Надежность и эффективность применения управляемых силовых полупроводниковых приборов и, соответственно, преобразовательной техники на их основе во многом зависит не только от качества и сочетания параметров СПП. Эксплуатационные характеристики преобразователей также определяются параметрами и интерфейсами соответствующих систем управления. В статье представлены базовые разработки микроконтролле... 
По своим затворным характеристикам транзисторы SiC MOSFET заметно отличаются от хорошо изученных кремниевых (Si) ключей. Карбидокремниевым структурам присущи некоторые специфические особенности, например дрейф порогового напряжения затвора VGS(th) SiC при длительной эксплуатации и деградация окисного слоя при использовании отрицательного напряжения выключения.
Проведенные в последние годы иссл... 
Статья знакомит читателей с компанией Global Power Technology и ее основной продукцией — SiC-диодами Шоттки. В силу ограниченного объема журнальной публикации приведены некоторые основные параметры только четырех диодов. С параметрами остальных устройств можно ознакомиться на сайте компании. 
Энергоэффективность называют ключевым фактором, который обеспечивает повышение экологичности. Особенно это касается промышленности, где спрос на электроэнергию огромен и увеличение энергоэффективности может существенно повлиять на окружающую среду и гарантировать ее стабильное будущее.
Компания Hitachi Energy разработала новое поколение тиристоров фазового управления (PCT — Phase Control Thyri... 
В статье дается анализ динамики рынка силовой электроники и рассмотрено промышленное освоение новых технологий в виде карбида кремния для мощных IGBT-транзисторов и для менее мощных MOSFET-транзисторов. Приведены физические свойства и характеристики MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния и отмечены их преимущества в части температурной, электрической и радиационной стойкости сравнительно... 
Компания AMG Power расширила семейство SiC МОП-транзисторов 12-го класса нового поколения Gen3 с управляющим напряжением ±15 В и напряжением сток-исток 1200 В.
Применение SiC MOSFET-транзисторов:
преобразователи собственных нужд электротранспорта;
импульсные источники питания.
Преимущества:
повышает эффективность системы с меньшими потерями на переключение и проводимость;
позволяет работать на высокой частоте переключения;
улучшает плотность мощности на уровне системы;
уменьшает размер системы, вес и упрощает охлаждение;
удовлетворяют требованиям новых топологий с ... 
В статье представлен анализ результатов одного компьютерного моделирования системы ПЧ-АД. На данном примере показана важная роль правильной постановки задачи и выбора исходных условий эксперимента для обеспечения достоверности получаемых результатов. 
В статье предложена схема многоступенчатого заряда конденсатора до напряжений, в несколько раз превышающих двойное напряжение источника питания. Схема состоит из зарядного и перезарядного контуров, причем в цепи перезарядного контура последовательно с индуктивностью могут быть включены транзистор для получения положительного выходного напряжения на конденсаторе, диод для получения отрицательног... 
В статье представлен общий обзор электрических зарядных станций (ЭЗС) для электромобилей и состояния рынка электромобилей и ЭЗС. Выполнена классификация различных видов и типов электрических зарядных станций с описанием ключевых отличий. 
В статье рассматривается влияние электронной компонентной базы на потребительские качества продукции, вопросы импортозамещения и пути повышения стойкости к спецфакторам в производстве импульсных источников питания. 