Моделирование зависимости ударного тока от длительности и числа импульсов прямого тока, протекающего через силовой полупроводниковый прибор
В статье приводятся аналитические выражения, описывающие зависимость ударного тока от длительности и числа импульсов прямого тока, протекающего через силовой полупроводниковый прибор. Путем сравнения теоретических расчетов с результатами компьютерного моделирования проверена адекватность полученных выражений.
Искробезопасный разделительный преобразователь vs барьер искрозащиты
В статье рассматриваются достоинства и недостатки искробезопасных разделительных преобразователей (ИРП) производства компании «ЭлеСи». Приведены технические характеристики преобразователей, подробно описаны особенности работы выпущенных ИРП серии ЕТ с входной и выходной искробезопасной электрической цепью уровня «ia», маркировкой взрывозащиты [Exia] IICХ по ГОСТ Р 51330.10-99 и маркировкой СЕ с...
Защитные функции современных драйверов IGBT
Для надежной защиты силовых полупроводниковых приборов от различного вида перегрузок необходимо устройство, обеспечивающее быструю реакцию на аварийное состояние и безопасное отключение силовых ключей. В силовой электронике эту функцию выполняет системный контроллер или драйвер, управляющий затворами IGBT-модулей. Как правило, задачей контроллера является формирование сигнала неисправности в сл...
IGBT-драйверы InPower Systems с программно-управляемыми характеристиками
В статье приводится обзор нового семейства интеллектуальных драйверов IGBT компании InPower, а также обсуждаются преимущества цифровой технологии для управления модулями IGBT большой мощности.
Новая серия интеллектуальных модулей на базе full gate CSTBT
Для повышения эффективности приводов и источников питания компания Mitsubishi Electric разработала новую серию интеллектуальных модулей V1, в которых используются кристаллы, выполненные по технологии full gate CSTBT (Carrier-Stored Trench Gate Bipolar Transistor), и специально разработанная интегральная схема драйвера. В диапазоне до 1200 В модули выпускаются на токи 200/300/450 A, до 600 В — н...
Побистор или IGBT и имитационное моделирование устройств на них
Первый прибор класса IGBT был создан в СССР еще в 1977 г. и назван побистором. На него было получено авторское свидетельство СССР на изобретение с запретом опубликования в открытой печати. В последующем приборы этого класса стали массовыми изделиями, вместе с мощными полевыми транзисторами существенно потеснившими на рынке мощные биполярные транзисторы и тиристоры, и были признаны перспективным...
Методы оценки срока эксплуатации электролитических конденсаторов
Со времени изобретения электролитического конденсатора в 1921 г. эта технология позволила сделать ряд существенных шагов вперед в различных отраслях, связанных с преобразованием электрической энергии. В данной статье мы хотим ознакомить читателей с продукцией компании Jianghai Group, специализирующейся на производстве силовых электролитических конденсаторов высокого уровня качества. В основной,...
Электронная компонентная база силовых устройств. Часть 4.3
Продолжено рассмотрение применяемых в настоящее время пассивных компонентов для силовых устройств, в том числе контакторов, пускателей, а также фильтров сетевых помех. Обзор дается для компонентов как отечественного, так и зарубежного производства.
Si, GaAs, SiC, GaN — силовая электроника. Сравнение, новые возможности
В статье изложены предпосылки для создания в России мощной инновационной технологической программы и инфраструктуры в области ультрасовременных энергосберегающих технологий на базе силовой электроники. Материал имеет цель в том числе привлечь внимание руководителей ГК «Роснанотех», ГК «Ростехнологии», Комитета по науке и наукоемким технологиям Государственной Думы РФ, инновационного центра «Ско...
Установки микросварки серии 45XX компании Kulicke&Soffa
Данная статья в большей степени ориентирована на технологов, инженеров и операторов, работающих с установками Kulicke&Soffa. В статье даются рекомендации по выбору инструмента и катушек для установок микросварки, рассматривает часто возникающие вопросы о значениях параметров ультразвуковой (УЗ) микросварки, которые должны быть установлены на оборудовании, в каких единицах они отображаются. Прив...
