Для надежной защиты силовых полупроводниковых приборов от различного вида перегрузок необходимо устройство, обеспечивающее быструю реакцию на аварийное состояние и безопасное отключение силовых ключей. В силовой электронике эту функцию выполняет системный контроллер или драйвер, управляющий затворами IGBT-модулей. Как правило, задачей контроллера является формирование сигнала неисправности в сл...
IGBT-драйверы InPower Systems с программно-управляемыми характеристиками
В статье приводится обзор нового семейства интеллектуальных драйверов IGBT компании InPower, а также обсуждаются преимущества цифровой технологии для управления модулями IGBT большой мощности.
Новая серия интеллектуальных модулей на базе full gate CSTBT
Для повышения эффективности приводов и источников питания компания Mitsubishi Electric разработала новую серию интеллектуальных модулей V1, в которых используются кристаллы, выполненные по технологии full gate CSTBT (Carrier-Stored Trench Gate Bipolar Transistor), и специально разработанная интегральная схема драйвера. В диапазоне до 1200 В модули выпускаются на токи 200/300/450 A, до 600 В — н...
Побистор или IGBT и имитационное моделирование устройств на них
Первый прибор класса IGBT был создан в СССР еще в 1977 г. и назван побистором. На него было получено авторское свидетельство СССР на изобретение с запретом опубликования в открытой печати. В последующем приборы этого класса стали массовыми изделиями, вместе с мощными полевыми транзисторами существенно потеснившими на рынке мощные биполярные транзисторы и тиристоры, и были признаны перспективным... Методы оценки срока эксплуатации электролитических конденсаторов
Со времени изобретения электролитического конденсатора в 1921 г. эта технология позволила сделать ряд существенных шагов вперед в различных отраслях, связанных с преобразованием электрической энергии. В данной статье мы хотим ознакомить читателей с продукцией компании Jianghai Group, специализирующейся на производстве силовых электролитических конденсаторов высокого уровня качества. В основной,...
Si, GaAs, SiC, GaN — силовая электроника. Сравнение, новые возможности
В статье изложены предпосылки для создания в России мощной инновационной технологической программы и инфраструктуры в области ультрасовременных энергосберегающих технологий на базе силовой электроники. Материал имеет цель в том числе привлечь внимание руководителей ГК «Роснанотех», ГК «Ростехнологии», Комитета по науке и наукоемким технологиям Государственной Думы РФ, инновационного центра «Ско... Установки микросварки серии 45XX компании Kulicke&Soffa
Данная статья в большей степени ориентирована на технологов, инженеров и операторов, работающих с установками Kulicke&Soffa. В статье даются рекомендации по выбору инструмента и катушек для установок микросварки, рассматривает часто возникающие вопросы о значениях параметров ультразвуковой (УЗ) микросварки, которые должны быть установлены на оборудовании, в каких единицах они отображаются. Прив... Технологические особенности монтажа Flip-Chip
В статье рассмотрены технологические особенности процессов монтажа Flip-Chip
кристаллов интегральных схем на подложки, включая формирование объемных
выводов, применение анизотропных проводящих пленок, методов ультразвуковой
и термозвуковой пайки и сварки.
Школа MATLAB. Урок 14. Анализ, расчет и исследование корректора коэффициента мощности
Данная статья продолжает цикл ШКОЛА МATLAB в разделе Виртуальные лаборатории устройств силовой электроники в среде MATLAB-Simulink. В данном уроке исследуется корректор коэффициента мощности (ККМ) в однофазной сети переменного тока. Он строится на базе повышающего импульсного регулятора постоянного напряжения, рассмотренного в уроке 12. Содержание работы, методика ее проведения и представление ... 
