В статье рассмотрены особенности оптронов для управления затвором транзисторов компании Avago Technologies, используемых для надежного управления и защиты карбид-кремниевых MOSFET, которые находят все более широкое применение на рынке силовых полупроводников. 
В данной работе дано описание скоростного высоковольтного генератора импульсов, используемого для оценки стойкости карбидокремниевых диодов компании Wolfspeed к 
Появление фотоэлектрических (PV) инверторов и электрических транспортных средств (EV) требует повышения плотности мощности и эффективности преобразователей. Карбид кремния (SiC) является одним из кандидатов, способных удовлетворить эту потребность, поэтому интерес к SiC-технологии в последнее десятилетие непрерывно растет. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства PV-и... 
Нюансы, связанные с параллельной работой высокоскоростных приборов SiC MOSFET, по сравнению с кремниевыми ключами исследованы очень слабо. В статье рассматриваются особенности параллельного включения карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов. Изучаются параметры, влияющие на статическое и динамическое распределение токов данных устройств, исследована зависимость этих параметров от температур... 
