Управление изолированными затворами MOSFET/IGBT, базовые принципы и основные схемы

Поведение современных силовых ключей MOSFET/IGBT в динамических режимах во многом определяется скоростью коммутации емкостей затвора. Перезаряд этих емкостей осуществляется устройством управления (драйвером), от параметров которого во многом зависят характеристики всего преобразовательного устройства. Динамические токи затвора у мощных ключей могут достигать десятков ампер, что является главной...

Мощные и эффективные IGBT седьмого поколения от IR

В статье представлена линейка 7-го поколения IGBT-транзисторов компании International Rectifier. Эти транзисторы найдут свое применение в приборах современной силовой электроники, где важны частотные характеристики и низкие потери проводимости.

Детекторы дуговых разрядов серии PVAF компании Sensata для солнечных панелей

Компания Sensata Technologies представила новое семейство детекторов дуговых разрядов PVAF, предназначенных для предотвращения перегрева солнечных фотоэлектрических панелей. Детекторы дуги PVAF позволят производителям солнечных панелей разрабатывать оборудование, соответствующее требованиям стандарта National Electric Code 2011 (NEC 2011). В новых устройствах использован многолетний опыт космических разработок компании Sensata, направленный на обнаружение возникновения дуговых разрядов. Семейство PVAF соответствует требованиям UL 1699B и предназначено для применения в инверторах солнечных ...

Миниатюрные транзисторы МОП 600 В SuperJunction Power MOSFET от Toshiba

  Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) объявила о том, что технология транзисторов МОП нового поколения SuperJunction (SJ) DTMOS-IV Power MOSFET впервые доступна в низкопрофильном корпусе с малым контуром DFN. Новые транзисторы МОП 600 В DTMOS-IV MOSFET в корпусе DFN оптимально подходят для использования в высокоскоростных переключателях источников питания, дросселях освещения и других областях, требующих компактной альтернативы более распространенным устройствам D2PAK и DPAK. При номинальных значениях тока от 9,7 до более чем 30 А новые устройства семейства TKxV60W транзисторов ...

«Силовая Электроника 2013»: на пороге открытия

26–28 ноября 2013 года в Москве, в МВК «Крокус Экспо» пройдет 10-я, юбилейная Международная выставка «Силовая Электроника». На страницах отраслевого издания мы традиционно знакомим специалистов с новостями выставки и наиболее интересными экспонатами, которые привезут в столицу ее участники.

LDO-стабилизаторы напряжения для ответственных применений

ОАО «НПП «ЭлТом» разработала и серийно освоила в производстве линейные стабилизаторы с низким падением напряжения между входом и выходом категории качества «ВП»: маломощные универсальные LDO-стабилизаторы с регулируемым выходным напряжением 142ЕР3У; серия мощных (ток в нагрузке до 5 А) LDO-стабилизаторов с фиксированными выходными напряжениями 1303ЕН1.8П, 1303ЕН2.5П, 1303ЕН3.3П, 1303ЕН5П. Серия 142ЕР3У 1303ЕНххП Входное напряжение, В до 16 до 16 Выходное напряжение, В 2,2–7,5 1,8; 2,5; 3,3; 5 Выходной ток, А 0,2 5 Ток потребления, не более, мА 3 ...

DC/DC-преобразователи серии HiQP компании PICO Electronics с входным напряжением 125–475 В

Компания PICO Electronics представила новую серию высоковольтных DC/DC-преобразователей, предназначенных как для промышленных, так и для высоконадежных и военных применений. Серия HiQP DC/DC-преобразователей компании PICO Electronics работает с диапазоном входных напряжений 125–475 В, обеспечивая выходное напряжение 5–200 В и выходную мощность до 50 Вт. Она является продолжением уже производимой линейки 50-Вт DC/DC-модулей серии QP, отличаясь от них более высоким диапазоном входных напряжений: Серия Входное напряжение, В Выходное напряжение, В 6QP 4,5–9 5–500 12QP ...

Радиационно-стойкие силовые транзисторы MOSFET R8 от International Rectifier

Компания International Rectifier представила два высокоэффективных радиационно-стойких (RAD-Hard) силовых транзистора MOSFET, выполненных по технологии R8. Новинки оптимизированы для применений в регуляторах напряжения типа POL (point-of-load) космического уровня качества, размещаемых в непосредственной близости к нагрузке. Силовые транзисторы MOSFET R8 с логическим уровнем управления используют технологию trench (канавочная), которая обеспечивает чрезвычайно низкое сопротивление канала в открытом состоянии RDS(on) 12 мОм (тип.) и значение полного заряда затвора 18 нКл (тип.). Модель ...

Два новых семейства системных источников питания высокой мощности

Компания Agilent Technologies представила два новых семейства системных источников питания высокой мощности. Производительная система питания (Advanced Power System, APS) включает источники питания с выходной мощностью 1 и 2 кВт, которые предназначены для использования в составе автоматизированных испытательных систем для решения ответственных прикладных задач. В серию N8900 входят программируемые источники питания с выходной мощностью 5, 10 и 15 кВт и автоматическим переключением рабочих диапазонов, которые предназначены для использования в составе автоматизированных испытательных ...

Источники питания Mean Well для медицинского применения серии MSP-450

Компания Mean Well продолжает развитие линейки источников питания для медицинского применения и представляет новую серию низкопрофильной конструкции, соответствующей высоте блоков 1U — MSP-450. Таким образом, с учетом выпущенных ранее серий MSP-100 (100 Вт), MSP-200 (200 Вт) и MSP-300 (300 Вт) эта компания выпускает источники питания мощностью от 100 до 450 Вт, которые соответствуют международным стандартам безопасности для применения в медицинском оборудовании (уровень MOOP). Их можно использовать в медицинском оборудовании, не имеющем непосредственного контакта с пациентом. Источники ...