Последние достижения технологий высоковольтных IGBT

В настоящей статье рассматривается влияние космического излучения на частоту отказов мощных полупроводниковых устройств в условиях приложенного к ним высокого напряжения. Демонстрируется усовершенствованная конструкция модулей высоковольтных IGBT номинальным напряжением 6,5 кВ, позволяющая повысить долговременную стабильность при постоянном напряжении без ущерба электрическим характеристикам, а...

Широкий диапазон рабочих температур модулей высоковольтных биполярных транзисторов с изолированным затвором и высокой развязкой

Компания Mitsubishi Electric представила новую разработку — ВВ IGBT (высоковольтные биполярные транзисторы с изолированным затвором, HV-IGBT), объединенные в серию R. Это модули с высокой развязкой корпуса, которые могут использоваться в диапазоне температур –50…+150 °C. Их применение позволяет увеличить выходную мощность инвертора при сохранении прежнего размера оборудования.

Новые транзисторы NX6.1 для промышленного применения

Под сегодняшние требования рынка преобразовательной техники вновь были усовершенствованы IGBT-кристаллы, имеющие CSTBT-структуру (Carrier Stored Trench Bipolar Transistor), являющиеся надежной основой силовых модулей и обладающие низкими динамическими и статическими потерями. Модули поколения 6.1, представленные в этой статье, содержат в себе CSTBT-транзисторы и обратные диоды (FwD) и...

LV100 — полумостовой модуль для тяговых инверторов новых поколений

Статья посвящена новому типу полумостовых высоковольтных IGBT-модулей, разработанных, в первую очередь, для железнодорожных (ж/д) тяговых применений. Продукт получил название LV100 (Low Voltage 100) — ввиду напряжения изоляции 6 кВ и ширины корпуса 100 мм. Вторая модификация с напряжением изоляции 10,4 кВ носит имя HV100 (High Voltage 100). Обе версии имеют полумостовую топологию, а также идент...

Интеллектуальные силовые модули (IPM) серии L: низкие потери и помехи, новое управление

Новейшая разработка Mitsubishi Electric Corporation — серия L интеллектуальных силовых модулей (IPM) выделяется меньшими размерами корпуса, имеет малые потери благодаря применению 5-го поколения IGBT кристаллов (CSTBT) и низкие помехи благодаря новой схеме управления.