Эскизы контуров силовой электроники середины текущего века

Посвящается памяти нашего друга, коллеги, ученого, профессионала высочайшего уровня, одного из основателей отечественной силовой электроники — А. Н. Думаневича.

Новые возможности GaAs силовой электроники

Международные конфликты — это не что иное, как силовая форма передела количества потребляемой энергии. Треть производимой энергии на Земле — электроэнергия, или чуть больше 3 ТВт установленной мощности. Несмотря на то, что ежегодно вводится около 100 ГВт новых мощностей, электроэнергии хронически не хватает. Около 50% всей электроэнергии используется неэффективно, напрямую, без преобразования. ...

GaAs-диоды для PFC, SMPS, UPS, IPM, Solar Invertors и замены синхронных выпрямителей

Единственным эффективным инструментом снижения огромных мировых потерь электроэнергии является силовая электроника. Чтобы она стала более эффективной, необходимо обновить ее элементную базу, применяемые материалы, использовать такую новую технологию, которой еще нет в мировой практике. В этом суть инновации.В статье пойдет речь о новом направлении в мировой электронике: высоковольтной тех...

Si, GaAs, SiC, GaN — силовая электроника. Сравнение, новые возможности

В статье изложены предпосылки для создания в России мощной инновационной технологической программы и инфраструктуры в области ультрасовременных энергосберегающих технологий на базе силовой электроники. Материал имеет цель в том числе привлечь внимание руководителей ГК «Роснанотех», ГК «Ростехнологии», Комитета по науке и наукоемким технологиям Государственной Думы РФ, инновационного центра «Ско...

Новые отечественные высоковольтные p-i-n GaAs-диоды

В статье сделан обзор новых отечественных высоковольтных p-i-n GaAs-диодов. Поднимаются вопросы введения инноваций в энергетике в России, снижения потерь электроэнергии.

Чем заменить SiC-диоды Шоттки

На вопрос, применяет ли он SiC-диоды Шоттки, разработчик аппаратуры из Чебоксар ответил неожиданно мрачно: «Горят, как спички. Использую импортные кремниевые UFRED HFA08TB120». В полемику никто не вступал, так как никто не сомневается, что широкозонные полупроводники будут доминировать и почти вытеснят кремний к 2025–2030 гг., как это произошло с германием. Но есть варианты и на переходный пери...

Новая серия отечественных DMOSFET силовых транзисторов

ОАО ОКБ “Искра” совместно с ОАО Ангстрем в период с мая 2007 г. по сентябрь 2008 г. выполнили ОКР по разработке ряда мощных n-канальных DMOSFET силовых транзисторов с напряжениями 30–1200 В и токами 10–80 А. По результатам ОКР разработано свыше 30 типономиналов силовых транзисторов в корпусном и бескорпусном исполнении.

Новые высоковольтные силовые транзисторы с изолированным затвором 2П(КП)7154АС

ОАО «ОКБ «ИСКРА» совместно с ведущим российским предприятием в области микроэлектроники ОАО «АНГСТРЕМ» (Зеленоград), разработали мощный высоковольтный ДМОП силовые транзистор с поликремниевым затвором. Транзистор характеризуется максимальным напряжением «сток — исток» 600–1200 В, током стока 50–150 А, сопротивлением в открытом состоянии 0,08–0,3 Ом и низкими потерями при переключении. Конструкц...