Технологии силовой электроники:
текущее состояние и перспективы

Разработка устройств c большой удельной мощностью, таких как современные транспортные приводы и преобразователи энергетических станций, требует применения силовых модулей, отличающихся высокой надежностью и уникальными электрическими и тепловыми характеристиками. Решение этих задач невозможно без внедрения новых полупроводниковых материалов и современных технологий корпусирования. В частности, ...

Электроника для солнечной энергетики и не только

Принцип работы многоуровневой схемы прост: модули или инверторные ячейки соединяются последовательно, за счет этого напряжение питания устройства может быть выше рабочего напряжения отдельных ключей. Подобное решение позволяет формировать «многоступенчатый» выходной сигнал, снизить уровень гармонических искажений и отказаться от дорогостоящих и громоздких выходных фильтров. Очевидно, что все си...

Расчет динамических потерь IGBT:
базовые принципы и некоторые особенности

Частотные свойства и динамические характеристики IGBT во многом определяют выбор модуля для конкретных условий работы. В спецификациях силовых ключей параметры переключения приводятся для фиксированных режимов, определенных изготовителем. Внимательный анализ технической документации показывает, что разные производители используют отличающиеся условия нормирования. Более того, иногда они указаны...

IGBT и MOSFET: основные концепции и пути развития. Часть 2. MOSFET

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны в первую очередь с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произво...

IGBT/MOSFET: основные концепции и пути развития

Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. Революционные инновации связаны, в первую очередь, с внедрением новых широкозонных материалов и тонких пленок, применение которых позволяет не только повысить экономическую эффективность произ...

О «феноменальном» поведении диодов

Повышение скорости коммутации и снижение уровня динамических потерь является одной из основных задач производителей компонентов силовой электроники. Однако проблемы, связанные с ростом уровней di/dt, намного сложнее, чем кажется на первый взгляд. Процесс переключения тока между IGBT и оппозитным диодом сопровождается различными вторичными эффектами. К ним относится прямое и обратное восстановле...

3-L NPC-инвертор: управление, режимы работы, расчет параметров

Основным преимуществом 3-уровневой схемы с фиксированной нейтралью (3L NPC) является низкий коэффициент гармоник выходного тока, что позволяет существенно упростить выходной фильтр или вообще отказаться от него. Транзисторы и диоды 3-L преобразователя работают при половинном напряжении DC-шины, поэтому он может быть построен на ключах меньшего класса напряжения (например, 600 В вместо 1200 В), ...

О климатике, механике, космическом излучении и прочих полезных вещах. Часть 1

Предлагаемая вашему вниманию статья посвящена классификации и описанию условий эксплуатации изделий силовой электроники, изложенных в стандартах EN 50178, EN 60721 (IEC 721-3), включая разделы EN 60721-3-1 (хранение), EN 60721-3-2 (транспортирование) и EN 60721-3-3 (использование в местах, защищенных от внешних воздействий).

Основы силовой электроники: импульсные режимы работы

Данная публикация продолжает тему, начатую в статье «Малоизвестные факты из жизни IGBT и MOSFET» и посвященную особенностям работы наиболее распространенных в преобразовательной технике силовых ключей. В настоящей статье рассматриваются некоторые базовые вопросы, касающиеся импульсных режимов работы преобразователей.

Еще раз про надежность. Часть 2

Продолжение. Начало в №4’2012 Во второй части статьи рассмотрены механизмы отказа при активном термоциклировании, усталостные эффекты в паяном слое, повреждения выводов кристаллов.