Новое семейство IGBT и диодных модулей IHV KE3 с рабочим напряжением 6,5 кВ от Infineon

Компания Infineon Technologies объявила о выходе на рынок третьего поколения IGBT и диодных модулей с рабочим напряжением 6,5 кВ. В данную линейку входят одиночные ключи, чопперы и диодные модули (два диода). Они изготовлены по новейшим технологиям Trench Field Stop для IGBT и ECD для диодов (Emitter Controlled Diode). Диапазон токов модулей — 250–750 А.

Структура канавочного затвора (Trench Gate), используемая Infineon, значительно снижает потери проводимости в IGBT. В сочетании с оптимизированными переключательными характеристиками это позволяет устанавливать новые стандарты в высокоэффективных приложениях. Более того, модули данной линейки обладают на 25% большей плотностью тока в стандартном высоковольтном корпусе IHV.

Семейство KE3 — улучшенная и расширенная по номенклатуре замена для семейства KF2, которое в ближайшее время будет снято с производства. Улучшение характеристик семейства KE3 по сравнению с семейством KF2:

• Увеличенная плотность мощности: плотность тока на 25% больше по сравнению с предыдущими семействами.
• Устойчивость к перегрузкам, повышенная надежность и срок службы: увеличенная наработка на отказ и меньшая стоимость обслуживания.
• Увеличенная долговременная стабильность на постоянном токе: устойчивость к космической радиации VCEd (Tvj = +25 °C, 100 fit) повышена с 3700 до 3800 В.
• Наименьшее в классе тепловое сопротивление: расширена площадь обратного диода для более низкого сопротивления Rthjc (хорошо подходит для рекуперативного торможения).
• Величина I2t увеличена с 165 до 470 кA2с.
• Отличное поведение при коротком замыкании: отсутствие колебаний тока в диапаоне –40…+125 °C.
• Минимальная температура хранения снижена с –40 до –55 °C;
• Минимальная рабочая температура снижена с –40 до –50 °C.

Области применения: интеллектуальные сети электроснабжения (Smart Grid), транспорт, возобновляемые источники энергии, приводы среднего напряжения.