, автоматизация зданий и ЖКХ, ОПК и авиакосмические применения услугам тестирование, ремонт и пр. итоговым результатом окончания проекта разработки, количеством разработчиков и датой регистрации ...

Доступны варианты с однополярным выходом 8 и 9 В или асимметричным +7/–1, +15/–3 и +20/–5 В. Данные напряжения закрывают требования к новейшим IGBT, кремниевым КМОП-транзисторам и элементам GaN HEMT. Модули обеспечивают прочность изоляции 5,2 кВ/1 мин и сертифицированы в соответствии с UL/IEC/EN 62368-1, CAN/CSA-C22.2 No62368-1, а также EN 61204-3. Класс A по ЭМС в соответствии с EN 55032 обеспечивается без обвязки, а класс B с простейшим LC-фильтром. Выходная мощность 3 Вт подходит не только для мощных IGBT, но и для ключей SiCи GaN на высоких частотах переключения. Доступны варианты с ...

Японская компания Fuji Electric Co., Ltd. сообщает о начале производства модуля HPnC (конструктив силового модуля нового поколения) на базе 7-го поколения IGBT X-серии (биполярный транзистор с изолированным затвором), ориентированного на железнодорожный рынок.