Проблемы параллельного и последовательного соединения IGBT.
Часть 1. Параллельная работа IGBT

№ 4’2013
PDF версия
Статья посвящена проблеме увеличения мощности преобразования за счет параллельного и последовательного соединения силовых ключей и инверторных ячеек. Параллельная работа подобных элементов хорошо изучена и широко применяется на всех уровнях: от «микроскопического» (соединение элементарных ячеек в структуре IGBT) до «макроскопического» (соединение чипов в составе силового модуля и силовых ключей в преобразователях высокой мощности). Более сложной проблемой является обеспечение надежной работы мощных ключей при их последовательном соединении. Этот вопрос будет рассмотрен во второй части статьи.

Полный текст статьи доступен только для зарегистрированных пользователей: |

Литература
  1. Wintrich A., Nicolai U., Tursky W., Reimann T. Application Notes for IGBT and MOSFET modules. SEMIKRON International, 2010.
  2. Scheuermann U. Paralleling of Chips — From the Classical «Worst Case» Consideration to a Statistical Approach. PCIM Europe 2005, Conference Proceedings.
  3. Wintrich A., Nascimento L., Leipenat M. Influence of parameter distribution and mechanical construction on switching behaviour of parallel IGBT. PCIM Europe 2006, Conference Proceedings.
  4. Колпаков А. SKYPER 42LJ — новый драйвер цифрового семейства SEMIKRON // Силовая электроника. 2013. № 1.
  5. Колпаков А. Инверторная платформа SEMIKUBE // Силовая электроника. 2009. № 1.
  6. Колпаков А. SKiiP 4 — IPM для применений высокой мощности // Силовая электроника. 2009. № 4.
  7. Колпаков А. WindSTACK — новая концепция преобразователей высокой мощности // Силовая электроника. 2011. № 3.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *