Инженеры «со стажем», возможно, помнят замечательные книги Е. Айсберга, вышедшие в русском переводе в далеком 1967 г.: «Радио — это очень просто» и «Телевидение — это очень просто». Путь многих хороших специалистов в радиоэлектронике начинался именно с них. Предлагаемая вашему вниманию статья является попыткой возродить хорошую традицию, однако мы не станем вести речь ab ovo и будем считать, чт...
IGBT или MOSFET? О выборе и не только…
Нет в силовой электронике элементов, развивающихся столь же быстро и имеющих так много схожих черт, как IGBT и MOSFET. Несмотря на известные преимущества и недостатки каждого из них, выбор силового модуля для конкретного применения не всегда является очевидным. В первую очередь это относится к области напряжений свыше 200–300 В, когда достоинства полевых ключей перестают быть однозначными....
Проблемы обеспечения безопасности силовых ключей в аварийных режимах
Защита быстродействующих силовых ключей от аварийных режимов является одной из основных функций устройства управления. Состояние перегрузки в лучшем случае ведет к сокращению ресурса, а в худшем — к выходу элемента из строя. Перегрузка может быть вызвана разными причинами. Опасным является любой режим, при котором ток или напряжение на ключе выходят за рамки области безопасной работы (Safe Oper...
Снижение уровня динамических потерь: «мягкая» коммутация и снабберы
Основным режимом коммутации силовых ключей в промышленных преобразователях средней и высокой мощности является «жесткое» переключение, характеризующееся высоким уровнем динамических потерь и перенапряжений. Как правило, частота коммутации в таких устройствах составляет 1–30 кГц для IGBT и 50–100 кГц для MOSFET.
Увеличение рабочей частоты позволяет снизить габариты и вес пассивных аккумулирующи...
Проблемы параллельного и последовательного соединения IGBT.
Часть 2. Последовательное включение IGBT
Последовательное соединение IGBT-модулей, не обладающих стойкостью к лавинному пробою, представляет собой намного более серьезную проблему, чем их параллельное включение. Отметим, например, наличие дополнительных статических потерь силовых ключей, рассеяние мощности выравнивающими резисторами, необходимость управления затворами с разным потенциальным уровнем, а также сложность аппаратной реализ...
Технологии силовой электроники:
текущее состояние и перспективы
Разработка устройств c большой удельной мощностью, таких как современные транспортные приводы и преобразователи энергетических станций, требует применения силовых модулей, отличающихся высокой надежностью и уникальными электрическими и тепловыми характеристиками. Решение этих задач невозможно без внедрения новых полупроводниковых материалов и современных технологий корпусирования. В частности, ...
IGBT и MOSFET: основные концепции и пути развития. Часть 2. MOSFET
Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны в первую очередь с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произво...
IGBT/MOSFET: основные концепции и пути развития
Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны, в первую очередь, с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произ...
О «феноменальном» поведении диодов
Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач производителей компонентов силовой электроники. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока между IGBT и оппозитным диодом сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относится прямое и обратное восстановле...