Разработка систем заряда емкостных накопителей энергии. Часть 4
Это завершающая статья цикла, посвященного разработкам систем заряда емкостных накопителей энергии, силовых конденсаторов (СЭ № 4, 2008 год и № 1–2, 2009 год). В ней рассмотрены некоторые вопросы, касающиеся многоканальных систем зарядов
Корректоры коэффициента мощности однофазных источников питания
Приведена классификация современных однофазных корректоров коэффициента мощности (ККМ-бустеров) применительно к источникам питания переменного тока. Дается анализ структур ККМ и их энергетических характеристик.
Сравнение однофазного и двухфазного корректоров коэффициента мощности с отпиранием силовых транзисторов при нуле токов дросселей
Статические характеристики многофазных понижающих импульсных преобразователей были определены еще в 1970_е годы [1, 2]. В настоящее время в связи с построением корректоров коэффициента мощности (ККМ) на базе двухфазного повышающего импульсного преобразователя [3, 4] снова стал повышаться интерес к подобным схемам.
Матричный преобразователь частоты — объект скалярного управления
Рассматриваются алгоритмы переключения вентилей в матричном преобразователе частоты, направленные на достижение электромагнитной совместимости с нагрузкой и питающей сетью. Показывается возможность реализации данных решений на традиционной основе скалярного управления, что упрощает и расширяет области возможного применения матричного преобразователя частоты.
Новая серия отечественных DMOSFET силовых транзисторов
ОАО ОКБ “Искра” совместно с ОАО Ангстрем в период с мая 2007 г. по сентябрь 2008 г. выполнили ОКР по разработке ряда мощных n-канальных DMOSFET силовых транзисторов с напряжениями 30–1200 В и токами 10–80 А. По результатам ОКР разработано свыше 30 типономиналов силовых транзисторов в корпусном и бескорпусном исполнении.
Trench 4 — универсальная технология IGBT. Стратегия перехода
Использование новых типов кристаллов IGBT в стандартных конструктивах дает возможность увеличить техническую эффективность и мощностные характеристики силовых преобразовательных устройств без изменения их конструкции. Основной задачей, поставленной при разработке 4_го поколения Trench IGBT, стало комплексное улучшение параметров проводимости, динамических характеристик IGBT и обеспечение более ...
Реверсивный вентильный преобразователь в режиме комплементарно-фазового управления
В статье рассматривается новый алгоритм управления двухкомплектными
реверсивными преобразователями, устраняющий недостатки традиционных
способов совместного и раздельного управления вентильными комплектами.
Показана альтернативная возможность применения данного способа
в преобразователях на однооперационных тиристорах или запираемых вентилях
типа GTO, IGBT и др.
Монтаж кристаллов IGBT силовых транзисторов
Исследованы способы монтажа IGBT силовых транзисторов средней мощности пайкой легкоплавкими припоями и показано их влияние на тепловое сопротивление перехода кристалл – корпус, структуру соединений и параметры IGBT силовых транзисторов.
Исследование технологических факторов процесса термомиграции
Термомиграция, или зонная перекристаллизация градиентом температуры — способ, позволяющий создавать в течение сравнительно короткого времени сильно легированные подложечные р+-слои
и локальные сквозные р+-области в объеме полупроводникового материала.
Aморфные металлические материалы
Аморфные металлические материалы представляют одну из последних инноваций XX века. По сравнению с кристаллическими материалами они обладают рядом выдающихся магнитных, механических и химических свойств, которые связаны с их аморфной структурой. К достоинству аморфных металлов можно отнести также очень простую схему их производства. Она, как правило, укладывается в две стадии: выплавка сплава и ...
