Электронная компонентная база силовых устройств. Часть 3

№ 2’2010
PDF версия
Продолжение. Начало в № 5’2009. Рассмотрены применяемые в настоящее время полупроводниковые силовые компоненты: полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Особое внимание уделено интегрированным силовым модулям (IPM). Сделан обзор компонентов и отечественного, и зарубежного производства.

Все статьи цикла.

В работе [1] указывается, что, несмотря на очень широкую номенклатуру компонентов для современных силовых устройств (СУ), в рамках разумных ограничений возможно дать обзор компонентной базы для наиболее широко распространенных классов СУ, интересующий читателей. Это касается, прежде всего, компонентов для импульсных источников вторичного электропитания (ИВЭ), различных инверторов и преобразователей, регуляторов напряжения, устройств управления электроприводом промышленного и специального назначения и т. п. В основном предметом рассмотрения выбраны силовые электронные компоненты для применения в импульсных ИВЭ с мощностью более 500 Вт, для электроприводов и других СУ с мощностью до 40 кВт, а в некоторых случаях — до 100 кВт. То есть главным образом рассматриваются характеристики и особенности силовых электронных ключей на токи от 10-20 до 200-250 А и более, с напряжениями от 100 до 1200-4500 В и более, как отечественного, так и зарубежного производства. Для иллюстрации возможностей силовых приборов будут также приведены некоторые параметры приборов на напряжения более 2000 В и токи более 1000 А. Непосредственно в статьях [1, 2] были описаны:

  • низкочастотные и быстродействующие диоды и сборки элементов, включая диоды Шоттки;
  • тиристоры: традиционные (триодные), запираемые (GTO, GCT, IGCT), оптотиристоры;
  • симисторы и оптосимисторы.

Отмечено, что на рынке силовой электроники в России в последние годы значительно продвинулись вперед отечественные предприятия — производители силовых электронных компонентов, использующие передовые зарубежные технологии и современное высокопроизводительное оборудование [3, 4].

Перейдем к рассмотрению структур, а также особенностей и основных параметров следующих классов современных силовых полупроводниковых приборов:

  • полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET);
  • биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT),
  • силовые модули, в том числе интегрированные силовые модули (IPM).

 

Полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET)

Мощные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным n- или р-каналом выполняются по схеме «металл — диэлектрик (окисел) — полупроводник (МДП, или MOS)» и сокращенно называются МОПТ, или MOSFET. Первый силовой MOSFET, выпущенный International Rectifier в 1979 году, «дал путевку в жизнь» этим новым, более совершенным, чем биполярные транзисторы, силовым приборам. С конца 1980-х годов силовые высокочастотные MOSFET, особенно на Западе, стали уверенно вытеснять господствовавшие до этого времени мощные биполярные транзисторы в диапазоне напряжений до 500-600 В и токов 8-10 А, применявшиеся, в частности, в импульсных ИВЭ [5]. Биполярные мощные высоковольтные (400-1000 В) транзисторы на токи 8-60 А, например, такие как КТ846А, КТ872А, КТ8127, BU508, ВиХ48А, ВиУ98А, BUV298AV и другие, какое-то время еще применялись, благодаря низкой величине напряжения насыщения UCE (1-1,5 В), отлаженной технологии изготовления и сравнительной дешевизне. Но к середине 1990-х годов увеличение допустимого напряжения (UDSS) полевых транзисторов MOSFET до 800 (900) В, токов (ID) до 15-20 А и, соответственно, допустимой мощности рассеивания (PD) с 100-125 до 195-280 Вт и более ознаменовало окончательную победу MOSFET. Немаловажную роль сыграло также массовое их освоение, что всегда приводит к снижению цены изделий. Аналогично шел процесс вытеснения силовых модулей на основе биполярных транзисторов модулями на MOSFET и особенно на IGBT.

В отличие от биполярных транзисторов, полевые транзисторы управляются напряжением (электрическим полем) и поэтому имеют очень большое входное сопротивление (мегаомы) [6]. Такие транзисторы нормально закрыты и открываются, если напряжение затвор-исток (G-S) достигает определенного порога (threshold) — UGS th, который для мощных высоковольтных MOSFET обычно составляет 3,5-6 В. Кроме того, к их достоинствам следует отнести:

  1. Большую перегрузочную способность в импульсном режиме, то есть отношение между максимально допустимыми значениями импульсного тока стока к постоянному току стока ID (IDM/ID) обычно составляет для зарубежных транзисторов 4.
  2. Линейную зависимость напряжения на открытом канале сток-исток (D-S) от протекающего тока стока ID при практически постоянном сопротивлении (имеет место зависимость от температуры) открытого канала R DS on.
  3. Малое изменение сопротивления открытого состояния канала сток-исток RDS on не оказывает существенного влияния при параллельном включении полевых транзисторов [7]. Если, например, включаются два полевых транзистора вместо одного, то получается экономия в мощности потерь на открытом эквивалентном ключе ровно в 2 раза (при условии идеального разделения тока и постоянстве RDS on). В то же время при параллельном включении двух биполярных транзисторов (также при идеальном разделении тока) можно получить экономию мощности потерь в эквивалентном ключе только в 1,1-1,2 раза.

Важно отметить, что при параллельном соединении MOSFET возможно возникновение паразитных высокочастотных (ВЧ) колебаний. В статье [8] рассмотрены причины и методы устранения таких колебаний на примере MOSFET-транзисторов типа APT5024BLL (UDDSS = 500 В, ID = 22 А) фирмы Advance Power Technology (APT). Каждый транзистор между затвором и выходом драйвера типа MIC4452 (Micrel) имел резистор сопротивлением 10 Ом. Паразитные ВЧ-колебания возникали при скачках напряжения на стоке транзисторов в моменты переключения, причем частота этих колебаний составляла 50-250 МГц. Напряжение на транзисторах было 333 В при импульсе тока амплитудой 44 А (при температуре 25 °С). Добавление индуктивного элемента (L) в виде ферритового цилиндра с отверстием по оси (Ferrite bead) в цепь затвора устраняло паразитные колебания с минимизацией потерь при переключении. Такой способ применялся и ранее для подавления паразитных колебаний при использовании биполярных ВЧ-транзисторов. Он более эффективен, чем просто использование резисторов в цепи затвора MOSFET, поскольку импеданс индуктивного элемента L прямо пропорционален частоте. Так, при ширине полосы пропускания сигнала с драйвера MIC4452 примерно 2 МГц частота паразитных ВЧ-колебаний (50-250 МГц) лежит значительно выше и поэтому хорошо подавляется. Использование вместе с L резистора усиливает эффект подавления колебаний; при этом резистор может быть более низкоомным: 1-4,3 Ом.

Вместе с тем при использовании MOSFET необходимо учитывать также такие особенности и рекомендации, как, например, приведенные в [9]:

  • Необходимость устанавливать ограничители перенапряжений между затвором и истоком, поскольку допустимое напряжение обычно не должно превышать 20 В.
  • При активном запирании мощных высоковольтных транзисторов ток заряда емкости Миллера, «подключенной» между выводами сток-затвор, протекает по внутреннему импедансу генератора управляющего импульса. При этом он уменьшает (буквально «выгрызает») ток запирания отрицательного импульса, подаваемого в цепь затвор-исток (G-S).

Основные характеристики MOSFET, которые приводятся в справочных данных:

  1. Предельные параметры:
  • максимальное напряжение сток-исток UDSS;
  • максимальный ток стока ID;
  • максимальная рассеиваемая мощность PD (Ptot).
  • Сопротивление открытого состояния канала сток-исток RDS on, обуславливающее статические потери мощности на транзисторе.
  • Пороговое напряжение отпирания на затворе UDS th.
  • Параметры быстродействия:
  • время задержки включения td on;
  • время нарастания сигнала в силовой цепи tr;
  • время задержки выключения td off
  • время спада сигнала t;
  • время восстановления обратного сопротивления trr встроенного антипараллельного диода.
  • Энергия одного переключения (мкДж): Eon — при включении и Eoff— при выключении, то есть суммарная энергия одного переключения составляет Etot. = Eon + Eoff.
  • Энергия (мДж) разрушающего лавинного (avalanche) пробоя: EAR — для повторяющихся импульсных перегрузок; EAS — для одиночного импульса.

Первыми российскими, по-настоящему мощными MOSFET (>400 В) были разработанные и выпускавшиеся с начала 1990-х годов n-канальные транзисторы КП809 производства ВЗПП (Воронеж) [10]. Они выпускаются и сейчас на напряжение 400-750 В и токи 25-8 А соответственно. Эти транзисторы хорошо себя зарекомендовали. Один из авторов статьи был в числе первых потребителей этих транзисторов и использовал КП809Б1 в мощных (1500 Вт) источниках бесперебойного питания [11].

Технические характеристики некоторых отечественных и зарубежных MOSFET приведены в таблице 1.

Таблица 1. Основные технические характеристики мощных MOSFET
Наименование Фирма-производитель Технология UDSS, в ID, А (25 °С) PD, Вт RDS on, Ом MOПТ (MOSFET): tr/tf, нс Диод: trr, нс (Qrr, мкК) Корпус [Rth JC], °C/Вт

Отечественные

КП809А1 (ВЦ

АООТ «ВЗПП», Воронеж

400 (500) 9,6 100 0,3 (0,6)

50/100

нет

КТ-43В (ТО-218)

КП812А1 600 50 125 0,028 180 (0,8)
КП450 Завод «Эльтав», Махачкала

500

12 150 0,4

66/60

TO-218 [0,4]
КП460   20 280 0,27 860 (8,6) TO-218 [0,8]
2П7160Г (Д) ОАО «ФЗМТ» 400 (500) 23 (20) 150 0,23 (0,2) -/150 КТ-97C (ТО-258) [0,83]
КП794А

ОАО «ОКБ «Искра»», Ульяновск

500

16

190

0,3

КТ-43В (ТО-218)

КП795А 14 0,4  
2П (КП)7154АС

1200 50

875

0,35

70/90//300/70

Металлокерамический [0,14]

2П (КП)7154ВС 800 60 0,3
2П (КП)7154ВС 600 75 0,2

Зарубежные

lXFN66N50Q2

lXYS

HiPerFET 500 66 735 0,08 16/10 250 (25,0) SOT-227B [0,17]
1ХРК70М6002 HiPerFET 600 70 890 0,08 25/12 250 (1,2) SOT-227B (lSOTOP) [0,14]
lXFN60N80P HiPerFET 800 53 1040 0,14 29/26 250 (25,0) SOT-227B [0,17]
lXFN38N80Q2 HiPerFET 800 38 735 0,22 16/12 250 (1,0) SOT-227B [0,17]
lXFR38N100Q2 HiPerFET 1000 28 417 0,24   250 lSOPLUS-247 [0,3]
lXFN38N100Q2 HiPerFET 1000 38 893 0,25   250 SOT-227B [0,14]
lPW60R045CS

lnfineon

CoolMOS 600 60 431 0,045 20/10 660 (17,0) PG-TO-247-3 [0,3]
lPW60R099CS CoolMOS 600 31 255 0,099 5/5 450 (12,0) PG-TO-247-3 [0,5]
lRFP460

lR

HEXFET 500 20 280 0,27 77/43 570 (6,6) TO-247AC [0,45]
lRFPS40N60K HEXFET 600 40 570 0,11 110/60 630 (14,0) Super-247 [0,22]
APT6010B2LL

APT

Power MOS 7 600 54 690 0,1 19/9 770 (18,0) T-MAX [0,25]
APT60M60JLL Power MOS 7 600 70 694 0,06 16/12 950 (33,0) SOT-227B (lSOTOP) [0,18]
APT10021JLL Power MOS 7 1000 37 690 0,21 9/11 300 (1,8) (lSOTOP) [0,18]
APT12031JLL Power MOS 7 1200 30 690 0,31 16/30 1400 (38,0) (lSOTOP) [0,18]

Малая номенклатура мощных полевых транзисторов в 1990-е годы, да и сейчас тоже, возмещается за счет импорта зарубежных MOSFET. Они способны работать в широком диапазоне мощностей, напряжений и токов, а также обладают более высокими показателями качества и надежности. Чтобы выжить в тех непростых условиях, в конце 1990-х гг. некоторые предприятия в России и странах СНГ, на основе закупки импортных полупроводниковых кристаллов, корпусов, материалов, а также оборудования, стали полулегально и легально налаживать выпуск хорошо известных моделей зарубежных полевых транзисторов. В наибольшей степени это коснулось транзисторов фирмы International Rectifier (IR), например, таких как IRF640-RF840, IRFP350-IRFP460 (табл. 1).

В последние годы, в связи с возрождением российского ВПК и частично промышленности, положение с выпуском отечественных мощных MOSFET, как низковольтных, так и высоковольтных, стало меняться в лучшую сторону. В этой связи отметим транзисторы типа 2П7160 (Г, Д), выпускаемые ОАО «Фрязинский завод мощных транзисторов» [12]. Эти транзисторы имеют следующие характеристики: UDSS = 400 В (500 В), ID = 23 А (20 А), PD^ 150 Вт, RDS onn = 0,23 Ом (0,2 Ом). Транзисторы 2П7160 (Г, Д) выпускаются по техническим условиям АЕЯР.432140.374ТУ. ОАО «ОКБ «Искра»» совместно с ОАО «Ангстрем» (Зеленоград) разработало мощный высоковольтный DMOSFET-транзистор (то есть транзистор со встроенным «антипараллельным» диодом) с поликремниевым затвором серии 2П (КП)715 [3, 13]. Транзистор имеет напряжение UDSSS = 600-1200 В, ток стока ID = 50-75 А, сопротивление RDS on = 0,08-0,3 Ом и низкие потери при переключении. Конструкция и технология изготовления транзистора обеспечивают высокие параметры быстродействия за счет низких значений входной, выходной и проходной емкостей, а также малой величины заряда затвора. Кристаллы транзистора монтируются в специально спроектированный металлокерамический корпус с безындуктивными выводами. Корпус имеет высокую теплопроводность благодаря применению в качестве изолятора оксида бериллия (ВеО) и имеет широкий диапазон рабочих температур (от -60 до 150 °С). Прибор с успехом может применяться в СВЧ-устройствах и ВЧ-преобразователях, в частности, в резонансных режимах на частотах 200 кГц и выше.

Среди других новых MOSFET укажем на разработку мощных n-канальных DMOSFET-транзисторов с напряжениями UDSS — 30, 60, 100, 200, 600, 800 и 1200 В на токи ID = 10-80 А (30 типономиналов транзисторов) и мощность рассеяния 150-200 Вт. НИОКР выполнена в 2007 -2008 годах ОАО «ОКБ «Искра»» [13] совместно с ОАО »Ангстрем» [14]. Транзисторы создавались для спецтехники, получили наименование 2П2829А-Ж и были выполнены в дискретных корпусах типа КТ-105-1 (аналог ТО-259АА), КТ43 (ТО-247), КТ-97 (ТО-254). Транзисторы 2П829А9-Ж9 выполнены в корпусах для поверхностного монтажа — SMD-корпусах типа КТ106-1 (SHD-6), КТ-95 (SMD-2) и др. Надежность транзисторов была подтверждена в ходе испытаний в соответствии с требованиями комплекса стандартов «Климат-7» со значениями характеристик по группе 6У. В статье [14] утверждается, что по своим подходам в области радиационной стойкости DMOS-технологий ОАО «Ангстрем», наряду с фирмой IR, заняло лидирующие позиции в мире. Положительные результаты испытаний позволяют рассматривать эти транзисторы в качестве перспективных компонентов при модернизации и создании системы ГЛОНАСС и другого спутникового оборудования. Приведем другие характеристики высоковольтных транзисторов серии 2П829ХХ:

  • 2П829А (2П829А9): UDSSS = 1200 В, ID = 10 А, PD = 200 Вт, RDS on = 1 01м;
  • 2П829Б (2П829Б9 ): UDSS = 800 В, ID = 15 А, PD = 200 Вт, RDS on = 0,T ом;
  • 2П829В (2П829В9 ): UD^SS = 600 В, ID = 20 А, PD = 200 Вт, RDS on = 0,15 Ом.

В таблице 1 приведены технические характеристики некоторых высоковольтных MOSFET большой мощности ведущих зарубежных фирм [15-18]. Представленные модели имеют существенно лучшие параметры, чем отечественные полевые транзисторы, в том числе: напряжения U^SS = 500-1200 В, токи ID = 20-70 А, мощность рассеяния PD = 280-1040 Вт, сопротивление RDS on = 0,045-0,3 Ом (в зависимости от значений UDSS, ID и технологии изготовления). Показатели быстродействия позволяют их использовать в преобразователях напряжения с рабочими частотами коммутации 100-300 кГц. Так, суммарное время нарастания и спада (tr+tf) составляет у основной массы транзисторов порядка 15-50 нс, а время восстановления обратного сопротивления встроенного антипараллельного диода trr = 250-1000 нс. Приведем для примера некоторые дополнительные параметры MOSFET типа APT 6010B2LL (UDSS = 600 В, ID = 54 А, PD = 690 Вт):

  • Энергия одного переключения (для условий UDD = 400 B, ID = 54 A, UGS = 15 B, Rg = 5 Ом): при включении Eon = 855 мкДж и при выключении Eoff = 970 мкДж.
  • Энергия разрушающего лавинного пробоя: ЕAR = 50 мДж — для повторяющихся импульсных перегрузок и EAS = 3000 мДж — для одиночного импульса.

Сейчас зарубежные фирмы начали выпуск силовых полевых транзисторов по технологии Power MOS 8. Так, в 2007 г. компания Microsemi объявила о выпуске первых 15 моделей новых MOSFET этой технологии [3], в частности, 10 моделей MOSFET и пять MOSFET со встроенным диодом со сверхбыстрым восстановлением, или FREDFET. Напряжение блокирования транзисторов составляет UDSS= 500-1200 В, ток ID = 19-75 А, RDS on = 0,075-0,8 Ом. Затем компания дополнила семейство еще десятью моделями FREDFET на напряжение 500 и 600 В, токи от 18 до 97 А и RDS on= 0,04-0,43 Ом.

Дальнейшее повышение уровня и качества MOSFET связано с освоением карбида кремния (SiC). В настоящее время на карбиде кремния выпускаются лишь диоды Шоттки (основной производитель — фирма Cree). Вместе с тем ведутся активные работы по созданию SiC-транзисторов. Есть информация [4] о том, что в лаборатории Университета штата Нью-Джерси на 4H-SiC создан полевой транзистор с вертикальной структурой и затвором по технологии Power MOS 8 на основе р-n-перехода. Блокирующее напряжение транзистора составляет 10 кВ, плотность прямого тока — 23 А/см2 при напряжении стока 2 В, = 106 м0м/см2.

 

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Идея использовать совместно мощный высоковольтный биполярный транзистор (БПТ) с полевым транзистором (ПТ), то есть выполнить такой комбинированный составной транзистор, возникла еще в конце 1970-х гг. К тому времени появились первые высоковольтные MOSFET средней мощности. В комбинированной структуре входной ПТ позволял обеспечить малую мощность управления за счет малого входного тока (тока затвора) и несколько улучшал параметры быстродействия, по сравнению с БПТ по схеме Дарлингтона. Но это был лишь частичный успех. Более плодотворная и использующаяся до наших дней идея состояла в применении низковольтного сильноточного MOSFET для эмиттерной коммутации мощного высоковольтного БПТ. Перечислим преимущества такого решения:

  1. Низковольтные MOSFET имеют малое значение сопротивления открытого канала RDS on(сотые — десятые доли Ом).
  2. Сохранялось малое падение напряжения на коллекторе транзистора UCE sat — при прямом смещении.
  3. Расширялась область безопасной работы биполярного транзистора, поскольку он оказывался включенным по схеме с общей базой (а не с общим эмиттером).
  4. Увеличивалось быстродействие, прежде всего, за счет уменьшения времени спада tf и времени рассасывания (ts) неосновных носителей в базе БПТ при «обрыве» эмиттерной цепи. Такие комбинированные ключи могут работать на частотах коммутации до 50-80 кГц.

    В статье [19] описываются результаты экспериментальных исследований, проведенных специалистами фирмы STMicroelectronics (ST) для комбинаций транзисторов различных классов. В частности, исследовались МОПТ (Power MOS) типа SGSP321, SGSP352 и мощные БПТ типа BUX48, BU508 и др. Так, у транзистора BUX48 ( Ucer = 850 В, Ic = 15 А, PD = 175 Вт) при импульсном токе 10 А было получено: при базовой коммутации — tf= 0,2 мкс и tf = 2 мкс, а при эмиттерной коммутации — tf = 0,1 мкс и tf = 0,5 мкс (преимущества очевидны). В настоящее время фирма STMicroelectronics выпускает гибридную реализацию рассмотренной комбинации (Emitter Switched Bipolar Transistor, ESBT) [4, 20]. В таком приборе в одном корпусе смонтирована пара: высоковольтный БПТ-МОПТ, в которой транзисторы включены по каскадной схеме. Транзисторы ESBT (STMicroelectronics) имеют следующие параметры:

    • STC08DE150HV: UCES = 1500 В, Ic = 8 А, PD = 156 Вт, UCES = 0,6 В, RDS on = 0,075 Ом; tf/ts = 8,5/526 нс;
    • STC03DE170HV: UCES = 1700 В, Ic = 1,8 А, PD = 100 Вт, UCES=- 1 В, RDS on= 0,55 Ом; tf/ts= 14/760 нс,
    • STC08DE220HV: UCES = 2200 В, Ic = 6А, PD = 166 Вт, UCES=1 В, RDS on= 0,55 Ом; tf/ts = 20/526 нс,

    Заметим, что у MOSFET с UDSS = 1500 В пока сопротивление в открытом состоянии значительно больше, тем более, что такие транзисторы значительно дороже. Значение напряжения насыщения UCE at. порядка 0,6-1 В, благодаря чему минимизированы потери проводимости. А небольшая величина «хвостового» тока минимизирует потери переключения (динамические потери). Все транзисторы семейства ESBT поставляются в 4-выводных корпусах ТО-247.

    Собственно биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, или Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) был создан в 1982 году специалистами фирмы General Electric. Этот транзистор представляет собой сочетание входного MOSFET-транзистора с выходным мощным биполярным рnр-транзистором. В кристалле единичные IGBT размером порядка 10 мкм объединены («запараллелены») в количестве сотен (дискретные IGBT-транзисторы) или тысяч (модули IGBT). Наибольшее применение в IGBT нашла практическая модель, которая имеет паразитную рnрn-структуру, образованную совместно с nрn-транзистором (дополнительный маломощный биполярный транзистор) [7]. Этот транзистор нормально заперт благодаря шунтированию его эмиттер-базового перехода внутренним, сравнительно низкоомным резистором. Вместе с основным силовым биполярным транзистором образовавшаяся структура создает глубокую внутреннюю положительную обратную связь. Такая связь создает предпосылки для образования тиристорного эффекта — эффекта «защелкивания». Иными словами, скорости изменения коллекторного напряжения dUc/dt и тока dIc/dt реально должны быть ограничены во избежание «защелкивания», что было особенно характерно для ранних моделей.

    Высоковольтные IGBT сочетают в себе как достоинства мощных MOSFET и биполярных транзисторов, так и их недостатки:

    • Большое значение максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер UCE max (UCES), которое может составлять от 600 до 1700 В и более.
    • IGBT управляются напряжением (зарядом) и имеют большое входное сопротивление (мОм), так же как и MOSFET.
    • Транзисторы нормально закрыты и открываются при такой же, как у MOSFET, величине порогового напряжения на затворе (UGS th= 2-4 В).
    • IGBT обладают большей перегрузочной способностью в импульсном режиме, чем биполярные транзисторы, но меньшей, чем MOSFET.
    • Напряжение на переходе коллектор-эмиттер IGBT в открытом состоянии UCES мало зависит от коллекторного тока I, (для современных приборов UCE at = 2,0-4,5 В).
  5. Заряд, накопленный в базе мощного рnр-транзистора, вызывает «хвост» при выключении IGBT от 0,25 до нескольких микросекунд в зависимости от разновидности (класса) прибора.

Отметим также, что IGBT занимают меньшую площадь кристалла по сравнению с MOSFET и, значит, дешевле. К существенным проблемам в управлении этих приборов можно отнести «высокопотенциальность» источника питания затвора. Речь идет о том, что между базой (не выведена) и эмиттером (выведен) силового (биполярного) транзистора в IGBT всегда присутствует высокое напряжение UCE, пока он заперт. В то время как у обычного MOSFET, который нормально заперт, потенциал затвора отличается от потенциала истока не более чем на ≈±20 В. При некоторых проверках (по ТУ) затвор MOSFET закорачивается с истоком. В связи с этим требования к схемам управления и драйверам для MOSFET-приборов значительно снижены, по сравнению с похожими проблемами, которые необходимо преодолеть для IGBT, где, например, нужна защита от понижения напряжения затвора менее +8 В [9].

Особенности обеспечения защиты перехода затвор-эмиттер IGBT аналогичны рекомендациям для цепи затвор-исток MOSFET. Дополнительные рекомендации для применения IGBT:

  • Необходимо предусматривать ограничение скорости изменения коллекторного напряжения и тока с запасом относительно предельных значений dUjdt и dIJdt, что одновременно снижает уровень электромагнитных помех.
  • Для большинства IGBT величина коллекторного тока при КЗ не должна превышать 5-10-кратного максимального значения (с учетом температуры) и в течение ограниченного интервала времени (например, 10 мкс).

Подчеркнем, что основные достоинства IGBT проявляются в основном при рабочих частотах примерно от 1 до 100 Гц, то есть актуально применение этих приборов в устройствах управления электроприводом, в инверторах для мощных ИБП с ШИМ- и ЧИМ-управлением и т. п.

Основные характеристики IGBT:

  1. Предельные параметры:00
  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер UCES (UCE max)
  • максимальный ток коллектора ID;
  • максимальная рассеиваемая мощность PD (PCE max).
  • Напряжение насыщения на коллекторе в открытом состоянии UCE обуславливающее статические потери мощности в транзисторе.
  • Параметры быстродействия:
    • время задержки включения ton;
    • время нарастания сигнала в силовой цепи tr;
    • время задержки выключения td off;
    • время спада сигнала tf;
    • время рассасывания trr встроенного антипараллельного диода.
    • Энергия единичного переключения Etot или выключения Eoff, определяющая динамические потери.

При разработке современных и новых IGBT основное внимание уделяется совершенствованию их структуры и технологии изготовления. Были разработаны транзисторы с «проколом» базы (Punch Through, PT, или эпитаксиальная структура) и без «прокола» базы (Non Punch Through, NPT, или гомогенная структура). Так, в моделях IGBT фирмы Advance Power Technology (APT) используется технология PT IGBT MOS 7, которая позволяет сбалансировать потери проводимости (статические потери) и потери на переключение (динамические потери) [21]. Технология PT IGBT MOS 7 практически идентична другим технологиям IGBT, но отличается от них комбинацией инжектирующего слоя р+ и буферного слоя n+. Благодаря наличию буферного слоя n+ контролируется коэффициент передачи тока транзистора за счет ограничения числа дырок, которые первоначально были введены в область дрейфа. Поскольку время жизни неосновных носителей в буферном слое значительно ниже, чем в дрейфовой области, то буферный слой поглощает захваченные дырки в момент выключения. В дополнение к этому «хвостовой» ток в PT IGBT контролируется ограничением общего времени неосновных носителей до того момента, когда они рекомбинируют. Это свойство называется управлением времени жизни неосновных носителей.

Высокой скорости переключения также способствует металлическая полосковая технология затвора. В результате этого приборы фирмы APT обладают более низким эквивалентным сопротивлением затвора — EGR (доли Ом), что существенно меньше, чем у приборов с поликремниевым затвором. Другие преимущества «полоскового» затвора: равномерное и быстрое возбуждение затвора; большая устойчивость к возможным дефектам, неизбежным при производстве; повышенная надежность при работе транзисторов с высоким током и при большой температуре. Управление PT IGBT MOS 7 практически идентично управлению MOSFET Power MOS 7 и допускает практически прямую замену устройства управления при выходном напряжении 12-15 В.

Авторы не обнаружили сведений о реальных разработках и тем более выпуске отечественных IGBT. Наиболее вероятное объяснение этому заключается, по нашему мнению, в следующем. В конце 1980-х годов в СССР не было серьезных наработок в этой области, и в трудные 1990-е годы российские предприятия не имели ни средств, ни возможностей восполнить этот пробел в силовых компонентах. В таком положении некоторые предприятия, например, такие как ОАО «Электровыпрямитель», предпочли сосредоточиться на разработке и выпуске IGBT-интегрированных силовых модулей, используя сотрудничество с ведущими зарубежными фирмами. В таблице 2 представлены технические характеристики некоторых зарубежных IGBT по данным [15, 17, 18].

Основная масса моделей дискретных IGBT-транзисторов производится по-прежнему с напряжением UCES = 600 В, при котором возможно обеспечить наибольшее быстродействие и частоту коммутации до 150 кГц. Для достижения такой высокой частоты использовались технологии WARP, NPT IGBT, Power MOS 7 IGBT, HiPer Fast IGBT. 600-В транзисторы характеризуются более низкими значениями напряжения насыщения — в среднем UCE sat<3 В. Эти транзисторы наилучшим образом подходят для реализации высокочастотных импульсных источников с питанием от однофазной сети переменного тока 220 (230) В; 50 (60, 400, 500) Гц. Напряжение UCES = 900 В, на которое «рассчитаны», например, транзисторы IXGH12N90C (IXYS) и IRG4P50WD (IR), по сути, являлось промежуточным на пути к разработке и массовому освоению более высоковольтных транзисторов (>1200 В). В настоящее время по масштабам выпуска IGBT с напряжением UCES = 1200 В приближаются к транзисторам с напряжением 600 В. Напряжение насыщения у IGBT-приборов в среднем составляет 3-3,5 В. Быстродействующие модели 1200-В транзисторов используются в высокочастотных инверторах и преобразователях импульсных ИВЭ с питанием от трехфазной сети переменного тока 3·220 (230) В («звезда») или 3·380 В («треугольник») с частотой 50 (60, 400, 500) Гц.

Транзисторы с напряжением 1700 В перестали быть редкостью. Приведенный в таблице 2 IGBT-прибор фирмы IXYS типа IXGH32N170 (IXBT32N170) имеет следующие основные параметры: UCES = 1700 В; IC = 32 А (110 °С) и 75 А (25 °С); PD = 350 Вт; =3,3 В. Параметры быстродействия: td on = 45 нс; tr = 38 нс; td off = 270 не и tf= 250 нс. Область безопасной работы (RBSOA/SSOA) составляет при индуктивной нагрузке: 90 Ах(0,8 UCES = 1360 В). Упомянутый транзистор с индексом IXGH выполнен в корпусе ТО-247AD, а c индексом IXBT — в корпусе ТО-268 для поверхностного монтажа. В последнее время появились и более высоковольтные транзисторы на напряжения 2500, 3000 и 4000 В, например, IXLF19N250A, IXGF20N300 и IXGF30N400 соответственно (таблица 2). Они имеют приемлемые значения напряжения насыщения UCE sat<4 В, но являются низкочастотными (не быстродействующими). Так, время спада tf у них составляет 0,25-0,5 мкс. Для таких транзисторов были специально разработаны корпуса типа ISOPLUS-264 и ISOPLUSi4-Pack с напряжением гальванической изоляции не менее 2500 Вэф. Лидером в разработке и производстве высоковольтных дискретных IGBT является фирма IXYS.

Таблица 2. Основные характеристики силовых зарубежных IGBT
Наименование Фирма Технология UCES, в Ic*/Ic, А (T*//25 °С) PD (PCE max), Вт UCE(sat),B IGBT: tdon/tr//tdoff/tf нс Диод: tn, нс Etot, (Eoff), мДж

Диапазон частот, кГц Корпус [Rth JC, °С/Вт]

APT30GT60BRDQ2 APT NPT lGBT 600 30*/64 250 2,5 12/20//245/100 1,4(0,83) До 100 ТО-247
APT40GT60BR NPT lGBT 600 40*/80 345 2,5 30/110//310/500 Вез диода 1,75-4,0 До 150 ТО-247
APT30GP60B Power MOS 7lGBT 600 49*/100 463 2,7 13/18//55/46 (0,25) 100 (400 B/37 A); 200 (400 B/24 A) ТО-247 [0,27]
APT45GP120B2DG2 Power MOS 7 lGBT 1200 54*/113 625 3,3 (тип) 18/29//100/38 (0,95) 100 (800 B/16 A) T-MAX [0,12]
APT75GP120B2G Power MOS 7 lGBT 1200 91*/100 1042 4,5 (тип) 20/40//163/56 (2,5) 100 (800 B/24 A) T-MAX [0,2]
lRG4PF50WD

lR

WARP 900 28*/51 200 2,7 26/220 Вез диода   20-100 ТО-247AC
lRG4PH40KD 1200 21*/41 160 3,0 (тип) 42/32//240/510 95 (1,93) ТО-247 [0,77]
lXBH42N170A

lXYS

1700 21*/42 350 4,5 (тип) 25/35//230/50 330 (2,8) TO-247AD [0,35]
lXGH32N170 NPT lGBT 1700 32*/75 350 3,3 45/38//270/250 Вез диода (11,0) TO-247AD [0,35]
lXGX100N170 NPT lGBT 1700 100*/170 350 3,0 45/38//270/250 Вез диода (11,0) PLUS-247 [0,15]
lXLF19N250A NPT lGBT 2500 32 3,3 -/50//-/250 ISOPLUSi4-Pack) [0,5]
lXGF20N300 NPT lGBT 3000 /22 3,2 -//-/210 ISOPLUSi4-Pack [1,25]
lXGF30N400 NPT lGBT 4000 15*/30 3,1 -//-/514 ISOPLUSi4-Pack [0,78]
lXGH12N90C HiperFast lGBT 900 12*/24 100 3,0 20/20//135/70 Вез диода ТО-247
lXGH50N60C2 HiPer Fast lGBT 600 50*/75 400 2,7 18/25//115/48 Вез диода (0,38-0,7) До 150 TO-247AD

Примечание:
Т* — максимальная рабочая температура (90 или 110 °С).

В заключение отметим, что IGBT-транзисторы c TrenchStop (+Fieldstop) структурой имеют более низкое напряжение насыщения и значительно меньшие (на 40%) потери, по сравнению с NPT-транзисторами, при этом потери переключения не возрастают. Помехозащищенность структур с «утопленным» затвором лучше, чем у планарных приборов. Достоинства TrenchStop IGBT — в очень высокой прочности и стойкости к коротким замыканиям. Также важно повышение надежности и уменьшение вносимых электромагнитных помех — по сравнению со стандартными NРТ IGBT.

 

Интегрированные силовые модули

Успехи в развитии MOSFET и IGBT способствовали прогрессу в развитии силовых модулей на их основе. Силовые модули разделяются на стандартные и интегрированные (интеллектуальные) силовые модули — Integrating Power Switches (IPM).

Объемы выпуска силовых модулей непрерывно растут, а области их применения постоянно расширяются:

  • инверторы, преобразователи энергии;
  • устройства регулирования электропривода постоянного и переменного тока;
  • коммутационная и защитная аппаратура. В IPM используются следующие полупроводниковые структуры:
  • диодно-тиристорные структуры, в том числе с запираемыми тиристорами (IGCT);
  • MOSFET-структуры: чопперы (ключ с последовательным диодом), полумосты и мосты с антипараллельными диодами в ключах;
  • IGBT-структуры: чопперы, полумосты, одно- и трехфазные мосты (6 IGBT) с антипараллельными диодами в ключах;
  • комбинация выпрямительного диодного моста с инвертором в одно- и трехфазном инверторном мосте (6 IGBT) с добавлением «тормозного» ключа (7-й IGBT в трехфазном модуле);
  • более интегрированные MOSFET- и IGBT-структуры со встраиванием силовых управляющих драйверов.

По мнению авторов, такие силовые модули, как чопперы и полумосты, следует относить к IPM невысокой степени интеграции (иногда их называют стандартными). Однофазные и трехфазные MOSFET- и IGBT-мосты с антипараллельными диодами силовых ключей можно отнести к IPM средней степени интеграции. И наконец, упомянутые структуры со встроенными интегрированными драйверами уже представляют собой IPM высокой степени интеграции [22].

Интегрированные силовые модули на основе MOSFET выпускаются на напряжения до 400 (600) В и на токи 20-400 А, то есть на мощность не более 10-20 кВт. Это объясняется тем, что при напряжениях более 600 В (800-1000 В) существенно возрастает их стоимость, по сравнению с IGBT-модулями. Поэтому если существует необходимость использовать IPM на MOSFET на большее напряжение в каких-то применениях, то обычно используется их последовательное включение по питанию. Для получения больших токов прибегают к параллельному соединению таких структур. Отметим, что подобные решения используются и при выполнении IPM-IGBT на напряжения 2500 В (3300 В) и выше в энергетических устройствах и системах. Такой способ может оказаться более дешевым и более надежным.

Ведущие зарубежные фирмы—IXYS, Infineon, APT, IR, Fairchild, Semikron, Mitsubishi — выпускают широкую гамму IPM на напряжения 600, 1200, 1700, 2500, 3300, 4500, 6300, 10 000 В. Токи нагрузки таких IPM — от 30-100 А (мини-IPM) [22], а токи до 4500 А — у IPM супербольшой мощности (в различном исполнении и для различных применений). Здесь ограничимся рассмотрением IPM и их применением только на основе перспективных MOSFET- и IGBT-модулей, не затрагивая диодно-тиристорных и симисторных модулей.

Возможности интегрированных силовых модулей достаточно подробно описаны в работах [22-30], а в обобщенном виде — в статье авторов [25]. Поэтому в рамках данной статьи рассмотрим вкратце только некоторые IPM. IPM для импульсных ИВЭ Фирмы IXYS [15] и Infineon [16] разработали и выпускают силовые модули для сетевых ИВЭ (AC/DC-преобразователей): узлы активного корректора коэффициента мощности (ККМ/PFC) и работающего на него инвертора — с использованием MOSFET-ключей. В работе [26] авторов этой статьи приведен пример схемы импульсного ИВЭ с выходной мощностью 1200 Вт (27 В/45 А) с применением IPM фирмы IXYS. В частности, применены:

  • ККМ-модуль типа VUM33-05N — однофазный выпрямительный мост и MOSFET-чоппер.
  • MOSFET-модуль типа VHM40-06P1 в схеме однотактного прямоходового преобразователя напряжения («косой» мост). Параметры VHM40-06P1 (CoolMOS) для каждого из двух MOSFET: UDSS = 600 В, ID = 38 А, RDS on =0,07 Ом; время нарастания tr/время спада t^· — 95/10 нс. У встроенных антипараллельных диодов: URRM = 600 В, IFM = 18,5 А, время восстановления trr = 70 нс (ток 10 А).

IPM для регулируемого электропривода

Для использования в электроприводах малой мощности фирма International Rectifier (IR) [18] предложила интегрированные силовые модули платформы PlugeN&Drive в серии IRAMxxUP60x. Это трехфазные инверторы для управления электроприводом с мощностью от 600 до 2500 Вт. Они имеют следующие параметры IGBT:

  • IRAMS10UP60B: UCES = 600 В, Ic= 10 А (25 °С) — для электропривода до 750 Вт;
  • IRAMY20UP60B: UCES = 600 В, Ic=20 А (25 °С) — для электропривода до 2500 Вт.

Предложены две версии модулей — «А» и «В». Версия «А» использует 3-фазный мост на IGBT: 6 кристаллов 600-вольтовых IGBT (NPT, 5-го поколения) и 6 антипараллельных диодов — с открытыми эмиттерами нижних плеч. Версия «В» — та же структура, но с включением силового шунта для контроля тока в нулевой провод.

Фирма SEMIKRON в 2004 г. создала платформу конфигурации B6U+B6C1 (то есть 3-фазный выпрямитель + инвертор), названную платформой SEMIKUBE [23]. Она предназначена для построения приводов мощностью 75-1000 кВт. Концепция SEMIKUBE позволяет обеспечить широкий ряд мощностей за счет небольшого набора стандартных базовых блоков — «кубиков». Блок состоит из силового каскада со звеном постоянного тока, платы драйвера, осуществляющей функции управления, защиты и мониторинга, а также набора датчиков для осуществления этих функций. Модели SEMIKUBE применяются в приводах асинхронных двигателей, а также в системах выработки электроэнергии. Условия эксплуатации модулей SEMIKUBE: напряжение питания переменного тока — 3·400 В, 50 Гц или 3·460 В, 60 Гц; частота ШИМ — 3 кГц; cosφ = 0,85; Токр = 40 °С. Выбор класса напряжения IGBT определяется типом питающей сети. Например, для сети стандарта 3·380 В, 50 Гц предназначены модули с напряжением 1200 В, а для сетей 3·690 В, 60 Гц — с напряжением 1700 В.

Серия миниатюрных модулей MiniSKiiP разработана фирмой SEMIKRON для использования в приводах мощностью до 30 кВт. На европейском рынке доля этих компонентов составляет до 46% для этого диапазона мощностей. В таблице 3 приведены основные характеристики модулей MiniSKiiP.

Таблица 3. Основные характеристики мини-интегрированных IGBT-модулей (mini-IPM) фирмы SEMIKRON
Тип Схема       IGBT     Выпрямитель
P, кВт UcES, В Ic, А   IC ном, A UCE (sat), B Rth JC, Ом Ifsm, A
SKiiP25NAD1066V1 CIB* 4,0 600 39 30 1,45 1,35 370
SKiiP26NAD1066V1 CIB 5,5 600 59 50 1,45 0,95 370
SKiiP37NAD1066V1 CIB 7,5 600 79 75 1,45 0,75 700
SKiiP25AC1124V1 6-pack** 15 1200 72 50 1,85 0,65

Примечание. Условно обозначены конфигурации mini-IPM:
* — CIB (Convertor-Inver^or-Brake) — 3-фазный выпрямитель в комплексе с 3-фазным инвертором, управляемым драйвером и тормозным чоппером;
** — 6-pack — 3-фазный инвертор, управляемый драйвером, и терморезистор.

Продолжая это направление, компания SEMIKRON разработала к 2008 г. новое поколение IPM с интегральным драйвером на основе технологии SOI, полностью исключающей защелкивание IGBT. Mini-IPM имеют стандартную конфигурацию для электропривода: входной 3-фазный мостовой выпрямитель, 3-фазный IGBT-инвертор, тормозной чоппер. Семиканальный драйвер в виде высоковольтной интегральной схемы вырабатывает управляющие импульсы для всех 6 транзисторов инвертора и еще для чоппера. Он также осуществляет защиту от токовых перегрузок. Входы управления драйвера совместимы и с ТТЛ-3,3 В и КМОП. И кристаллы транзисторов, и чип драйвера, и резисторы затворов установлены на одной плате. В таблице 4 приведена: особенности структуры, технология и основные технические характеристики IGBT-модулей некоторых зарубежных фирм (Infineon и IXYS).

Таблица 4. Основные технические характеристики интегрированных IGBT-модулей Infineon и IXYS
Тип Фирма Технология Схема     IGBT     Диоды
UCES, в Ic, А Ptot, кВт UCE sat, В QG/Eoff, мкКл/Дж Rth JC, Ом If, А
FF300R12ME4 Infineon Trench/Fieldstop Полумост + терморезистор 1200 300 1,6 2,1 2,25/25 0,094 300
FF1400R121P4   Trench/Fieldstop   1200 1400 7,65 2,05 9,6 0,0195 1400
FS450R1212KE4   Trench/Fieldstop 3-фазный инвертор (3 полумоста + терморезистор) 1200 675 2,25 2,1 3,3 0,066 450
MWI450-12E9 IXYS NPT3 IGBT   1200 640 2,2 2,2 3,3/47 0,057 450
MWI300-17E9   NPT3 IGBT   1200 500 2,2 2,3 (тип) 2,6/80 0,057 290 (80 °C)
MII200-12A4   NPT IGBT Полумост 1200 270 1,13 2,7 -/21 0,11 300
MK1100-12EB   NPT3 IGBT Полный мост 1200 115 (80°С)   2,0 -/10 0,19 200

Рабочее напряжение всех lGBT-модулей составляет 1200 В, максимальные токи — от 115 до 1400 А.

В 2004-2008 гг. отечественные фирмы ОАО «Электровыпрямитель» (г. Саранск) [26], ОАО «Контур» (г. Чебоксары) [30], ЗАО «Протон-Импульс» (г. Орел) и некоторые другие освоили ряд силовых модулей, в том числе и IPM, на высокие напряжения и большие токи. Так, в ОАО «Электровыпрямитель» [27] за последние 10 лет увеличено производство IGBT-модулей с 35 до 300 типов (в 10 конструктивных исполнениях). Это стало возможным благодаря помощи немецких фирм Infineon и Eupec, а также компании «Интех Электроникс» [28], представляющей их на российском рынке, что позволило ОАО «Электровыпрямитель» получить доступ к высоким технологиям в области силовой IGBT-электроники. На предприятии разработана и внедрена в производство серия IGBT-модулей на большие напряжения и токи: 600 В (50-4800 А), 1200 и 1700 В (50-3600 А), 2500 В (50-1500 А), 3300 В (50-1200 А) и 6500 В (25-600 А). Модули этой фирмы выпускаются по схемам одиночных ключей (МТКИ, МТКИ-1), чопперов (МТКИД, МДТКИ), полумостовых (М2ТКИ) и 3-фазных инверторов (М6ТКИ). Модули соответствуют международным стандартам и выпускаются на основе системы качества ISO 9001:2000. В статье [29] приведены некоторые параметры модулей ОАО «Электровыпрямитель», в частности, напряжение насыщения UCE satи оптимальная частота работы — в зависимости от технологии и рабочего напряжения. Заметим, что с повышением рабочего напряжения >1700 В увеличивается величина UCE satи заметно снижается оптимальная частота работы (с 5-20 до 0,5-1,5 кГц) — с учетом технологии изготовления.

В ОАО «Электровыпрямитель» разработаны и освоены в производстве IGBT-модули транспортного исполнения, предназначенные для преобразовательного оборудования подвижного состава российских железных дорог. Модули этой серии могут работать в условиях жестких климатических и механических воздействий. По заказу ОАО «РЖД» разработаны IGBT-модули с напряжением электроизоляции 13 кВ. Создание таких модулей решает проблему преобразования напряжения контактной сети 3000 В в стабильное напряжение бортового питания электровозов, независимо от всех возможных колебаний и перенапряжений в тяговых сетях. На их основе разработаны высоковольтные преобразователи частоты (ВПЧА) с выходной мощностью от 500 до 2000 кВт для электроприводов асинхронных двигателей с напряжениями 6 и 10 кВ.

Несколько слов об IGBT-модулях ОАО «Контур» [30]. Здесь с 1998 г. разработана: несколько десятков таких модулей на напряжения 6001700 В и большие токи (до 400 А). Модули производятся на базе кристаллов ABB Semiconductors. Выпускаются следующие типы модулей:

  • Одиночные ключи МТКИ с антипараллельным диодом: 1200 В, 200, 300, 400 A.
  • Нижние чопперы МДТКИ: 1200 В, 50, 75, 100, 150, 200 A.
  • Верхние чопперы МТКИД 1200 В, 50, 75, 100, 150, 200 A.
  • Полумосты М2ТКИ: 1200 В, 50, 75, 100, 150, 200A.
  • Шестиключевой мост МТКИ-100-12: 1200 В, 100 A.

Прочие характеристики модулей (собственно для IGBT): UCES = 2,1-2,2 B, Rh;=0,05-0,23 °С/Вт, td off = 500-800 нс.

IPM для автомобильной силовой электроники

Важным направлением в развитии интеллектуальных силовых модулей является их использование в так называемых гибридных транспортных средствах — гибридомобилях. Своим названием эти автомобили обязаны тому, что используют для движения комбинацию двигателя внутреннего сгорания с электродвигателем. Одним из первых такие модули начала разрабатывать и выпускать фирма SEMIKRON. Модули получили название SKAI (сначала SEMIKRON Automotive Inverter, а потом — SEMIKRON Advanced Integration). Но так как область применения таких модулей оказалась широкой (подъемники, транспортеры, погрузчики и др.), то окончательно за ними в некоторых вариантах закрепилось название SKADS (SEMIKRON Advanced Drive Systems). Сейчас в связи с повышением требований, прежде всего на Западе, к топливной эффективности (энергосбережению), безопасности и экологичности автомобилей заметно усилился интерес к гибридомобилям. Гибридные автомобили (Hybrid Electric Vehicles, HEV) работают и на бензине, и на электричестве (электрический двигатель) [25].

Для управления модулями, одиночными и полумостовыми, выпускаются драйверы (о них пойдет речь в последующих частях этой статьи).

Продолжение следует

Литература
  1. Ланцов В., Эраносян С. Электронная компонентная база силовых устройств. Часть 1 // Силовая электроника. 2009. № 5.
  2. Ланцов В., Эраносян С. Электронная компонентная база силовых устройств. Часть 2 // Силовая электроника. 2010. № 1.
  3. Кокорева И. Отечественная силовая электроника. Фирмы-производители // Электроника: НТБ. 2007. № 3.
  4. Шурыгина М. Дискретные силовые приборы. Расширение применения и специализация // Электроника: НТБ. 2007. № 3.
  5. Эраносян С., Ланцов В. Эволюция импульсных источников питания: от прошлого к будущему. Часть 2 // Силовая электроника. 2009. № 1.
  6. Прянишников В. Электроника: курс лекций. СПб.: Корона, 1998.
  7. Эраносян С., Ланцов В. Эволюция импульсных источников питания: от прошлого к будущему. Часть 5.2 // Силовая электроника. 2009. № 5.
  8. Слабухин А. Устранение паразитных колебаний, возникающих при параллельном соединении полевых транзисторов MOSFET // Силовая электроника. 2005. № 1.
  9. Ланцов В., Эраносян С. Надежность силовых устройств в России: мифы и реалии, проблемы и пути решения. Часть 3 // Силовая электроника. 2009. № 2.
  10. www.vzpp-s.ru
  11. Эраносян С., Ланцов В. Источники бесперебойного питания: новый подход к синтезу. Часть 2 // Силовая электроника. 2008. № 1.
  12. www.fzmt.ru
  13. Алферов. А., Гордеев А., Кирсанов Г., Крицкая Т., Машевич А., Обмайкин Ю. Новые высоковольтные силовые транзисторы с изолированным затвором // Силовая электроника. 2007. № 1. www.okbiskra.ru
  14. Гордеев А., Крицкая Т., Алферов А., Машевич А., Кирсанов Г., Обмайкин Ю., Чукин В. Новая серия DMOSFET-транзисторов // Силовая электроника. 2009. № 3.
  15. www.ixys.com
  16. www.infineon.com
  17. www.advancedpower.com
  18. www.irf.com
  19. High voltage transistors with power MOS emitter switching // SMART POWER. Application Manual. 1-st edition. STMicroelectronics, June 1989.
  20. www.st.com
  21. Щукина И., Некрасов М. Новая технология PT IGBT против мощных полевых транзисторов // Силовая электроника. 2004. № 1.
  22. Колпаков А. Mini-IPM — интеллект и компактность // Силовая электроника. 2008. № 4.
  23. Колпаков А. Инверторная программа SEMIKUBE — вопросы выбора // Силовая электроника. 2009. № 1.
  24. Башкиров В. Интеллектуальные силовые модули компании International Rectifier для электропривода малой мощности // Силовая электроника. 2005. № 1.
  25. Ланцов В., Эраносян С. Интеллектуальная силовая электроника: от настоящего к будущему // Силовая электроника. 2009. № 4.
  26. Ланцов В., Эраносян С. Интегрированные компоненты — основа построения современных источников питания // Силовая электроника. 2006. № 3.
  27. www.elvpr.ru
  28. Аксенов В., Бормотов А., Мартыненко В., Мускатиньев В, Чибиркин В. IGBT-модули производства ОАО «Электровыпрямитель» // Силовая электроника. 2006. № 2.
  29. Мускатиньев В., Мартыненко В., Чибиркин В., Бормотов А. ОАО «Электровыпрямитель» расширяет производство IGBT-модулей // Силовая электроника. 2008. № 3.
  30. Бандура Г., Пастухов В. Российские IGBT силовые модули производства ОАО «Контур» // Силовая электроника. 2007. № 1. www.kontur.chb.ru

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.

hentao pornnporn.com telugu chatting west indies open sex youpornhindi.com first night xxnx maja mallika tamil dirty story xxxfiretube.com teen xxnx xxxxu indianpornsearch.com pooja kumar sex 喉奥性感イラマ痴女 浜崎真緒 javsextube.com 君嶋真由 i love porn sexxxymovs.com mallusexvideos tomcat doujinshi bluhentai.com tiny boobs giant tits history sequel black dog hentai mobhentai.com hentai onee chan jammu blue film indiananalfuck.com indian incest xvideos mugen fc2 javwhores.mobi 巨乳 あげ افلام نيك مترجم cyberpornvideos.com طيذ momteachessex indianxxxonline.com house wife x videos 君嶋真由 freejavonline.mobi クローゼット 寝取られ sexx tamil indianfuckass.com bengali milf mia khalifa hard fuck pelisporno.org newsexstory