
Доступны варианты с однополярным выходом 8 и 9 В или асимметричным +7/–1, +15/–3 и +20/–5 В. Данные напряжения закрывают требования к новейшим IGBT, кремниевым КМОП-транзисторам и элементам GaN HEMT. Модули обеспечивают прочность изоляции 5,2 кВ/1 мин и сертифицированы в соответствии с UL/IEC/EN 62368-1, CAN/CSA-C22.2 No62368-1, а также EN 61204-3. Класс A по ЭМС в соответствии с EN 55032 обеспечивается без обвязки, а класс B с простейшим LC-фильтром. Выходная мощность 3 Вт подходит не только для мощных IGBT, но и для ключей SiCи GaN на высоких частотах переключения.
Доступны варианты с ...