Компоненты силовой электроники

  Корпорация Mitsubishi Electric объявила о разработке нового интеллектуального силового модуля (Intelligent Power Module, IPM) и силового модуля литьевого прессования (Transfer Molded Power Module, T-PM), предназначенных главным образом для применения в электромобилях и гибридных автомобилях. Поставки тестовых образцов четырех моделей IPM и двух моделей T-PM серии J стартовало в июне 2011 г. Начало массового производство прогнозируется в марте 2013 г. Особенности модулей серии J Модули IPM отличаются повышенной безопасностью и обширной функциональностью. Они имеют оптимизированные ...

В статье рассматриваются достоинства и недостатки искробезопасных разделительных преобразователей (ИРП) производства компании «ЭлеСи». Приведены технические характеристики преобразователей, подробно описаны особенности работы выпущенных ИРП серии ЕТ с входной и выходной искробезопасной электрической цепью уровня «ia», маркировкой взрывозащиты [Exia] IICХ по ГОСТ Р 51330.10-99 и маркировкой СЕ с...

Для надежной защиты силовых полупроводниковых приборов от различного вида перегрузок необходимо устройство, обеспечивающее быструю реакцию на аварийное состояние и безопасное отключение силовых ключей. В силовой электронике эту функцию выполняет системный контроллер или драйвер, управляющий затворами IGBT-модулей. Как правило, задачей контроллера является формирование сигнала неисправности в сл...

В статье приводится обзор нового семейства интеллектуальных драйверов IGBT компании InPower, а также обсуждаются преимущества цифровой технологии для управления модулями IGBT большой мощности.

Для повышения эффективности приводов и источников питания компания Mitsubishi Electric разработала новую серию интеллектуальных модулей V1, в которых используются кристаллы, выполненные по технологии full gate CSTBT (Carrier-Stored Trench Gate Bipolar Transistor), и специально разработанная интегральная схема драйвера. В диапазоне до 1200 В модули выпускаются на токи 200/300/450 A, до 600 В — н...

Первый прибор класса IGBT был создан в СССР еще в 1977 г. и назван побистором. На него было получено авторское свидетельство СССР на изобретение с запретом опубликования в открытой печати. В последующем приборы этого класса стали массовыми изделиями, вместе с мощными полевыми транзисторами существенно потеснившими на рынке мощные биполярные транзисторы и тиристоры, и были признаны перспективным...

Со времени изобретения электролитического конденсатора в 1921 г. эта технология позволила сделать ряд существенных шагов вперед в различных отраслях, связанных с преобразованием электрической энергии. В данной статье мы хотим ознакомить читателей с продукцией компании Jianghai Group, специализирующейся на производстве силовых электролитических конденсаторов высокого уровня качества. В основной,...

Продолжено рассмотрение применяемых в настоящее время пассивных компонентов для силовых устройств, в том числе контакторов, пускателей, а также фильтров сетевых помех. Обзор дается для компонентов как отечественного, так и зарубежного производства.

В статье изложены предпосылки для создания в России мощной инновационной технологической программы и инфраструктуры в области ультрасовременных энергосберегающих технологий на базе силовой электроники. Материал имеет цель в том числе привлечь внимание руководителей ГК «Роснанотех», ГК «Ростехнологии», Комитета по науке и наукоемким технологиям Государственной Думы РФ, инновационного центра «Ско...

В статье изложены физические основы расчета потерь и средней их мощности в силовых полупроводниковых диодах и тиристорах при прохождении через них синусоидальных импульсов тока. Описана разработанная математическая модель, позволяющая строить частотные зависимости амплитуды этих импульсов в стационарных условиях работы приборов. На примере СПП ДЛ343-630-34 и МТ3-500 проведен сравнительный анали...