Новая серия интеллектуальных модулей на базе full gate CSTBT

Для повышения эффективности приводов и источников питания компания Mitsubishi Electric разработала новую серию интеллектуальных модулей V1, в которых используются кристаллы, выполненные по технологии full gate CSTBT (Carrier-Stored Trench Gate Bipolar Transistor), и специально разработанная интегральная схема драйвера. В диапазоне до 1200 В модули выпускаются на токи 200/300/450 A, до 600 В — н...

Побистор или IGBT и имитационное моделирование устройств на них

Первый прибор класса IGBT был создан в СССР еще в 1977 г. и назван побистором. На него было получено авторское свидетельство СССР на изобретение с запретом опубликования в открытой печати. В последующем приборы этого класса стали массовыми изделиями, вместе с мощными полевыми транзисторами существенно потеснившими на рынке мощные биполярные транзисторы и тиристоры, и были признаны перспективным...

Методы оценки срока эксплуатации электролитических конденсаторов

Со времени изобретения электролитического конденсатора в 1921 г. эта технология позволила сделать ряд существенных шагов вперед в различных отраслях, связанных с преобразованием электрической энергии. В данной статье мы хотим ознакомить читателей с продукцией компании Jianghai Group, специализирующейся на производстве силовых электролитических конденсаторов высокого уровня качества. В основной,...

Электронная компонентная база силовых устройств. Часть 4.3

Продолжено рассмотрение применяемых в настоящее время пассивных компонентов для силовых устройств, в том числе контакторов, пускателей, а также фильтров сетевых помех. Обзор дается для компонентов как отечественного, так и зарубежного производства.

Si, GaAs, SiC, GaN — силовая электроника. Сравнение, новые возможности

В статье изложены предпосылки для создания в России мощной инновационной технологической программы и инфраструктуры в области ультрасовременных энергосберегающих технологий на базе силовой электроники. Материал имеет цель в том числе привлечь внимание руководителей ГК «Роснанотех», ГК «Ростехнологии», Комитета по науке и наукоемким технологиям Государственной Думы РФ, инновационного центра «Ско...

Установки микросварки серии 45XX компании Kulicke&Soffa

Данная статья в большей степени ориентирована на технологов, инженеров и операторов, работающих с установками Kulicke&Soffa. В статье даются рекомендации по выбору инструмента и катушек для установок микросварки, рассматривает часто возникающие вопросы о значениях параметров ультразвуковой (УЗ) микросварки, которые должны быть установлены на оборудовании, в каких единицах они отображаются. Прив...

Технологические особенности монтажа Flip-Chip

В статье рассмотрены технологические особенности процессов монтажа Flip-Chip кристаллов интегральных схем на подложки, включая формирование объемных выводов, применение анизотропных проводящих пленок, методов ультразвуковой и термозвуковой пайки и сварки.

Школа MATLAB. Урок 14. Анализ, расчет и исследование корректора коэффициента мощности

Данная статья продолжает цикл ШКОЛА МATLAB в разделе Виртуальные лаборатории устройств силовой электроники в среде MATLAB-Simulink. В данном уроке исследуется корректор коэффициента мощности (ККМ) в однофазной сети переменного тока. Он строится на базе повышающего импульсного регулятора постоянного напряжения, рассмотренного в уроке 12. Содержание работы, методика ее проведения и представление ...

Школа MATLAB. Урок 13. Исследование импульсного инверсного повышающего регулятора постоянного напряжения

Статья продолжает цикл в разделе «Школа МATLAB. Виртуальные лаборатории устройств силовой электроники в среде MATLAB-Simulink». В этом уроке исследуется импульсный инверсный повышающий регулятор постоянного напряжения. Содержание работы, методика ее проведения, параметры элементов, параметры моделирования и представление результатов моделирования аналогичны тем, которые использовались в предыду...

Проектирование бесконтактного выключателя аварийных режимов в тиристорном преобразователе повышенной частоты для индукционного нагрева металлов

В статье рассмотрены вопросы проектирования быстродействующей защиты от аварийных режимов тиристорных преобразователей частоты (ТПЧ), в частности — разработка для них бесконтактного тиристорно-конденсаторного выключателя (ТКВ). Во второй части статьи проведено исследование коммутирующей способности устройства защиты, приведена схемотехническая модель ТКВ и интервалы работы устройства защиты ТПЧ...