В январе текущего года была завершена сделка по приобретению американской компании International Rectifier (IR) крупнейшим немецким производителем силовых полупроводниковых приборов Infineon Technologies AG. 
Имеющиеся на сегодня источники питания (ИП), выполненные по технологии с использованием высокопроизводительных кремниевых полевых транзисторов и диодов Шоттки на основе карбида кремния, уже не являются достаточно эффективными, по крайней мере, в течение двух последних лет. Не так давно несколько производителей объявили о доступности транзисторов на основе нитрида галлия на кремнии, которые расс... 
Корпорация Microsemi представила мощный GaN-транзистор 1011GN-1600VG L-диапазона, обеспечивающий более 1600 Вт импульсной мощности с усилением свыше 18,6 дБ и КПД более 70%. Он разработан для применения в импульсных режимах Mode-S ELM и IFF с рабочими частотами 1030/1090 МГц.
Транзистор предварительно внутренне согласован для получения оптимальных характеристик. При его производстве используются золотая металлизация и эвтектические соединения, чтобы получить самый высокий уровень надежности и отличную механическую прочность. Выходной каскад с наилучшими параметрами массы, размера, выходной ... 
В статье изложены предпосылки для создания в России мощной инновационной технологической программы и инфраструктуры в области ультрасовременных энергосберегающих технологий на базе силовой электроники. Материал имеет цель в том числе привлечь внимание руководителей ГК «Роснанотех», ГК «Ростехнологии», Комитета по науке и наукоемким технологиям Государственной Думы РФ, инновационного центра «Ско... 
