Устранение паразитных колебаний, возникающих при параллельном соединении полевых транзисторов MOSFET

Основная проблема при параллельном включении MOSFET полевых транзисторов — возникновение паразитных колебаний. В статье рассмотрены причины возникновения паразитных колебаний в полевых транзисторах компании Advanced Power Technology, исследованы методы их устранения и доказано, что добавление к базе транзистора индуктивности типа ферритового цилиндра (Ferrite bead) является наиболее оптимальным...

Унифицированная серия драйверов для IGBT силовых модулей

Надежная работа преобразователей частоты и импульсных источников питания на основе IGBT во многом определяется как надежностью применяемых силовых ключей, так и организацией правильного управления и защиты IGBT силовых модулей. Эти функции и обеспечиваются драйверами управления IGBT. В данной статье представлена последняя серия драйверов, разработанных в ОАО «Электровыпрямитель» и применяемых в...

Тиристорный ограничитель напряжения холостого хода сварочного трансформатора типа КЗУСТ

В статье приведены результаты разработки, производства и использования комбинированных защитных устройств сварочного трансформатора типа КЗУСТ. Устройство обеспечивает безопасное выполнение сварочных работ на переменном токе и экономию электроэнергии. За счет высокой чувствительности исключает помеху сварщику при зажигании дуги. КЗУСТ снабжено защитой, а также системой диагностики и измерения с...

Сравнительный анализ эффективности ключевых силовых транзисторов с полевым управлением

В статье рассматривается очередной этап совместной работы специалистов НИЦ СПП ВЭИ и кафедры ПЭ МЭИ по разработке новых силовых транзисторов, собранных по каскодной схеме и управляемых по затвору МОП структурой.

Сравнительные экспериментальные исследования силовых модулей IGBT и модулей на основе комбинированных СИТ-МОП полевых транзисторов

В статье приводятся сравнительные исследования комбинированных полупроводниковых ключей, реализованных на базе IGBT и комбинированного СИТ-МОП полевого транзистора (КСМТ) как полных функциональных аналогов.

Специализированное решение контроля электрических параметров кристаллов IGBT и FRD

В статье приводится описание одного подхода к решению проблем, связанных с измерениями электрических параметров, классификации и электрических испытаний кристаллов IGBT и FRD. Описан технологический маршрут классификации разделенных кристаллов, который позволяет реализовать высоковольтные и сильноточные электрические режимы и контролировать не только статические параметры, но оценивать и измеря...

Современная отечественная элементная база для силовых полупроводниковых приборов

Силовые полупроводниковые приборы являются важнейшей элементной базой каждого преобразовательного устройства. Так же, как и электронные компоненты схем управления, эти приборы оказывают большое влияние на эффективность всей преобразовательной системы.

Симисторы (триаки) от Philips Semiconductors

Симистор (или триак — от англ. triac) — полупроводниковый элемент, предназначенный для коммутации нагрузки в сети переменного тока.

Новые полупроводниковые гибридные силовые модули с оптической развязкой серии МГТСО

В схемах с большой частотой переключений на смену традиционным электромагнитным реле пришли силовые полупроводники с оптической развязкой. К изделиям этого типа относятся хорошо зарекомендовавшие себя на практике силовые оптронные тиристоры (ТО), оптронные симисторы (триаки) и полупроводниковые силовые модули на их основе (МТОТО).

Расчет тока рабочей перегрузки симисторов (триаков)

В статье представлена методика расчетов тока рабочей перегрузки симисторов, позволяющая правильно выбрать тип симистора под заданный режим эксплуатации на основании технических характеристик, указываемых производителем.