Особенности построения импульсных преобразователей с гальванической развязкой.
Часть 3

Обеспечение качественным и безопасным питанием электрооборудования судов ставит перед проектировщиками задачу использования приборов с применением гальванической развязки. Использование гальванической развязки - одно из обязательных требований технических заданий на создание преобразовательной техники для обеспечения безопасности эксплуатации аппаратуры.

Особенности построения импульсных преобразователей с гальванической развязкой.
Часть 2

В первой части статьи были обозначены основные ограничительные (снабберные) схемы, которые позволяют рассеивать энергию, накопленную в индуктивности рассеяния. Рассмотрим каждую из них более подробно.

Особенности построения импульсных преобразователей с гальванической развязкой.
Часть 1

Обеспечение качественным и безопасным питанием электрооборудования судов ставит перед проектировщиками задачу использования приборов с применением гальванической развязки. Использование гальванической развязки — одно из обязательных требований технических заданий на создание преобразовательной техники для обеспечения безопасности эксплуатации аппаратуры.

Двухфазный повышающий конвертер как звено системы автоматического управления

В статье рассматриваются двухфазные повышающие конвертеры, приводится описание их работы в качестве звена системы автоматического управления, определяются динамические характеристики, получены передаточные функции двухфазного повышающего конвертера по напряжению нагрузки и по входному току.

Трехуровневый повышающий преобразователь:
непрерывные и прерывистые токи, несимметричный режим работы

Растущая необходимость в более эффективном производстве, распределении и преобразовании электроэнергии заставляет проводить исследования новых топологий преобразователей. В статье сравниваются важные параметры многоуровневых и трехуровневых повышающих преобразователей (ТПП), выполненных на основе переключающих конденсаторов и ограничительных диодов. Основное внимание уделено трехуровневому повы...

Выбор наилучшего силового ключа для источников питания по величине заряда затвора

Улучшенные характеристики новых компонентов силовой электроники позволяют использовать более высокие частоты преобразования и создавать более компактные импульсные источники питания (ИП). Предполагается, что в скором времени на смену традиционным компонентам (MOSFET или IGBT) придут новые полупроводниковые приборы, такие как полевые МОП-транзисторы с суперпереходом или полевые транзисторы на ос...

Нелинейные дискретные структурные динамические модели силовых частей импульсных ППН

Структурные динамические модели, построенные из звеньев направленного действия, являются эффективным средством анализа и синтеза систем управления и, в частности, импульсных преобразователей. Они наглядно показывают причинно-следственное взаимодействие элементов систем, облегчают исследование систем по частям, пригодны как для аналитического исследования, так и для моделирования, например в сис...

Трехуровневый повышающий преобразователь напряжения

В статье освещены особенности трехуровневого повышающего преобразователя (ТПП), которые инженер-разработчик должен принимать во внимание перед принятием решения об использовании данной топологии. Рассмотрены регулировочная характеристика (РХ), потери в компонентах, малосигнальные модели и режим запуска. Теоретический анализ подтвержден моделированием. Эксперименты выполнены на двух макетах: на ...

Электромагнитные процессы в трансформаторно-емкостных источниках неизменного тока

В статье анализируются электромагнитные процессы в оригинальных схемах индуктивно-емкостных преобразователей (ИЕП), обеспечивающих неизменный ток нагрузки, а именно в трансформаторно-емкостных преобразователях (ТЕП). Они обладают улучшенными технико-экономическими показателями по сравнению с классическими ИЕП и могут найти широкое применение в системах питания неизменным током. В работе даются ...

Новое поколение SiC MOSFET в DC/DC-преобразователе с жестким режимом переключения

По сравнению с SiC JFET или SiC биполярными транзисторами, N-канальные SiC MOSFET являются наилучшей заменой для обычных кремниевых MOSFET или IGBT благодаря более простой структуре, легкости управления и низким потерям мощности. В марте 2013г. компания Cree начала коммерческий выпуск второго поколения SiC MOSFET, обладающего повышенной производительностью и меньшей стоимостью по сравнению с кл...