Реклама

  • Баннер протон-импульса за март 25

Драйвер IGBT: «ядро» или plug-and-play?
Базовые принципы и основные схемы
Поведение современных силовых ключей MOSFET/IGBT/SiC в динамических режимах во многом определяется характеристиками устройства управления затвором (драйвера). Определение параметров драйвера для конкретного силового модуля в заданных условиях применения — задача достаточно непростая и усложняется при необходимости работы с параллельным соединением ключей или на высокой частоте коммутации, когда...

18.07.2022 | Компоненты силовой электроники, Драйверы IGBT
Оставить комментарий

Влияние индуктивности звена постоянного тока на динамические характеристики и потери мощности инвертора
Разработка топологии звена постоянного тока в преобразователях большой мощности — один из наиболее важных и сложных этапов проектирования. Высокие значения скоростей изменения сигнала di/dt, dv/dt, возникающие при переключении силовых модулей, приводят к появлению переходных перенапряжений, шумов и помех. Для борьбы с этим в мощных импульсных преобразователях необходимо обеспечивать минимальное...

20.06.2022 | Разработка, Источники питания
Оставить комментарий

IGBT Gen.7 — революционная эволюция
Технологии силовой электроники идут по пути повышения мощностных характеристик и эффективности силовых преобразовательных устройств, а также улучшения их массогабаритных характеристик. Бурное развитие широкозонных приборов, в первую очередь карбидокремниевых, может создать иллюзию, что эра кремния уходит в прошлое. Однако на самом деле модули IGBT еще долго будут оставаться «рабочей лошадкой» в...

20.10.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Оставить комментарий

Диоды и тиристоры — это очень просто. Часть 1. Общие вопросы
Инженеры «со стажем», возможно, помнят замечательные книги Е. Айсберга, вышедшие в русском переводе в далеком 1967 г.: «Радио — это очень просто» и «Телевидение — это очень просто». Путь многих хороших специалистов в радиоэлектронике начинался именно с них. Предлагаемая вашему вниманию статья является попыткой возродить хорошую традицию, однако мы не станем вести речь ab ovo и будем считать, чт...

27.05.2021 | Компоненты силовой электроники
Оставить комментарий

Диоды и тиристоры — это очень просто! Часть 4. Структура и принцип работы
Знание принципов работы полупроводниковых приборов необходимо специалистам, занимающимся проектированием преобразовательной техники. Мы продолжаем рассмотрение базовых вопросов, связанных со структурой диодов и тиристоров и их электрическими характеристиками.

22.04.2021 | Компоненты силовой электроники, Диоды, Тиристоры
Метки:
Оставить комментарий

IGBT или MOSFET? О выборе и не только…
Нет в силовой электронике элементов, развивающихся столь же быстро и имеющих так много схожих черт, как IGBT и MOSFET. Несмотря на известные преимущества и недостатки каждого из них, выбор силового модуля для конкретного применения не всегда является очевидным. В первую очередь это относится к области напряжений свыше 200–300 В, когда достоинства полевых ключей перестают быть однозначными....

21.04.2021 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, IGBT
Метки:
Оставить комментарий

Проблемы обеспечения безопасности силовых ключей в аварийных режимах
Защита быстродействующих силовых ключей от аварийных режимов является одной из основных функций устройства управления. Состояние перегрузки в лучшем случае ведет к сокращению ресурса, а в худшем — к выходу элемента из строя. Перегрузка может быть вызвана разными причинами. Опасным является любой режим, при котором ток или напряжение на ключе выходят за рамки области безопасной работы (Safe Oper...

02.04.2021 | Компоненты силовой электроники, MOSFET, IGBT
Оставить комментарий

Снижение уровня динамических потерь: «мягкая» коммутация и снабберы
Основным режимом коммутации силовых ключей в промышленных преобразователях средней и высокой мощности является «жесткое» переключение, характеризующееся высоким уровнем динамических потерь и перенапряжений. Как правило, частота коммутации в таких устройствах составляет 1–30 кГц для IGBT и 50–100 кГц для MOSFET. Увеличение рабочей частоты позволяет снизить габариты и вес пассивных аккумулирующи...

21.03.2021 | Компоненты силовой электроники, Диоды, MOSFET, IGBT
Оставить комментарий

Проблемы параллельного и последовательного соединения IGBT.
Часть 2. Последовательное включение IGBT
Последовательное соединение IGBT-модулей, не обладающих стойкостью к лавинному пробою, представляет собой намного более серьезную проблему, чем их параллельное включение. Отметим, например, наличие дополнительных статических потерь силовых ключей, рассеяние мощности выравнивающими резисторами, необходимость управления затворами с разным потенциальным уровнем, а также сложность аппаратной реализ...

16.03.2021 | Компоненты силовой электроники, IGBT
Оставить комментарий

Plug & Play: применение силовых модулей с предварительно нанесенной термопастой
О применении теплопроводящих материалов написано много статей и руководств по эксплуатации [1–4], однако эта проблема продолжает привлекать внимание специалистов, работающих в сфере производства электронной техники. Большой интерес вызывает появление новых технологий и материалов с изменяемым фазовым состоянием (РСМ), а также возможность их нанесения предприятием — изготовителем модулей.

17.05.2020 | Компоненты силовой электроники, Технологии
Метки:
Оставить комментарий

Наши журналы:
© Copyright 2025 Силовая электроника